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曹振亚

作品数：8 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇半导体
  • 3篇绝缘
  • 2篇等离子体
  • 2篇电路
  • 2篇亚微米
  • 2篇深亚微米
  • 2篇准分子
  • 2篇准分子激光
  • 2篇自对准
  • 2篇微米
  • 2篇激光
  • 2篇KRF准分子...
  • 1篇导光
  • 1篇等离子体刻蚀
  • 1篇电极
  • 1篇电路工艺
  • 1篇淀积
  • 1篇掩模
  • 1篇阵列
  • 1篇阵列波导

机构

  • 8篇中国科学院微...

作者

  • 8篇曹振亚
  • 8篇刘训春
  • 7篇王润梅
  • 5篇叶甜春
  • 5篇钱鹤
  • 3篇欧文
  • 3篇吴德馨
  • 1篇李晓民
  • 1篇孙宝银
  • 1篇魏珂
  • 1篇陈梦真
  • 1篇牛立华
  • 1篇罗明雄
  • 1篇徐维江

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 2篇1991
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
KrF准分子激光移相光刻在HEMT栅加工中的应用
1998年
将KrF准分子激光无铬接触式移相光刻应用于深亚微米HEMT栅图形加工，自行设计、组装了一套实验系统，很好地解决了这一器件制作的关键工艺问题。分别采用石英版移相和衬底移相方式，可重复可靠地得到剖面陡直的（0．30—0．35）μm和（0．2—0．25）μm胶阴线条，这一工艺技术完全与现有器件工艺技术兼容，为HEMT深亚微米栅加工提供了一个新的可供选择的方法，文中还从计算机模拟角度对上述两种移相光刻方式作了分析。
钱鹤刘训春王润梅欧文张学曹振亚吴德馨
关键词：深亚微米HEMT半导体制造工艺
一种X射线图形掩模
本实用新型公开了一种用于半导体器件与集成电路工艺的X射线图形掩模，它在掩模线条的侧边设有能够透过X射线的属侧向支撑体，基片可为氮化硅片，金属图形可以是金属线条形成的图形。这样的结构能够提高掩模的合格率、可靠性以及使用寿命...
刘训春陈梦真叶甜春钱鹤王润梅王玉玲孙宝银曹振亚欧文张学
文献传递
一种金属-半导体埸效应晶体管
本发明公开了一种利用侧壁自对准技术制造MESFET的结构，在金属栅电极与漏区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度大于与源区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度，这样的非对称结构能够提高MESFET的性能。
刘训春王润梅叶甜春曹振亚
文献传递
一种金属-半导体场效应晶体管
本发明公开了一种利用侧壁自对准技术制造MESFET的结构，在金属栅电极与漏区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度大于与源区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度，这样的非对称结构能够提高MESFET的性能。
刘训春王润梅叶甜春曹振亚
一种高密度等离子体工艺装置
本实用新型公开了一种由低压气体腔的腔座、绝缘罩以及射频线圈等部分组成，用于半导体精细加工的高密度等离子体工艺装置。该装置采用多阶层的塔状绝缘罩体，并使连续连接的一组多匝射频线圈按上下顺序围绕在塔状罩体的各阶层外壁上，其顶...
刘训春叶甜春李晓民王守武钱鹤徐维江曹振亚张学
文献传递
在半导体表面制造T形栅极的方法
本发明公开了一种适用于HEMT等微电子器件生产的在半导体表面制造T形栅电极的方法。它按T形电极顶宽的尺寸在半导体表面的胶层上挖槽，再用淀积和定向刻蚀法使槽内形成介质侧壁，再经淀积金属并剥离栅区以外的胶层与金属层，留下最终...
刘训春叶甜春钱鹤吴德馨王润梅曹振亚张学
文献传递
用KrF准分子激光移相光刻研制深亚微米栅长InP/In_(0.75)Ga_(0.25)As/InPHEMT
1997年
设计了一种新的ＩｎＰ／Ｉｎ０．７５Ｇａ０．２５Ａｓ／ＩｎＰ器件结构，其特点在于采用ＩｎＰ衬底，高ｘ值的ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ沟道，选用ＩｎＰ作为势垒层，从而避免了用含Ａｌ势垒层有可能引起的ＤＸ中心对器件性能的不利影响。在器件工艺实验方面，提出将ＫｒＦ准分子激光无铬移相光刻应用于栅图形加工、设计，组装了一套实验系统，可重复可靠地得到剖面陡直的０．３～０．３５μｍ胶阴线条，这一工艺技术完全与现有器件工艺技术兼容。
钱鹤刘训春王润梅欧文张学曹振亚吴德馨
关键词：HEMT器件准分子激光
适用于阵列波导光栅制作的厚SiO_2陡直刻蚀技术被引量：5
2003年
采用 ICP- 98型高密度等离子体刻蚀机进行了厚 Si O2 陡直刻蚀技术的研究 ,利用双层掩膜技术解决了“微掩膜现象”问题 ,刻蚀获得 12 .4 μm的陡直 Si O2 光波导剖面 ,并将这一刻蚀技术用于阵列波导光栅的制作中 .
魏珂刘训春曹振亚王润梅罗明雄牛立华
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