刘茂哲
- 作品数:17 被引量:17H指数:3
- 供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:自动化与计算机技术电子电信金属学及工艺机械工程更多>>
- 绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备被引量:6
- 2008年
- 传统半导体清洗技术无法对硅片上的微小器件间的缝隙和线条进行有效清洗,以超临界二氧化碳为媒体的清洗技术则可克服上述缺点。超临界二氧化碳具有零表面张力、低黏度、强扩散能力和溶解能力等特性,并且无毒无臭、可以循环使用,在下一代半导体清洗和清洗后的干燥过程中有极强的应用前景。提出了一种绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备,它可实现超流体清洗和超临界干燥,二氧化碳循环使用,属于新型高效的下一代绿色半导体清洗设备。
- 高超群李全宝刘茂哲景玉鹏
- 关键词:超临界二氧化碳
- 基于单晶硅梁的静电RF MEMS开关被引量:3
- 2007年
- RFMEMS开关是低功耗、低损耗高频通讯电路和系统的关键部件,静电驱动RFMEMS开关因具有零直流功耗、开关时间短、结构简单、易集成的优点而成为研究热点,但是驱动电压高、薄膜应力变形严重、寿命短等问题制约了其发展,提出了一种基于单晶硅梁的推拉式静电RFMEMS开关结构,能够解决静电RFMEMS现有的缺陷。
- 刘茂哲景玉鹏李全宝焦斌斌黄钦文李超波欧毅陈大鹏叶甜春
- 关键词:射频微机械开关静电驱动
- 电磁驱动RFMEMS开关的研究状况被引量:2
- 2007年
- RFMEMS技术在民用和军事方面有巨大的潜力,作为其核心器件的RFMEMS开关很有希望在雷达和通信领域之中成为关键器件。电磁驱动RFMEMS开关具有工作电压比较低,驱动力大,可以工作在恶劣的环境等优点,使其成为近年来RFMEMS开关研究的一个热点。
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- 关键词:MEMS技术MEMS开关电磁驱动工作电压驱动力
- 绿色二氧化碳超临界清洗设备被引量:7
- 2008年
- 半导体IC清洗技术由于水溶液的表面张力大而无法进入硅片上器件的狭缝与电路线条间隙中进行清洗,同时不易干燥,且干燥时会造成二次污染,从而使得整个工艺耗水量大且清洗效果不佳。以超临界流体为媒体的清洗技术是克服以上缺点的最佳途径。提出并研制了一种绿色二氧化碳超临界清洗设备,它利用超流体二氧化碳来进行硅片的清洗和无张力的超临界干燥,而且该设备还可以对微细结构进行无粘连的牺牲层释放。设备的成本低,二氧化碳使用量少,并且可以循环使用,属于绿色无污染的新型半导体清洗设备。
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- 关键词:超临界流体
- 一种静电推拉式单晶硅梁射频微机电系统开关
- 本发明涉及射频微机电系统技术领域,公开了一种静电推拉式单晶硅梁射频微机电系统开关,包括开关可动部分和开关不可动部分;所述开关可动部分由SOI的顶层单晶硅形成,在该开关可动部分两端的上侧面分别有下电极和接触点;所述开关不可...
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- 文献传递
- 绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备
- 本发明公开了一种绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备,用于半导体晶片的无水清洗。该设备主要包括带温度和压力控制的主工作腔(进行超流体清洗和超临界干燥)、分离二氧化碳和清洗废液的分离腔、存放增强清洗效果的清洗剂及助溶剂的暂存腔...
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- 文献传递
- 一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置
- 本发明公开了一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置,包括:超临界干燥室,用于牺牲层的释放,由高压反应室和温度控制室组成;高压反应室用于盛放硅片支架,提供二氧化碳置换和气化干燥的反应室,与二氧化碳气瓶相连,且高压反应室的外...
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- 文献传递
- 一种半导体制冷的超临界二氧化碳清洗装置
- 本发明公开了一种半导体制冷的超临界二氧化碳清洗装置,该装置包括:超临界清洗室,用于硅片的清洗,由高压反应室4和温度控制室5组成;其中,所述高压反应室4位于温度控制室5的上方,用于盛放硅片支架,提供二氧化碳气化清洗的反应室...
- 刘茂哲高超群李金宝景玉鹏李超波
- 文献传递
- 翘板式射频MEMS开关的研究被引量:1
- 2008年
- 提出了一种新型的翘板式静电射频微系统开关,给出了理论模拟,结构分析结果和工艺制作方法。该结构采用了5μm厚的无应力单晶硅作为开关的可动部分,可以缓解薄膜应力变形。翘板式结构解决了传统静电设计中动作力弱的问题,并且通过调整支点解决了开关回复力不可调的难题。利用该结构可以在保持高隔离度的同时使驱动电压降低,有限元理论模拟驱动电压为5~10V;采用翘板式结构增加了开关的使用周期,而且结构自身具有单刀双掷特点,可以直接应用于高频通信的频道选择。给出了开关共面波导传输线的测试结果和设计讨论。
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- 关键词:射频开关静电驱动
- 一种静电推拉式单晶硅梁射频微机电系统开关
- 本发明涉及射频微机电系统技术领域,公开了一种静电推拉式单晶硅梁射频微机电系统开关,包括开关可动部分和开关不可动部分;所述开关可动部分由SOI的顶层单晶硅形成,在该开关可动部分两端的上侧面分别有下电极和接触点;所述开关不可...
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