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王禹

作品数:9 被引量:0H指数:0
供职机构:西安电子科技大学更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 8篇天线
  • 8篇二极管
  • 7篇等离子天线
  • 7篇离子注入
  • 7篇离子注入工艺
  • 7篇PIN二极管
  • 6篇隔离区
  • 4篇晶向
  • 2篇等离子体
  • 2篇刻蚀
  • 2篇GAAS
  • 2篇SIGE
  • 1篇淀积
  • 1篇信道
  • 1篇信道质量
  • 1篇信噪比
  • 1篇跳频
  • 1篇全息
  • 1篇自适应
  • 1篇自适应跳频

机构

  • 9篇西安电子科技...

作者

  • 9篇王禹
  • 7篇舒斌
  • 7篇胡辉勇
  • 7篇宋建军
  • 7篇宣荣喜
  • 7篇张鹤鸣
  • 7篇苏汉
  • 3篇王斌
  • 1篇刘洋
  • 1篇杨佳音

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2018
  • 5篇2017
  • 1篇2009
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
自适应跳频信道质量估计研究
近年来,在常规跳频的基础上提出了自适应跳频,它是建立在自动信道质量评估基础上的一种频率自适应控制和功率自适应控制相结合的跳频技术,大大增加了常规跳频通信系统的抗干扰能力。而频率自适应控制算法需要利用接收到的数据进行实时的...
王禹
关键词:自适应跳频信道质量盲估计信噪比抗干扰能力
文献传递
GaAs基固态等离子体PiN二极管及其制备方法
本发明涉及一种GaAs基固态等离子体PiN二极管及其制备方法,该方法包括:选取某一晶向的GeOI衬底,在GeOI衬底上淀积GaAs层并设置隔离区;刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽,P型沟槽和N型沟槽的深度小于衬底的...
胡辉勇康海燕刘洋张鹤鸣宋建军舒斌宣荣喜苏汉王禹
文献传递
一种SiGe基固态等离子体PiN二极管及其制备方法
本发明涉及一种SiGe基固态等离子体PiN二极管及其制备方法,该制备方法包括:选取某一晶向的SiGeOI衬底,在SiGeOI衬底上设置隔离区;刻蚀所述衬底形成P型沟槽和N型沟槽,P型沟槽和N型沟槽的深度小于衬底的顶层Si...
胡辉勇苏汉卢少锋张鹤鸣舒斌宋建军宣荣喜王禹
文献传递
一种固态等离子体PiN二极管及其制备方法
本发明涉及一种固态等离子体PiN二极管及其制备方法,该制备方法包括:选取SOI衬底;刻蚀SOI衬底形成隔离槽,填充隔离槽形成隔离区,隔离槽的深度大于等于SOI衬底的顶层硅的厚度;刻蚀SOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽;在P...
王斌苏汉张鹤鸣王禹胡辉勇舒斌宋建军宣荣喜苗渊浩
一种Si‑Ge‑Si异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件
本发明涉及一种Si‑Ge‑Si异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件,该制备方法包括:选取某一晶向的GeOI衬底,并在GeOI衬底内设置隔离区;刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽,P型沟槽和N型沟槽的深...
胡辉勇王禹朱翔宇张鹤鸣宣荣喜舒斌宋建军苏汉苗渊浩
文献传递
固态等离子体可重构全息天线关键技术研究
在现代无线通讯设备中,天线作为电磁波辐射和接收的部件,其制作材料往往由金属构成。然而传统金属天线的辐射频率不易改变,集成度低。为了克服传统金属天线的相应缺陷,使用等离子体可重构天线可以有效地解决上述问题。由于在加电情况下...
王禹
关键词:可重构性PIN二极管
一种固态等离子体PiN二极管及其制备方法
本发明涉及一种固态等离子体PiN二极管及其制备方法,该制备方法包括:选取SOI衬底;刻蚀SOI衬底形成隔离槽,填充隔离槽形成隔离区,隔离槽的深度大于等于SOI衬底的顶层硅的厚度;刻蚀SOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽;在P...
王斌苏汉张鹤鸣王禹胡辉勇舒斌宋建军宣荣喜苗渊浩
文献传递
GaAs‑Ge‑GaAs异质结构的SPiN二极管及其制备方法
本发明涉及一种GaAs‑Ge‑GaAs异质结构的SPiN二极管及其制备方法。该制备方法包括:(a)选取GeOI衬底;(b)刻蚀所述GeOI衬底的顶层Ge层以在所述顶层Ge层内形成第一沟槽和第二沟槽;(c)在所述第一沟槽和...
王斌苏汉王禹胡辉勇杨佳音张鹤鸣宋建军舒斌宣荣喜苗渊浩郝敏如
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一种SiGe基固态等离子体PiN二极管及其制备方法
本发明涉及一种SiGe基固态等离子体PiN二极管及其制备方法,该制备方法包括:选取某一晶向的SiGeOI衬底,在SiGeOI衬底上设置隔离区;刻蚀所述衬底形成P型沟槽和N型沟槽,P型沟槽和N型沟槽的深度小于衬底的顶层Si...
胡辉勇苏汉卢少锋张鹤鸣舒斌宋建军宣荣喜王禹
文献传递
共1页<1>
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