庞炳远
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- 真空高阻区熔硅单晶少子寿命的研究
- 本文介绍了P型高阻真空区熔硅单晶的生长方法,以及用此法所生长单晶的寿命变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有(30～40)m的低寿命区,之后随着...
- 索开南闫萍张殿朝庞炳远刘燕董军恒
- 关键词：区熔硅单晶少子寿命
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- 区熔法硅单晶生长的电磁场仿真计算
- 悬浮区熔法是生长硅单晶的重要方法之一,高频线嘲产生的电磁场能量分布直接影响着硅单晶的生长情况,通过有限元的方法可以对区熔硅单晶生长进行数值模拟。本文考虑了二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,分析了区熔...
- 庞炳远闫萍索开南张殿朝
- 关键词：硅单晶生长数值模拟有限元计算机仿真
- 文献传递
- 区熔法Si单晶生长的电磁场仿真计算
- 2008年
- 悬浮区熔法是生长Si单晶的重要方法之一,高频线圈产生的电磁场能量分布直接影响着Si单晶的生长情况,通过有限元的方法可以对区熔Si单晶生长进行数值模拟。考虑了二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,分析了区熔Si单晶生长系统的组成,通过电磁场基本方程的推导建立了电磁场模型。利用软件进行了计算机建模,对模型的网格划分充分考虑了计算的关键部位,通过边界条件和载荷的选取完善了电磁场方程,最终通过计算机仿真计算得出电磁场的模拟结果。
- 庞炳远闫萍索开南张殿朝
- 关键词：区熔SI数值模拟电磁场
- 一种ＭＥＭＳ器件制作用硅单晶材料的热场和制备方法
- 本发明涉及一种ＭＥＭＳ器件制作用硅单晶材料的热场和制备方法，改变了单晶炉热场的上下保温层厚度，优化了热场的纵向温度梯度，使用新型结构的导流筒，改善了氩气流场结构，采用磁场拉晶，并随着熔硅减少，逐渐增强磁场强度，以保证晶体...
- 韩焕鹏杨洪星陈晨何远东杨静范红娜庞炳远王雄龙张伟才
- 文献传递
- 一种直接键合用硅单晶抛光片表面质量的评价方法
- 本发明公开了一种直接键合用硅单晶抛光片表面质量的评价方法。步骤如下：步骤一，采用强光灯下目检的方式，对表面质量进行初步判断；步骤二，强光灯下目检合格的晶片进行表面颗粒度检测；步骤三，小于表面颗粒检测范围的表面不平坦状况采...
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- 一种用于区熔单晶生长用的晶体支撑装置
- 本实用新型公开了一种用于区熔单晶生长用的晶体支撑装置，安装在区熔单晶炉内，包括：下轴上盖、支撑棒和石英支撑头；其中下轴上盖设置在区熔单晶炉的下晶轴的顶部、籽晶夹头的底部；下轴上盖上设置有一个大直径圆孔和三个小直径圆孔；不...
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- 真空高阻区熔Si单晶等径初期少子寿命的变化
- 2008年
- 介绍了生长电阻率1×104～2×104Ω.cm的p型高阻真空区熔Si单晶时,所生长单晶少子寿命的变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有30～40mm的低寿命区,之后随着生长的继续,寿命又会有明显的升高。此种现象在相同条件、相同原料生长的气氛单晶中就没有出现。利用金相电子显微镜对所发现的低寿命区进行了缺陷分析,结果在低寿命区的断面处均未发现漩涡、位错等对寿命影响较为严重的缺陷。
- 索开南闫萍张殿朝庞炳远刘燕董军恒
- 关键词：区熔少子寿命漩涡位错
- 一种制作异形硅单晶抛光片的方法
- 本发明公开了一种用于制作异形硅单晶抛光片的方法，包括硅单晶抛光片圆片的制备、贴膜、激光划片、揭膜、清洗等步骤。先通过硅单晶生长以及加工制备出硅抛光片，将硅片贴膜后，使用激光划片机根据异形硅抛光片的形状、尺寸要求进行划片。...
- 陈晨杨洪星韩焕鹏庞炳远何远东范红娜杨静张伟才赵权
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- 区熔法Si单晶生长的电磁场仿真计算
- 悬浮区熔法是生长Si单晶的重要方法之一,高频线圈产生的电磁场能量分布直接影响着Si单晶的生长情况,通过有限元的方法可以对区熔Si单晶生长进行数值模拟。考虑了二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,分析了区...
- 庞炳远闫萍索开南张殿朝
- 关键词：区熔SI数值模拟电磁场
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- 硅中微量硼元素的区熔掺杂
- 2014年
- 以高纯B2O2的水溶液为掺杂剂，采用将掺杂剂逐点滴涂在硅棒表面后再进行区熔的方式，实现了硅材料的微量硼掺杂，研制出了导电类型为P型、电阻率为3000～5000Ω·cm的区熔用硅多晶。实验表明，区熔掺杂完成后附加的一次真空区熔过程，使杂质在多晶硅中的分布变得更加均匀。在确定的工艺条件下，由于掺杂前及掺杂后多晶硅轴向电阻率的一致性、实验用多晶硅样本的大小、所需掺杂剂剂量的多少等因素均会影响掺杂的准确性，因此需要在相同条件下进行多次实验，通过积累大量的实验数据以实现准确掺杂。
- 闫萍庞炳远索开南
- 关键词：掺硼硅
