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王国全

作品数：6 被引量：5H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇标准
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇微波组件
  • 2篇GAAS
  • 1篇移相器
  • 1篇衰减器
  • 1篇双模
  • 1篇双模分频器
  • 1篇通信
  • 1篇前置放大器
  • 1篇微波衰减器
  • 1篇微波移相器
  • 1篇逻辑
  • 1篇可靠性
  • 1篇跨阻前置放大...
  • 1篇光纤
  • 1篇光纤通信
  • 1篇防静电
  • 1篇放大器
  • 1篇分频
  • 1篇分频器
  • 1篇SCFL

机构

  • 6篇中国电子科技...

作者

  • 6篇王国全
  • 4篇陈海蓉
  • 2篇高学邦
  • 2篇郭文椹
  • 2篇樊渝
  • 1篇崔波
  • 1篇谢媛媛
  • 1篇李富强
  • 1篇王向玮
  • 1篇韩鹏飞
  • 1篇刘会东

传媒

  • 1篇电子器件
  • 1篇全国化合物半...

年份

  • 4篇2018
  • 1篇2005
  • 1篇2000
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
采用SCFL的GaAs双模高速分频器
介绍了三种GaAs双模高速分频器的设计，分别讨论了双模分频器的工作原理及三种电路的逻辑设计。以及基于源耦合场效应管逻辑的电路结构，并给出了三种电路的模拟结果。
王国全
关键词：逻辑双模分频器
文献传递
10Gbit/s GaAs跨阻前置放大器被引量：5
2005年
GaAs基pHEMT工艺适合于制作10Gbit/s速率的高速前置放大器电路。完成了工作于10Gbit/s速率的跨阻前置放大器电路的器件设计、电路设计,电路采用了串联电感L技术,有效地提高了工作带宽。模拟工作带宽达到9.0GHz,跨阻增益达到58dBΩ。电路采用0.2μmGaAs基pHEMT电子束直写T型栅工艺制作。对制作的电路进行了电测试,可工作于10Gbit/s的速率。
王国全
关键词：光纤通信跨阻前置放大器GAAS
微波衰减器测试方法
本标准规定了微波衰减器主要电参数的测试方法。本标准适用于微波固定衰减器、微波可调衰减器相关电参数测试。
樊渝静亚薇高学邦王国全刘会东李富强崔波陈海蓉
微波移相器测试方法
本标准规定了微波移相器主要电参数的测试方法。本标准适用于微波移相器相关电参数测试。
樊渝李韶坤高学邦王国全谢媛媛王向玮韩鹏飞陈海蓉
微波组件可靠性设计要求
本标准规定了微波组件可靠性分配和预计、电路的可靠性设计、元器件的选择与使用、电路的容差设计、防瞬态过应力设计、容错、冗余和防差错设计、环境防护设计、热设计的一般要求和详细要求。本标准适用于微波组件的可靠性设计。
付媛媛郭文椹王国全陈海蓉
微波组件防静电设计要求
本标准规定了微波组件设计、生产工艺过程和包装、储运等防静电设计的一般要求和详细要求。本标准适用于微波组件防静电设计。
郭文椹付媛媛王国全陈海蓉
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