李睿
- 作品数：3 被引量：8H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 多晶硅栅耗尽导致的SRAM单比特位失效分析(英文)被引量：1
- 2008年
- 本文分析了一种静态随机存储器单比特位失效的机理。通过纳米探针测量,发现该比特位写操作失败是由负责存取的N型晶体管的驱动力较弱导致。TEM分析显示该晶体管的多晶硅栅中晶粒尺寸较大,这有可能导致栅的功函数变化以及靠近栅介质层区域的掺杂较轻。我们用SPICE模拟证实了晶体管驱动力变弱的原因是局域的多晶栅耗尽。
- 李睿王俊孔蔚然马惠平浦晓栋莘海维王庆东
- 关键词：静态随机存储器
- 工艺导致的机械应力对深亚微米CMOS器件性能的影响
- 随着CMOS器件的不断微缩，硅有源区面积的缩小，工艺导致的机械应力对器件的影响越来越显著，许多工艺步骤会造成有源区应力的累积。应力不仅导致器件性能对版图产生依赖性，而且带来各种可靠性问题，影响芯片的长期使用寿命。在很多情...
- 李睿
- 工艺导致的机械应力对深亚微米CMOS器件的影响被引量：7
- 2008年
- 随着CMOS器件的不断微缩,硅有源区面积的缩小,工艺导致的机械应力对器件的影响越来越显著,许多工艺步骤会造成有源区应力的累积.应力不仅导致器件性能对版图产生依赖性,而且带来各种可靠性问题,影响芯片的长期使用寿命.在很多情况下,应力相关的问题直接影响芯片制造的良率.在总结各种应力来源的基础上,回顾了到目前为止人们所观察或理解的应力对CMOS器件性能和可靠性的各种影响,提出了分析和解决工业生产中应力相关问题的基本思路.
- 李睿王庆东
- 关键词：CMOS器件深亚微米
