梁琨
- 作品数：20 被引量：30H指数：3
- 供职机构：北京师范大学核科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术机械工程更多>>
- 应用于大型高能物理实验的硅光电倍增器(SiPM)及其质量控制研究
- 大型高能物理实验对探测器的可靠性、一致性及使用寿命等有非常严格的要求,因此对相关SiPM建立一套完善的质量控制体系势在必行。SiPM的性能参数较多,包括反向漏电、击穿电压、暗计数率、增益、光探测效率、单光子分辨谱、工作电...
- 李永正程岳王凯君李伯成梁琨杨茹韩德俊
- 关键词：大动态范围高能物理
- 文献传递
- 外延电阻淬灭型硅光电倍增器的最新研究进展
- 2022年
- 北京师范大学新器件实验室(NDL)一直致力于研制结构紧凑、工艺相对简单的外延电阻淬灭型硅光电倍增器(silicon photomultiplier with epitaxial quenching resistor,EQR SiPM)。近期为了满足硅光电倍增器(silicon photomultiplier,SiPM)在核医学成像方面的需要,NDL通过优化器件设计和制作工艺,成功研制出微单元尺寸为15μm、有效面积为9 mm~2的EQR SiPM。相较以往同类型器件,实现了器件暗计数率(dark count rate,DCR)的进一步降低同时保持了较高的光子探测效率(photon detection efficiency,PDE),在环境温度为20℃、过偏压为7 V时,DCR的典型值为226 kHz/mm~2、峰值PDE为46%。另外,为了进一步提升EQR SiPM的动态范围,NDL还研制出微单元尺寸为6μm、有效面积为9 mm~2、微单元数目为244720的EQR SiPM,在环境温度为20℃、过偏压为7 V时,DCR的典型值为240 kHz/mm~2、峰值PDE为28%,其较大的动态范围特别适合高能宇宙射线的测量、强子量能器等应用。
- 张琳谢港刘宇霄张慧霞梁琨杨茹韩德俊
- 关键词：动态范围
- 区熔单晶硅光晶体管瞬态特性的实验研究
- 2008年
- 现有光晶体管具有噪声较低、增益较高(光信号强度适中时)等优点;但它同时也存在线性较差、光信号较弱时增益较低等缺点,限制了它的实际应用。本文报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的具有高灵敏度、高线性度光晶体管的瞬态特性研究结果,采用负载电阻法和互阻放大器法分别测量响应时间对偏置电压和入射光功率的依赖关系。测量结果显示,器件的上升及下降时间明显依赖于入射光功率的变化,对偏置电压的依赖性较弱;416nW和1128nW入射光功率下大尺寸器件的响应时间分别在170μs和10μs量级,在416nW入射光功率下小尺寸器件的上升时间约为30μs,与理论计算结果具有较好的符合。
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- 关键词：瞬态特性光晶体管
- 发光二极管芯片快速检测方法的研究
- 2009年
- 介绍了一种新的发光二极管（LED）芯片的检测方法及应用。该方法利用自行研制的掩埋双pn结（BDJ）光波长探测器同时测量LED芯片的有效波长及辐射强度，具有简单、快捷、动态范围宽、探测器体积小和便于系统集成的优点，在半导体照明最感兴趣的398～780nm波长范围内，波长测量的重复精度及分辨率优于1nm。据此方法，对红、绿、蓝、紫四种LED芯片发光的波长及辐射强度进行了实际测量，对红绿蓝三基色发光二极管合成白光的偏色进行了检测，并与光纤光谱仪测量得到的结果进行了比较。
- 任红茹李薇刘雪莲王文杰梁琨杨茹韩德俊
- 关键词：半导体光电子学
- SiPM电子学模型的建立与参数提取被引量：3
- 2010年
- 以SPAD等效电路为基础建立了简单实用的SiPM的电子学模型,对模型中各电学参数及其对器件性能的影响进行了详细探讨,并以日本滨松公司的MPPC器件为例介绍了模型参数的提取方法。该电子学模型可应用于SiPM器件性能优化和前端电子学设计。
- 袁俊胡小波梁琨杨茹韩德俊
- 关键词：SIPMSPADMPPC
- 新结构光电晶体管的研究
- 本文报导一种高阻区熔硅材料上,发射极带有隔离环结构的NPN双极光晶体管。这种新结构光电晶体管在普通晶体管的基础上,在发射区表面增加一个环状电极,通过所加电压大小控制基区中耗尽区的区域,使基区被分为内基区和外基区,进而减小...
