杨洪星
- 作品数：100 被引量：101H指数：6
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- 相关领域：电子电信金属学及工艺机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 晶片厚度测试仪的测量能力指数探讨被引量：1
- 2019年
- 以电容法厚度测试仪器为例,分析了厚度标准样片、重复性、环境温度变化以及厚度公差对测量能力指数的影响。结果表明,尽可能地降低测试环境的温度变化、选用高质量的厚度标准样片能够使得厚度测试仪器具有较高的测量能力指数;最后对准确表征厚度测试仪器的测试能力指数给出了建议。
- 杨洪星杨静张颖武韩焕鹏
- 关键词：晶片扩展不确定度
- 超薄硅双面抛光片抛光工艺技术被引量：4
- 2011年
- MEMS器件、保护电路、空间太阳电池等的制作需要使用硅双面抛光片,并且要求抛光片的厚度很薄,传统的硅抛光片加工工艺已经不能满足这一要求。介绍了一种用于超薄硅单晶双面抛光片加工的抛光工艺方法。通过对硅片抛光机理[1]、抛光方式、抛光工艺的研究和对抛光工艺试验结果的分析,解决了超薄硅单晶双面抛光片在加工过程中碎片率高、抛光片背面表面质量不易控制的技术难题,研制出了高质量的超薄硅单晶双面抛光片。
- 赵权杨洪星刘春香吕菲王云彪武永超
- 关键词：超薄抛光工艺
- 一种去除硅片边缘氧化膜的装置及方法
- 本发明公开了一种去除硅片边缘氧化膜的装置及方法。该装置采用卧式结构，由上下两部分组成去边圆盘，通过卡槽固定；内部中空，填充吸水海绵吸收HF溶液；去边圆盘有凹槽，凹槽处有用于渗出HF溶液的通孔，凹槽外缠有摩擦布吸附HF溶液...
- 索开南杨洪星张伟才庞炳远王雄龙杨静徐聪何远东陈晨
- 文献传递
- 一种可以改善半导体晶片几何参数的晶片加工方法
- 本发明公开了一种可以改善半导体晶片几何参数的晶片加工方法。该方法采用至少两组厚度递减的游星片对待加工晶片进行分次研磨；每次研磨过程中，在将晶片研磨到与游星片厚度相等后继续研磨一段附加研磨时间。通常，厚度相邻的两组游星片的...
- 林健徐永宽刘玉岭刘春香杨洪星吕菲
- 文献传递
- 空间太阳能电池用超薄锗单晶片的清洗技术
- 2011年
- 由于锗在常温时即不与浓碱发生反应,也不与单一的强酸反应[1],因此其清洗机理与硅、砷化镓等材料相差较大[2,3]。在大量实验的基础上,阐述了锗单晶抛光片的清洗机理。通过对锗抛光片表面有机物和颗粒的去除技术研究,建立了超薄锗单晶抛光片的清洗技术,利用该技术清洗的超薄锗单晶抛光片完全满足了空间高效太阳电池的使用要求。
- 林健赵权刘春香杨洪星
- 一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法
- 本发明公开了一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液和腐蚀方法，该腐蚀液的原料包括硫酸、双氧水、水；以体积百分比计算，所述硫酸、所述双氧水和所述水的比例为（4-6）：（1-3）：（1-2）。本发明还提供了磷化铟单晶片的化学腐蚀方法，...
- 林健赵权刘春香吕菲杨洪星于妍佟丽英
- 文献传递
- 直拉重掺硼硅单晶的碱腐蚀特性研究被引量：3
- 2013年
- 直拉重掺硅硼单晶作为重要的外延衬底材料,具有其优越的特性。由于其硬度大,杂质含量高,在抛光片的加工过程中表现出腐蚀速率慢、表面均匀性差等特点,不利于硅片腐蚀减薄和抛光清洗等。研究了直拉重掺硅硼单晶的碱性腐蚀速率随腐蚀液温度和浓度变化趋势,从直拉重掺硅硼单晶化学反应的微观角度解释了这种变化规律,在此基础上,研究了不同的添加剂对腐蚀速率和表面均匀性的影响,从理论和实验两方面证实了,在腐蚀液中加入碱性氧化剂有利于腐蚀速率的提高,并能有效改善硅片的表面均匀性。
- 吕菲耿博耘于妍杨洪星刘锋
- 关键词：腐蚀速率
- 环境因素对锗单晶抛光片表面质量的影响
- 2020年
- 由于Ge材料具有较为活泼的化学性质,易与环境中的氧化剂发生化学反应,使Ge单晶抛光片表面质量因表面化学组成的变化而出现恶化,降低交付可靠性。通过实验验证了在氧化性氛围中,Ge单晶抛光片表面易产生雾,且随着时间延长而逐渐增多,直至表面完全被覆盖。从反应机理分析了Ge单晶抛光片表面可能发生的化学反应。通过X射线光电子能谱(XPS)验证了Ge单晶抛光片表面的价态发生了变化,发现Ge单晶抛光片表面发生了氧化反应。从环境因素入手,分析了净化等级和化学氛围对Ge单晶抛光片表面质量的影响,确定了Ge单晶抛光片的存放环境,保证了Ge单晶抛光片的交付可靠性。
- 杨洪星王雄龙索开南杨静陈晨
- 关键词：抛光片
- 一种磷化铟晶片加工方法
- 本发明公开了一种磷化铟晶片加工方法。该方法工艺流程：1、将生长的原始单晶根据直径和单晶情况进行头尾切断；2、将头尾切断后的晶锭在<Image file="100004_DEST_PATH_IMAGE002.GIF" he...
- 索开南杨洪星韩焕鹏张伟才庞炳远徐聪王雄龙杨静陈晨
- 一种铌酸锂基片的黑化方法
- 本发明公开了一种铌酸锂基片的黑化方法。本方法采用的还原试剂由铁粉和碳酸锂粉末混合而成，铌酸锂基片的黑化步骤为：1、在方形刚玉坩埚中放入铁粉和碳酸锂混合物；2、将铌酸锂基片平放埋入混合物中；3、将方形刚玉坩埚放入热处理炉中...
- 王雄龙杨洪星范红娜杨静韩焕鹏陈晨赵权高丹
- 文献传递
