杜昊
- 作品数：97 被引量：114H指数：7
- 供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金沈阳市科技计划项目更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术理学冶金工程更多>>
- 一种采用冷喷涂制备Ta／Al复合抗辐照涂层的方法
- 本发明属于防护涂层制备领域，具体涉及一种采用冷喷涂制备Ta/Al复合抗辐照涂层的方法。该方法包括如下步骤：(1)将Ta粉与Al粉按照质量比(0.1～20)：1混合配成复合粉末；(2)采用冷气动力喷涂设备，将制备的复合粉末...
- 熊天英唐俊榕杜昊王吉强刘晗珲沈艳芳杨颖毛天亮
- 文献传递
- ZnO:Al薄膜的组织结构与性能被引量：12
- 2000年
- 用直流磁控反应溅射合金靶制备了ＺｎＯ薄膜，研究了衬底温度和退火温度对薄膜的结构及电学和光学性能的影响．衬底温度升高能改善薄膜的电学特性，其原因是薄膜晶粒尺寸的增大温度升高导致薄膜基本光学吸收边向短波移动，但对高透射区（４５０～８５０ｎｍ）的透射率影响不大．
- 裴志亮谭明晖杜昊陈猛孙超黄荣芳闻立时
- 关键词：ZNO薄膜透射率
- 一种电弧离子镀设备
- 本发明涉及薄膜和涂层制备领域，为一种用以在长管内表面和深孔器件孔内壁沉积薄膜或涂层的电弧离子镀设备，该电弧离子镀设备设有三套磁场发生装置，对阴极靶发射的金属离子流进行聚束的第一磁场发生装置，在真空室外与阴极靶后面对应的位...
- 杜昊赵彦辉肖金泉宋贵宏熊天英
- 一种多功能真空－正压熔炼凝固设备
- 本发明涉及多功能真空－正压熔炼凝固设备，具体为一种在密闭的真空及高压气氛下采用熔炼、凝固工艺制备多种特种材料的设备。该设备由互成90°－100°放置的熔炼炉和定向凝固炉两部分组成，两个部分通过浇铸漏斗相连通，漏斗的敞口端...
- 杜昊熊天英李铁藩陈金生崔新宇金花子吴杰李鸣孔令艳陶永山祁建忠吴嘉希
- 文献传递
- 提高电弧离子镀沉积薄膜质量的装置
- 本发明涉及薄膜制备领域，具体地说是一种提高电弧离子镀沉积薄膜质量的装置，解决由于电弧离子镀中大颗粒的存在，严重影响了涂层和薄膜的性能和寿命等问题。本发明采用双层带孔挡板放置于电弧离子镀沉积装置的靶材与基体之间，与靶材和基...
- 肖金泉郎文昌孙超宫骏赵彦辉杜昊闻立时
- 文献传递
- 一种MgO功能薄膜制备方法
- 本发明公开一种MgO功能薄膜制备方法，采用S－枪磁控溅射法，具体为：采用呈倒圆锥状的纯Mg作靶，HF酸清洗基体，装炉后将真空室抽至6～8×10<Sup>－3</Sup>Pa，以Ar气为保护气体，O<Sub>2</Sub>...
- 闻立时卢春燕孙超肖金泉宫俊王冰王铁钢杜昊黄荣芳刘艳梅
- 文献传递
- 一种制备316L不锈钢涂层的冷喷涂装置及方法
- 本发明公开了一种制备316L不锈钢涂层的冷喷涂装置及方法，属于冷喷涂技术领域。该装置主要包括控制系统、送粉器、气体加热器、laval喷嘴和粉末加热器；其中，所述气体加热器一端与laval喷嘴连接，另一端连接送粉器，所述送...
- 沈艳芳杜昊熊天英崔新宇吴杰陶永山
- 文献传递
- 一种多孔铜散热片及其制备方法
- 本发明属于冶金铸造技术领域，具体为一种用于电子器件散热的多孔铜散热片及其制备方法，该多孔铜制散热片用于计算机芯片、大功率电子设备及光电器件等散热。多孔铜散热片由铸造多孔铜锭切割加工而成，多孔铜散热片厚度0.5～10mm，...
- 杜昊路东柱祁建忠陈金生熊天英
- 二氧化钛功能薄膜理论分析与研究进展被引量：9
- 2006年
- 介绍了二氧化钛薄膜在催化和亲水方面的特性,对已有结论作了客观分析比较后,肯定了二氧化钛薄膜催化作用的一个重要的前提条件是电子空穴的保持和有效的传输,到达催化分界面。并且二氧化钛薄膜亲水作用的另一个重要条件是吸附中心必须合理分布的观点。本文对二氧化钛薄膜的气敏和湿敏特性进行了简单介绍,指出了二氧化钛薄膜除了催化和亲水的应用外,在传感器领域也将占有重要的一席之地。
- 常学森巴德纯闻立时刘坤杜昊
- 关键词：纳米二氧化钛光催化亲水性气敏特性湿敏特性
- 溅射沉积掺Ag的SnSe薄膜的微结构和热电性能被引量：1
- 2020年
- 使用粉末烧结SnSe合金靶高真空磁控溅射制备掺杂Ag的SnSe热电薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)等手段分析薄膜的相组成、表面形貌、截面形貌、微区元素含量和元素分布,利用塞贝克系数/电阻分析系统LSR-3测量沉积薄膜的电阻率和Seebeck系数,研究了不同Ag含量SnSe薄膜的热电性能。结果表明,采用溅射技术可制备出正交晶系Pnma结构的SnSe相薄膜,掺杂的Ag在薄膜中生成了纳米Ag3Sn。与未掺杂Ag相比,掺杂Ag的SnSe薄膜其电阻率和Seebeck系数(绝对值,下同)明显减小。并且在一定掺杂范围内,掺杂Ag越多的薄膜电阻率和Seebeck系数越小。未掺杂Ag的SnSe薄膜样品,其Seebeck系数较大但是电阻率也大,因此功率因子较小。Ag掺杂量(原子分数)为7.97%的样品,因其Seebeck系数绝对值较大而电阻率适当,280℃时的功率因子最大(约为0.93 mW·m^-1·K^-2),比未掺杂Ag的样品(PF=0.61 mW·m^-1·K^-2)高52%。掺杂适量的Ag能提高溅射沉积的SnSe薄膜的热电性能(功率因子)。
- 李贵鹏宋贵宏胡方杜昊尹荔松
- 关键词：材料表面与界面热电材料SEEBECK系数
