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师小萍

作品数：3 被引量：9H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇钼催化剂
  • 2篇含碳
  • 2篇反应器
  • 2篇反应温度
  • 2篇层数
  • 2篇衬底
  • 2篇催化
  • 2篇催化剂
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇气相
  • 1篇气相沉积
  • 1篇气相沉积法
  • 1篇拉曼
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇化学气相沉积...
  • 1篇CVD
  • 1篇表面处理

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇吴渊文
  • 3篇于广辉
  • 3篇师小萍
  • 2篇陈志蓥
  • 2篇王彬
  • 2篇张燕辉
  • 1篇王斌

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Cu上石墨烯的化学气相沉积法生长研究被引量：9
2011年
利用自行搭建的化学气相沉积(CVD)设备在Cu箔衬底上成功的制备出石墨烯薄膜,并利用光学显微镜和拉曼光谱分析等手段对石墨烯薄膜的形貌和结构进行了表征。主要研究了Cu箔的表面处理和沉积过程的气体流量对石墨烯质量的影响,发现氨水处理Cu箔可以腐蚀Cu箔表面的各种杂质提高Cu箔的洁净度从而提高石墨烯的结晶质量,优化CH4和H2的气体流量可以提高石墨烯的单层性和均匀性。并最终在CH4:H2=200:0 sccm条件下,在氨水处理过的Cu箔上获得了面积1.5 cm×1.5 cm的均匀的单层石墨烯。
师小萍于广辉王斌吴渊文
关键词：石墨烯表面处理拉曼
一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法
本发明涉及一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法，包括：将钼催化剂放入无氧反应器中，使催化剂的反应温度达到500-1600℃；向无氧反应器反应器中通入含碳气体，在0.1-760torr下反应0.1-9999min，待炉内温...
吴渊文于广辉师小萍王彬张燕辉陈志蓥
一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法
本发明涉及一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法，包括：将钼催化剂放入无氧反应器中，使催化剂的反应温度达到500-1600℃；向无氧反应器反应器中通入含碳气体，在0.1-760torr下反应0.1-9999min，待炉内温...
吴渊文于广辉师小萍王彬张燕辉陈志蓥
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