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诸葛菁

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇纳米
  • 10篇纳米线
  • 10篇硅纳米线
  • 8篇选择比
  • 8篇氧化层
  • 8篇栅氧化
  • 8篇栅氧化层
  • 8篇瞬态响应
  • 6篇电路
  • 6篇刻蚀
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 4篇湿法腐蚀
  • 4篇逻辑电路
  • 4篇晶体管
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 2篇电流
  • 2篇电流方向
  • 2篇多晶硅栅

机构

  • 13篇北京大学

作者

  • 13篇诸葛菁
  • 12篇黄如
  • 10篇樊捷闻
  • 10篇黄欣
  • 8篇王润声
  • 8篇艾玉杰
  • 2篇吴大可
  • 2篇周发龙
  • 2篇张兴
  • 2篇姜子臻
  • 2篇林增明
  • 1篇王鹏飞
  • 1篇田豫

年份

  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 5篇2011
  • 2篇2007
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法
本发明提供了一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法，包括：隔离并淀积SiN；淀积SiO<Sub>2</Sub>；定义沟道区和大源漏区；将光刻胶上的图形转移到SiN和SiO<Sub>2</Sub>硬掩膜上；淀积与Si...
黄如诸葛菁樊捷闻艾玉杰王润声黄欣
一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法
本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。方法包括：隔离并淀积与Si有高刻蚀选择比的材料A；光刻定义Fin条硬掩膜；刻蚀材料A，形成Fin条的硬掩膜；源漏注入；光刻定义沟道区和大源漏区；形成Si Fin...
黄如诸葛菁樊捷闻艾玉杰王润声黄欣
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一种场效应晶体管自加热效应的温度测量方法
本发明公开了一种场效应晶体管自加热效应的温度的测量方法。本发明的测量方法使用亚阈电流作为温度计，通过编写栅端、源端和漏端的偏压波形，使器件电流在亚阈电流I<Sub>sub</Sub>和开态电流I<Sub>on</Sub>...
黄如黄欣林增明诸葛菁樊捷闻姜子臻
以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法
本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。包括：隔离并淀积与Si有高刻蚀选择比的材料；定义Fin硬掩膜；形成Si Fin条；淀积多晶硅；注入多晶硅；淀积SiN；定义沟道和大源漏区；形成Si Fin和大源...
黄如诸葛菁樊捷闻艾玉杰王润声黄欣
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一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法
本发明提供了一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法，包括：隔离并淀积SiN；淀积SiO<Sub>2</Sub>；定义沟道区和大源漏区；将光刻胶上的图形转移到SiN和SiO<Sub>2</Sub>硬掩膜上；淀积与Si...
黄如诸葛菁樊捷闻艾玉杰王润声黄欣
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一种双鳍型沟道围栅场效应晶体管及其制备方法
本发明提供了一种双鳍型沟道围栅场效应晶体，属于超大规模集成电路中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于体硅衬底，沟道被栅氧和多晶硅栅围绕、形成围栅结构，源和漏都与体硅衬底相连，沟道为两个完全相同的截面...
周发龙吴大可黄如王鹏飞诸葛菁张兴
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空气侧墙围栅硅纳米线晶体管的制备方法
本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。包括：隔离并淀积SiO<Sub>2</Sub>；定义纳米线区域和大源漏区域；将光刻胶上的图形转移到SiO<Sub>2</Sub>硬掩膜上；淀积与Si有高刻蚀选择...
黄如诸葛菁樊捷闻艾玉杰王润声黄欣
一种双硅纳米线围栅场效应晶体管及其制备方法
本发明提供一种双硅纳米线围栅场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于体硅衬底，沟道是完全相同的剖面结构为圆形的双硅纳米线，双硅纳米线被栅氧和多...
周发龙吴大可黄如诸葛菁田豫张兴
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一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法
本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。方法包括：隔离并淀积与Si有高刻蚀选择比的材料A；光刻定义Fin条硬掩膜；刻蚀材料A，形成Fin条的硬掩膜；源漏注入；光刻定义沟道区和大源漏区；形成Si Fin...
黄如诸葛菁樊捷闻艾玉杰王润声黄欣
空气侧墙围栅硅纳米线晶体管的制备方法
本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。包括：隔离并淀积SiO<Sub>2</Sub>；定义纳米线区域和大源漏区域；将光刻胶上的图形转移到SiO<Sub>2</Sub>硬掩膜上；淀积与Si有高刻蚀选择...
黄如诸葛菁樊捷闻艾玉杰王润声黄欣
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