- 周虹珊杨茹李国辉梁琨韩德俊李秀芝田喜卓
- 关键词：光电晶体管增益
- 文献传递
- 硅漂移探测器的制作工艺及特性研究被引量：6
- 2009年
- 采用双面并行的平面工艺研制出了有源区面积5mm2的硅漂移探测器(SDD)。这种双面并行的平面工艺使得SDD绝大部分正面和背面的pn结结构能够并行完成,极大地减少了工艺步骤,降低了器件制作的难度。对研制的SDD的漏电流、电势分布、光电子的漂移特性等进行了测量和分析,对238Puα射线源的能谱进行了测量,对正常工作状态下出现的悬空阳极电位进行了分析和讨论。报道了利用阳极漏电流、光电子漂移特性、悬空阳极电位对SDD芯片进行中测和封装前快速筛选的方法。
- 吴广国黄勇贾彬曹学蕾孟祥承王焕玉李秀芝梁琨杨茹韩德俊
- 关键词：光响应度
- 高密度外延电阻淬灭硅光电倍增器研究被引量：1
- 2017年
- 针对表面淬灭电阻技术引起死区面积较大,以及高光子探测效率与大动态范围不能同时满足的矛盾,应用外延电阻淬灭技术,采用与雪崩光电二极管微单元相连的衬底外延层硅材料制作了淬灭电阻.研制成功的外延电阻淬灭硅光电倍增器的有源区面积为1×1mm^2,微单元尺寸为7μm,微单元密度高达21 488个/mm^2,测试结果表明:漏电流为10量级,反向击穿电压为24.5V,过偏压为2.5V时,增益达1.4×10~5,室温下暗计数率约为600kHz/mm^2,串话率低于10%,说明该器件具有良好的光子计数特性.该高密度硅光电倍增器测量的动态范围是1.8×10~4个/mm,光子探测效率为16%(@λ_(peak)=480nm),恢复时间为8.5ns,单光子分辨能力较高,并且在液氮温度环境能够探测光子,这对于拓展硅光电倍增器在极低温度条件下的应用,比如暗物质测量实验方面具有潜力.
- 贾建权江加丽李佰成王瑞恒梁琨杨茹韩德俊
- 关键词：光子探测器动态范围
- BDJ光探测器的温度特性及其温度校准研究
- 2008年
- 掩埋双pn结(BDJ)光探测器的波长及光谱响应度定标曲线与温度有关,因此在环境温度发生变化时需要对器件的定标曲线进行温度校准,以提高器件测量波长和光功率的精度。文章对BDJ光探测器的温度特性进行了研究,在不需要另外附加温度传感器的情况下,直接利用BDJ自身的浅结测量温度,通过matlab编程,能够插值计算出某温度下的波长及光响应度定标曲线,能有效地消除环境温度变化对波长及光功率测量的影响,使器件更具有实用性。数值分析结果表明,经温度校准后,波长及光响应度定标曲线的误差均在5%以内。
- 邓宏朱江刘雪莲王文杰梁琨杨茹韩德俊
- 关键词：温度特性温度校准
- PET应用中的硅光电倍增器研究被引量：7
- 2014年
- 本文介绍了硅光电倍增器(SiPM)研制所取得的最新进展及PET应用中SiPM的研究现状。新器件实验室(NDL)制造出光敏面积为2.2mm×2.2mm的SiPM器件,并将SiPM与2mm×2mm×10mm的LYSO晶体耦合,实验结果显示,器件探测FDG 511keV光子的能量分辨率达12.83%,符合时间分辨率达564ps。
- 陈宗德王玥李晨晖陈文飞杨茹梁琨韩德俊
- 关键词：PET时间分辨率能量分辨率
