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尚升

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院粉末冶金研究所更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电沉积
  • 1篇相结构

机构

  • 1篇北京科技大学
  • 1篇无锡市爱芯科...

作者

  • 1篇果世驹
  • 1篇尚升
  • 1篇王延来
  • 1篇聂洪波

传媒

  • 1篇北京科技大学...

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
电沉积和硒化制备CuInSe2薄膜
2009年
以石墨为阳极、钛片为阴极,采用恒电流法制备Cu-In预制膜,然后硒化处理得到CuInSe2薄膜.分析了预制膜和CuInSe2薄膜的相组成及其影响因素.结果表明:采用不同的电沉积工艺,可以得到不同相组成的Cu-In预制膜.在保证Cu/In小于1的条件下,降低InCl3浓度和H3Cit/CuCl2浓度比,选择较高电流,可以获得具有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜.含有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜,经硒化得到的CuInSe2薄膜具有单一CuInSe2相组成,并且符合化学剂量比要求;而只含有CuIn相的预制膜硒化后除了有CuInSe2相外还出现了CuSe相.
王延来尚升聂洪波倪沛然果世驹
关键词：电沉积相结构
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共1页<1>
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