韩德俊
- 作品数：93 被引量：58H指数：5
- 供职机构：北京师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术机械工程更多>>
- 硅光电倍增探测器
- 本发明提供一种硅光电倍增探测器，包括：探测器主体，其包括由多个APD单元集成在衬底上形成的APD阵列，每个APD单元串联一个雪崩淬灭电阻，在探测器主体外围还设有另外的APD单元，所有APD单元的表面由均匀连续的重掺杂硅导...
- 韩德俊
- 时间分辨拉曼散射特征谱线仪
- 针对常规拉曼光谱仪存在荧光背景干扰、时间分辨率低以及痕量分析检测速度较慢的问题，本发明提出一种新的时间分辨拉曼散射方法及装置--时间分辨拉曼散射特征谱线仪。它采用高增益、快响应速度的多元条形硅光电倍增探测器(SiPM)作...
- 韩德俊张丽颖张春玲
- 文献传递
- 掩埋双p-n结波长探测器的弱光探测被引量：1
- 2004年
- 为提高掩埋双p n结 (BDJ)波长探测器对弱光探测的信噪比 ,不采用其一般的光电导工作模式 ,而应用它的光伏工作模式 ,并借助锁相放大技术 ,测量上下 2个p n结的光生电压 ,不仅得到了光生电流比与波长的关系曲线 ,而且抑制了大量噪声 。
- 张秀荣盛丽艳韩德俊张保州
- 关键词：锁相放大弱光探测
- 拉曼散射光谱的测量装置及拉曼散射光谱仪
- 本发明实施例提供一种拉曼散射光谱的测量装置及拉曼散射光谱仪，其中，该装置包括：脉冲激光器发射出的一路激光激发样品产生拉曼散射光信号；拉曼散射光路将拉曼散射光信号传输到光栅单色仪；光栅单色仪将拉曼散射光信号传输给信号光探测...
- 韩德俊王慎远苗泉龙
- 文献传递
- 新结构端面入射条形X射线探测器的研究
- 选择高阻N型<100>单晶硅材料,X射线探测器为PIN管结构.为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区,以减少器件的暗电流.通过对比实验发现,当N区的注入量增大时,在相同反向偏压...
- 谢凡北京师范大学低能核物理研究所(北京)杜树成韩德俊
- 关键词：X射线探测器暗电流密度半导体材料
- 文献传递
- PET应用中的硅光电倍增器研究被引量：7
- 2014年
- 本文介绍了硅光电倍增器(SiPM)研制所取得的最新进展及PET应用中SiPM的研究现状。新器件实验室(NDL)制造出光敏面积为2.2mm×2.2mm的SiPM器件,并将SiPM与2mm×2mm×10mm的LYSO晶体耦合,实验结果显示,器件探测FDG 511keV光子的能量分辨率达12.83%,符合时间分辨率达564ps。
- 陈宗德王玥李晨晖陈文飞杨茹梁琨韩德俊
- 关键词：PET时间分辨率能量分辨率
- 光电检测装置、系统和方法
- 本发明涉及一种光电检测装置、系统和方法。该装置包括硅光电倍增器，其用于检测被测样品被光脉冲照射后来自所述被测样品的光脉冲信号，并将检测的信号转换为电脉冲信号；信号协同读出电路，其连接所述硅光电倍增器，基于用来控制发光器件...
- 韩德俊刘健代雷
- 文献传递
- 带保护环结构的条形X光阵列探测器被引量：7
- 2003年
- 研究了带有保护环结构的条形 X光阵列探测器 ,结果表明 ,保护环的存在不仅降低了表面漏电 ,而且抑制了耗尽区的侧向扩展 .厚度为 30 0 μm的探测器样品 ,切割后的“死区”长度为 15 0 μm;环境温度为 18℃时 ,70 V偏压下加保护环测得的探测器完全耗尽时的漏电流为 2 0 n A.
- 盛丽艳韩德俊张秀荣田晓娜王传敏杜树成谢凡王光甫
- 关键词：死区漏电流保护环
- 硅光电倍增探测器
- 本发明提供一种硅光电倍增探测器，包括：探测器主体，其包括由多个APD单元集成在衬底上形成的APD阵列，每个APD单元串联一个雪崩淬灭电阻，在探测器主体外围还设有另外的APD单元，所有APD单元的表面由均匀连续的重掺杂硅导...
- 韩德俊
- 硅光电倍增探测器结构、制作及使用
- 本发明涉及采用与APD单元相连的衬底体电阻来制备硅光电倍增探测器(SiPM)的雪崩淬灭电阻，其目的是为了解决SiPM的探测效率与动态范围不可兼顾的矛盾，可以在保证高探测效率的同时依然保证高的动态范围。提出采用铝诱导非晶硅...
- 韩德俊胡小波胡春周殷登平
- 文献传递
