刘会东
- 作品数：29 被引量：15H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器
- 本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，属于微波单片集成电路及微电子技术领域，一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，包括顺序级联的16dB衰减单元、8dB衰减单元、2dB衰减单元、1dB衰减单元...
- 谢媛媛吴洪江赵子润方园陈月盈李富强刘会东
- 超宽带GaAs收发一体多功能芯片
- 本文介绍了一款工作在1.5-8GHz频段的超宽带收发一体多功能芯片。芯片内部集成了4个单刀双掷开关和一个放大器。开关分别了采用串并结构和串联结构,放大器采用了两级共源级联结构,为了拓展带宽采取了RLC反馈结构。最后放大器...
- 秦伟光王晓阳刘会东
- 关键词：超宽带砷化镓
- 基于高电子迁移率晶体管的双锁存D触发器
- 本申请适用于半导体及微电子技术领域，提供了基于高电子迁移率晶体管的双锁存D触发器，包括：输入单元、输出单元、第一时钟信号单元、第二时钟信号单元、第一有源电阻单元、第二有源电阻单元、第三有源电阻单元和第四有源电阻单元；当第...
- 龚剑赵子润魏洪涛刘会东李远鹏刘志军
- GaN HEMT器件微波噪声模型参数提取
- 2015年
- 介绍了两种可以用于GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件建模的噪声模型,Pucel等效电路噪声模型和Pospieszalski温度噪声模型。基于Pucel等效电路噪声模型,介绍了利用器件本征噪声参数推导Pucel噪声模型参数的过程,并且给出了微波噪声模型参数的表达式。利用上述方法,针对200μm栅宽的GaN HEMT器件,提取了噪声模型参数值,并且在ADS仿真软件平台上建立了GaN HEMT器件的Pucel等效电路噪声模型,仿真结果与实测结果在频率为4~18 GHz带宽内吻合较好,说明提出的噪声模型参数提取方法对于GaN HEMT器件噪声仿真的实用性和准确性。
- 李静强胡志富崔玉兴刘会东
- 关键词：氮化镓噪声
- 开关电路
- 本发明提供一种开关电路。该开关电路包括：发射支路和接收支路；发射支路的输出端口与接收支路的输入端口连接，作为公共端口；发射支路包括：电感L1、第一并联谐振模块、第二并联谐振模块和晶体管M1；电感L1的一端连接公共端口，电...
- 王晓阳许春良刘会东崔璐潘旭
- X波段平衡式限幅低噪声放大器MMIC
- 2023年
- 为满足接收机的小型化需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款用于8~12 GHz的平衡式限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。将Lange电桥、限幅器、LNA集成在同一衬底上,Lange电桥采用异形设计,芯片比传统尺寸降低30%以上;限幅器级间采用电感匹配结构,提升MMIC的工作带宽;LNA采用并联负反馈、源极电感负反馈以及电流复用拓扑结构,实现超低功耗和良好的稳定性。芯片采用整体最优化设计,在片测试结果表明,在工作频带内,限幅LNA MMIC芯片的增益为(25±0.2)dB(去除1 dB斜率),噪声系数小于1.6 dB,总功耗小于100 mW,耐功率大于46 dBm,该芯片尺寸为2.8 mm×2.4 mm,充分体现了集成工艺的性能和尺寸优势。
- 李远鹏魏洪涛刘会东
- 关键词：限幅器
- 电流复用放大器及电子装置
- 本申请适用于集成电路放大器设计技术领域，提供了电流复用放大器及电子装置，该电流复用放大器包括至少两级放大器，至少两级放大器在信号输入方向依次串联连接；与信号输入端连接的放大器为第一级放大器，与信号输出端连接的放大器为末级...
- 吴天军卢东旭李远鹏刘会东许春良
- 一种实现超宽带GaN毫米波放大器的设计
- 本文基于0.15μm GaN HEMT工艺制作了一款毫米波超宽带放大器。该放大器采用两级级联放大结构,提高电路增益;每级采用分布式结构,显著拓展工作带宽。经过测试放大器在18GHz～40GHz频率范围内增益达到10dB以...
- 刘会东朱宝石朱思成魏洪涛
- 关键词：宽带毫米波放大器氮化镓
- 微波衰减器测试方法
- 本标准规定了微波衰减器主要电参数的测试方法。本标准适用于微波固定衰减器、微波可调衰减器相关电参数测试。
- 樊渝静亚薇高学邦王国全刘会东李富强崔波陈海蓉
- 收发一体多功能芯片、TR组件和有源相控阵天线系统
- 本发明提供一种收发一体多功能芯片、TR组件和有源相控阵天线系统。该芯片包括：极化开关模块、天线端通道选择模块、接收通道低噪声放大器模块、发射通道功率放大器模块以及驱动端通道选择模块；极化开关模块的第一端用于连接水平极化天...
- 韩芹许春良刘会东崔璐李远鹏刘永强王晓阳李明
