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深亚微米高压集成电路中LDMOS的制造与工艺集成: 本文依托于上海宏力半导体制造有限公司“0.18/0.15微米30伏液晶显示器驱动电路制造工艺”项目，介绍了液晶显示器驱动电路中高压器件的生产、工艺整合与优化。液晶显示器驱动电路近年来开始朝单芯片系统方向发展：将驱动输出(...; 王俊; 关键词：高压器件

高压单边器件的衬底电流再次升高和相关的热载流子注入效应被引量：1: 2008年; 基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流(ISUB)的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件的热载流子注入(HCI)效应和ISUB相关.因此,ISUB特征曲线的解释理论和基于理论的正确公式表述对于确保器件设计的可靠性尤为重要.高压器件的ISUB随栅极电压变化在峰值后再次升高.然而在普通低压器件的经典特征曲线中,ISUB仅呈现一个峰.高压器件的ISUB再次升高及其相关的可靠性问题成为新的研究热点.最广为接受的理论(Kirk effect)认为,ISUB再次升高是因为栅控沟道内的经典强电场区移动到沟道外n+漏极的边缘.本文与之不同,认为高压器件ISUB的再次升高并非因为经典强电场区的移动,而是因为在n+漏极边缘出现独立的强电场区,和经典强电场区同时并存,这就是双强电场模型.该双强电场模型仅有经典强电场的ISUB方程不适用于高压器件,新的ISUB方程也由此双强电场模型推导出来,公式与实验结果吻合.进一步地,双强电场模型引进了空穴在氧化层的陷落机制,解释了高压器件的热载流子注入效应.; 戴明志刘韶华程波李虹叶景良王俊江柳廖宽仰; 关键词：衬底电流热载流子注入

双极值衬底电流对高压MOS器件退化的影响: 2009年; 基于0.18μm高压n型DEMOS(drain extended MOS)器件,报道了在衬底电流Isub两种极值条件下作高压器件的热载流子应力实验,结果发现器件电学性能参数(如线性区电流、开态电阻、最大电导和饱和漏电流)随应力时间有着明显退化。通过TCAD分析表明,这主要是由于持续电压负载引起器件内部界面态的变化和电子注入场氧层,进而改变了器件不同区域内部电场分布所致。同时模拟研究还表明,在Isub第一极大值条件下应力所致的器件退化,主要是由器件漏/沟道耗尽区域的电场强度增加引起的;而在Isub第二极值条件下的应力诱发器件退化,则主要是由漏端欧姆接触附近的电场加强所致。; 刘博王磊冯志刚王俊李文军程秀兰; 关键词：高压器件衬底电流热载流子注入

高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响被引量：4: 2008年; 利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30V的双扩散漏端MOS晶体管(double diffused drain MOS,DDDMOS).观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线(Ib-Vg曲线)有两个峰.通过实验和TCAD模拟揭示了DDDMOS衬底电流的形成机理,发现衬底电流第一个峰的成因与传统MOS器件相同;第二个峰来自于发生在漂移区远离沟道一侧高场区的碰撞离化电流.通过求解泊松方程和电流连续性方程,分析了器件的物理和几何参数对导致衬底电流重新上升的漂移区电场的影响.在分析了DDDMOS衬底电流的第二个峰形成机理的基础上,考察了其对器件的可靠性的影响.; 王俊王磊董业民邹欣邵丽李文军杨华岳; 关键词：高压器件衬底电流可靠性

皮卫星及其相关技术研究: 小卫星作为一大类卫星品种的出现,是空间技术发展到现阶段的必然,同时它也将引起航天技术和空间应用的重大变革.随着微电子技术、MEMS技术、多功能结构、无电缆连接、卫星一体化设计等高新技术的突破和发展,小卫星将进一步减轻重量...; 王俊; 关键词：小卫星通信系统微机电系统微电子; 文献传递

多晶硅栅耗尽导致的SRAM单比特位失效分析(英文)被引量：1: 2008年; 本文分析了一种静态随机存储器单比特位失效的机理。通过纳米探针测量,发现该比特位写操作失败是由负责存取的N型晶体管的驱动力较弱导致。TEM分析显示该晶体管的多晶硅栅中晶粒尺寸较大,这有可能导致栅的功函数变化以及靠近栅介质层区域的掺杂较轻。我们用SPICE模拟证实了晶体管驱动力变弱的原因是局域的多晶栅耗尽。; 李睿王俊孔蔚然马惠平浦晓栋莘海维王庆东; 关键词：静态随机存储器

高压MOS晶体管双峰衬底电流分析及优化被引量：2: 2008年; 利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30V的双扩散漏端MOS晶体管。观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线有两个峰。实验表明,DDDMOS衬底电流的第二个峰对器件的可靠性有一定的影响。利用TCAD模拟解释了DDDMOS第二个衬底电流峰的形成机制,并通过求解泊松方程和电流连续性方程分析了器件的物理和几何参数与第二个衬底电流峰之间的关系。根据分析的结果优化了制造工艺,降低了DDDMOS的衬底电流,提高了器件的可靠性。; 王俊董业民邹欣邵丽李文军杨华岳; 关键词：高压器件衬底电流

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王俊