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领域

  • 3篇电气工程
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主题

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机构

  • 4篇武汉理工大学

作者

  • 4篇沈峰
  • 3篇夏冬林
  • 3篇赵修建
  • 2篇李蔚
  • 1篇王慧芳
  • 1篇郝江波
  • 1篇李坤
  • 1篇潘震
  • 1篇赵青南
  • 1篇杨晟
  • 1篇韩建军
  • 1篇倪佳苗
  • 1篇周学东

传媒

  • 1篇武汉理工大学...
  • 1篇第九届中国太...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
CuIn1-xGaxSe2太阳能电池薄膜电沉积制备与性能研究
Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳能电池由于具有高的光电转换效率、低的制造成本以及稳定的光电性能而成为国际光伏界研究的热点.采用Mo/钠钙玻璃衬底为研究电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,铂网电极为辅助电极...
夏冬林沈峰李坤赵修建
关键词:电沉积太阳能电池电学性能
文献传递
PECVD法制备P型非晶硅薄膜及多晶硅薄膜
硅薄膜太阳能电池相对于单晶硅和多晶硅太阳能电池而言,具有所消耗硅材料少,成本低的特点,尤其是廉价衬底的引入,使硅基薄膜太阳能电池在成本控制方面具有更强的市场竞争力。非晶硅薄膜太阳能电池是目前光伏市场研究热点,多晶硅薄膜以...
沈峰
关键词:多晶硅薄膜等离子增强化学气相沉积光电性能
文献传递
沉积功率对多晶硅薄膜结构和光学性质的影响被引量:3
2007年
采用等离子体化学汽相沉积(PECVD)方法在普通玻璃衬底上制备出多晶硅薄膜。研究了在不同沉积功率下的薄膜的沉积速率、晶相结构、吸收系数和光学禁带宽度。实验结果表明,沉积功率为140W时薄膜沉积速率最大,达到7.8nm/min。沉积功率为30W多晶硅薄膜的晶粒较大,平均尺寸200nm左右。沉积功率为100W薄膜有较高结晶度,晶化率达到68%。薄膜样品在波长为500nm的光吸收系数达到6×10^4cm^-1,在不同功率下样品的光学禁带宽度在1.70—1.85eV之间变化。
沈峰夏冬林李蔚赵修建
关键词:多晶硅薄膜沉积速率光学带隙
硅薄膜太阳能电池的关键制备技术
赵修建夏冬林赵青南韩建军周学东杨晟郝江波沈峰李蔚王慧芳倪佳苗潘震
该课题属武汉市科技攻关项目。该项目是针对中国面临的能源危机和环境保护的热门研究领域,深入研究在普通平板玻璃上制备a-Si、poly-Si薄膜太阳能电池。该项目的研究对发展新的环境协调型材料和生态建筑材料、保护环境和实现可...
关键词:
关键词:建筑材料
共1页<1>
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