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刘金虎
作品数:
26
被引量:3
H指数:1
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
自动化与计算机技术
金属学及工艺
电气工程
文化科学
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合作作者
李超波
中国科学院微电子研究所
解婧
中国科学院微电子研究所
范涛
中国科学院微电子研究所
郜晨希
中国科学院微电子研究所
夏洋
中国科学院微电子研究所
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1篇
2014
1篇
2013
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一种纳米线压力传感器制备方法
本发明实施例提供的一种纳米线压力传感器制备方法,所述方法包括:获取有机材料基底;根据需要获取的纳米线阵列结构,在所述基底上制备凹槽阵列;在所述凹槽阵列中填充导电材料,形成纳米线阵列;其中,所述纳米线阵列中包含多个纳米线单...
解婧
李超波
邢建鹏
林琳
刘金虎
刘瑞琪
郜晨希
一种电子束选区熔化TiAl合金及制备方法
本发明提供一种电子束选区熔化TiAl合金及其制备方法,涉及发动机材料设计及制备的技术领域。所述电子束选区熔化TiAl合金的厚度为1‑50mm,化学成分按质量百分比计为:Al 43‑46at%,Nb 2‑8at%,Mo 0...
梁永锋
刘金虎
林均品
卢东
一种电镜液体芯片进样装置
本发明公开了一种电镜液体芯片进样装置,涉及电子科学与技术领域,包括用于固定密封待测液体芯片的内夹具和用于固定密封所述内夹具的外夹具;其中,所述内夹具包括第一底板和第一盖板,所述第一底板上设有限位槽和芯片槽,所述第一盖板上...
赵冬冬
李超波
刘金虎
核酸扩增芯片及其制备方法、核酸扩增装置
本发明公开了一种核酸扩增芯片及其制备方法、核酸扩增装置,该核酸扩增芯片包括:微流控结构和控温单元。其中,微流控结构包括进样通道、扩增流道以及出样通道,进样通道、扩增流道以及出样通道依次连通。控温单元设置在微流控结构上,用...
解婧
孙大鹏
刘金虎
范涛
王欢
邢建鹏
李超波
刻蚀腔室内衬用抗等离子体腐蚀涂层的研究现状
被引量:1
2014年
干法刻蚀(等离子体刻蚀)技术产生的等离子体会对半导体制造工艺以及微电子IC制造工艺中的刻蚀腔室内衬产生腐蚀。本文综述了国内外腔室防等离子体腐蚀用材料的发展历程与现状,从耐等离子体刻蚀材料、悬浮液等离子喷涂技术和在线监测技术领域的发展展望了抗等离子体刻蚀涂层的未来发展趋势。
张有茶
夏洋
贾永昌
张庆钊
王文东
刘金虎
王聪瑜
关键词:
等离子体刻蚀
在线监测
一种电镜液体芯片进样装置
本发明公开了一种电镜液体芯片进样装置,涉及电子科学与技术领域,包括用于固定密封待测液体芯片的内夹具和用于固定密封所述内夹具的外夹具;其中,所述内夹具包括第一底板和第一盖板,所述第一底板上设有限位槽和芯片槽,所述第一盖板上...
赵冬冬
李超波
刘金虎
等离子体浸没离子注入机开发与应用
夏洋
李超波
刘邦武
李勇滔
汪明刚
刘金虎
该成果属于先进制造与重大装备、新能源、材料科学技术等领域。成果建立了一台等离子体浸没注入原理研究系统,针对32nm以下节点超浅结注入工艺的技术特点,研开发了等离子体浸没超低能离子注入原理样机,解决了5nm以下尺寸平面超浅...
关键词:
关键词:
等离子体
太阳能电池
一种热塑性芯片的键合方法
本发明提供了一种热塑性芯片的键合方法,属于芯片键合技术领域,所述方法包括:通过溶剂键合的方式将两块热塑性芯片进行预键合,获得预键合体;将所述预键合体进行加压并浸没于40~80℃的水中,在0.5~5MPa压力下进行水浴键合...
王欢
解婧
邢建鹏
范涛
刘金虎
宋宏岩
李超波
多晶黑硅材料及其太阳电池应用研究
被引量:2
2013年
利用等离子体浸没离子注入技术(PⅢ)成功制备了多晶黑硅材料。通过原子力显微镜(AFM)观测分析多晶黑硅材料的表面形貌和粗糙度,黑硅材料表面呈小山峰结构,表面粗糙度约为50nm。利用紫外.可见一红外分光光度计测量黑硅的反射率,结果表明黑硅材料在300—1100nm的平均反射率为7.9%,远低于酸制绒硅片反射率。利用制备的多晶黑硅材料制备太阳电池器件,其光电转换效率可达15.88%,开路电压为605mV,短路电流密度为33.7mA/cm2。最后研究了扩散工艺对黑硅太阳电池性能的影响。
沈泽南
刘邦武
夏洋
刘杰
李超波
刘金虎
钟思华
关键词:
等离子体浸没离子注入
太阳电池
一种激光引燃测试合金阻燃性能的方法
本发明提供一种激光引燃测试合金阻燃性能的方法,包括:步骤S1、接通气路、固定试样,并调节好激光熔覆设备;步骤S2、将激光光斑对准试样上表面轴心,并调节激光功率与照射时间;步骤S3、打开原位摄像机并调节与试样距离,然后启动...
林均品
朱世超
梁永锋
刘金虎
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