姜明明
- 作品数：17 被引量：13H指数：2
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
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- 一种纸张可重复利用的书写方法及书写系统
- 本申请公开了一种纸张可重复利用的书写方法及书写系统，其中，所述书写方法包括获取荧光量子点溶液；利用所述荧光量子点溶液在纸张表面进行书写，获得书写后的纸张，所述书写后的纸张载有书写内容；利用与所述荧光量子点溶液对应的擦除剂...
- 单崇新孙志鹏刘凯凯姜明明
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- 一种自驱动式氧锌镁紫外探测器及其制备方法
- 本发明涉及一种自驱动式氧锌镁紫外探测器及其制备方法，属于紫外探测技术领域，该制备方法包括：采用金属有机化学气相沉积法在衬底上制备氧锌镁薄膜层；在步骤一得到的氧锌镁薄膜层上通过真空热蒸发的方法制备出Au电极层；通过湿法刻蚀...
- 陈洪宇刘可为张振中姜明明谢修华申德振
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- 一种紫外波段具有杂化四极子的Ag纳米材料及其制备方法
- 本发明提供一种紫外波段具有杂化四极子的Ag纳米材料及其制备方法，属于金属表面等离子体材料技术领域。该方法在蓝宝石衬底上利用金属溅射设备通过控制溅射电流和溅射时间制备Ag纳米颗粒膜，然后在惰性气氛中，将得到的Ag纳米颗粒膜...
- 陈洪宇刘可为姜明明张振中赵东旭谢修华申德振
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- 不同生长条件下ZnO薄膜电学性质的研究
- 2013年
- ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿,从而对p型掺杂造成障碍,了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究。本文采用分子束外延技术在不同真空度下在a面蓝宝石衬底上生长了一系列氧化锌薄膜,发现在低真空度下生长的样品的载流子浓度较高,为1019cm-3量级;而高真空度下生长的样品,其载流子浓度比低真空生长的样品显著降低,降低了3个数量级。在相同条件下生长的样品,通过不同的后处理手段进行处理后,其电子浓度未发生明显变化,说明氧空位等本征缺陷不是ZnO薄膜中电子的主要来源,高背景电子浓度应该与生长过程中非故意引入的杂质相关。通过低温光致发光表征,发现低真空度下生长的样品在低温下3.366 eV处有强的施主束缚激子发光峰,而高真空度下生长的样品的此发光峰显著变弱。由此,高电子浓度被归结为与生长过程中非故意引入的氢杂质相关。
- 赵鹏程张振中姚斌李炳辉王双鹏姜明明赵东旭单崇新刘雷申德振
- 关键词：ZNO
- 低切损激光切割锯
- 本发明公开了一种低切损激光切割锯，属于半导体器件技术领域。解决了现有技术中硅锭的切割方法切损率高，切割晶圆直径受限制，生产效率低的技术问题。本发明的切割锯包括：激光器组、耦合装置、光纤组、箔带、导轨、支架和驱动控制装置，...
- 张振中王双鹏姜明明李炳辉申德振
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- 低温外延生长平整ZnO薄膜被引量：5
- 2014年
- 在较低温度下实现平整ZnO薄膜的生长有利于ZnO的可控p型掺杂以及获得陡峭异质界面.本文使用分子束外延方法,采用a面蓝宝石为衬底,在450℃下生长了一系列ZnO薄膜样品.在富氧生长的条件下,固定氧流量不变,通过调节锌源温度来改变锌束流,以此调控生长速率.样品的生长速率为40～100 nm/h.通过扫描电镜(SEM)表征发现:在高锌束流的生长条件下,样品表面有很多不规则的颗粒；降低锌的供应量后,样品表面逐渐平整.原子力显微镜(AFM)测试结果表明:样品的均方根表面粗糙度(RMS)只有0.238 nm,接近于原子级平整度.这种平整表面的获得得益于较低的生长速率,以及ZnO外延薄膜与a面蓝宝石衬底之间小的晶格失配.
- 赵鹏程张振中姚斌李炳辉王双鹏姜明明赵东旭单崇新赵海峰刘雷申德振
- 关键词：ZNO分子束外延生长温度
- 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长被引量：1
- 2014年
- 为了实现MgZnO合金带隙全跨度调制,利用低压MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上采用MgO籽晶层和组分渐变缓冲层控制立方相MgxZn1-xO薄膜的生长,获得了Zn组分达到0.7的单一立方相MgxZn1-xO薄膜,把MgZnO合金带隙调制范围从MgO一侧扩展到了4.45 eV,覆盖了整个日盲紫外波段。对比实验分析表明,这种高Zn组分立方相MgZnO薄膜的生长得益于缓冲层晶格模板的结构诱导作用和适宜的生长温度(350~400℃)。Mg0.3Zn0.7O基MSM结构紫外探测器响应峰位于270 nm,截止波长295 nm。
- 郑剑张振中王立昆韩舜张吉英刘益春王双鹏姜明明李炳辉赵东旭刘雷刘可为单崇新申德振
- 关键词：缓冲层
- 采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法
- 本发明公开了一种采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法，属于磁控溅射法制备薄膜技术领域。解决了现有技术中采用金属靶制备金属氧化物薄膜的制备成本高、溅射不均匀，采用氧化物陶瓷靶制备氧化物薄膜时，沉积速率低的技术问题。本发明...
- 张振中申德振武晓杰王双鹏姜明明李炳辉
- 文献传递
- 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响被引量：2
- 2014年
- 利用分子束外延设备在蓝宝石衬底上生长了B/N共掺的p型ZnO薄膜,对比了B/N共掺和N单掺杂样品的物理学性能。通过X射线光电子能谱测试证明了在薄膜中存在有B和B—N键。B/N共掺样品的空穴浓度比单一N掺杂样品高近两个量级。且ZnO∶(B,N)薄膜在两年多的时间内一直显示稳定的p型电导。这是由于B—N键的存在提高了N在ZnO薄膜中的固溶度,且B—N键之间强的键能和B占据Zn位所表现的弱施主特性不会带来强的施主补偿效应,说明B是N掺杂ZnO薄膜的一种良好的共掺元素。
- 赵鹏程张振中姚斌李炳辉王双鹏姜明明赵东旭单崇新刘雷申德振
- 关键词：ZNOP型掺杂
- m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文)
- 2014年
- 由于在日盲紫外探测方面的应用前景,具有合适带隙的MgZnO合金半导体薄膜受到越来越多的关注。获得具有择优取向的单一相MgZnO对提升MgZnO基日盲紫外探测器性能至关重要。本文利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)方法在m面蓝宝石衬底上制备了一系列不同组分的MgxZn1-xO薄膜。光学和结构特性测试结果表明:Zn摩尔分数达到55%的Mg0.45Zn0.55O薄膜依然是单一立方相,其光学带隙可以达到4.7 eV。立方岩盐结构MgZnO与m面蓝宝石衬底的外延结构关系为(110)MgZnO‖(1010)sapphire、[001]MgZnO‖[1210]sapphire和[110]MgZnO‖[0001]sapphire。唯一确定的面内取向有利于薄膜晶体质量的提高。基于(110)取向立方相Mg0.45Zn0.55O薄膜制备金属-半导体-金属(MSM)结构器件,获得了光响应峰在260 nm、光响应截止波长278 nm的日盲紫外探测器。
- 郑剑张振中张吉英刘益春王双鹏姜明明陈星李炳辉赵东旭刘雷王立昆单崇新申德振
- 关键词：MOCVD
