梁雁
- 作品数：13 被引量：22H指数：4
- 供职机构：中国核工业集团公司核工业西南物理研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：核科学技术理学一般工业技术更多>>
- HL-1M 装置硼化膜的研究被引量：1
- 1998年
- ＨＬ－１Ｍ装置采用Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２蒸气对真空室内壁进行了原位硼化，取得了满意的效果。采用沉积探针技术并结合四极质谱分析技术对膜的成分、热解释性能、Ｄ＋束辐照化学腐蚀性能、ＨＬ－１Ｍ装置第一壁成膜的平均速率和膜厚的均匀度以及硼化前后的碳、氧杂质和放电期间器壁再循环特性进行了研究。
- 王明旭张年满王志文王恩耀邓冬生洪文玉崔成和梁雁朱毓坤
- 关键词：第一壁硼化膜性能托卡马克
- HL-1M 装置的氦辉光放电清洗的清除率研究
- 1998年
- 通过对ＨＬ－１Ｍ的氦直流辉光放电清洗（ＨｅＧＤＣ）的放电特点和清除效率的研究，发现环形真空室的对称性导致与阳极截面相对称的区域的场强很弱，使其阴极位降区的厚度远大于氦离子的平均自由程，严重影响辉光清除效率。提出采用多电极不对称阳极电位的辉光放电来提高清除效率。
- 王志文张年满王明旭严东海崔成和梁雁
- 关键词：氦清除率托卡马克装置
- HL-1M 装置原位硅化涂层的研究被引量：6
- 1998年
- ＨＬ－１Ｍ装置采用硅化技术，大大改善了第一壁条件，提高了等离子体约束性能。对ＨＬ－１Ｍ装置的硅化涂层性能以及对等离子体杂质、热辐射和再循环进行了研究，并对装置抽气扁管内壁状态进行了分析描述。
- 王明旭张年满王志文王恩耀严东海崔成河梁雁
- 关键词：等离子体杂质热辐射托卡马克
- HL-1M装置内壁锂涂覆实验
- -1M装置运行期间，一直在探索适合本装置的壁处理技术，分别研究了硼化、硅化和锂涂覆技术。其中，硅化已成为装置的常规壁处理技术，锂涂覆技术还在探索中。该文详细介绍了HL-1M装置锂化技术的进展、锂化效果和锂化后的内壁状态以...
- 王明旭张年满王志文王恩耀严东海崔成河梁雁
- HL-1M装置真空室硅化的研究被引量：4
- 2001年
- GDC(He +SiH4 )是为HL 1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下 ,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子 分子反应和在壁面上的He+ 诱导脱H2 过程 ,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅 (α Si∶H)薄膜。氢化硅具有良好的H(D)捕获、H2 (D2 )释放 ,能显著地降低再循环系数 ,有效地控制杂质水平 ,大大拓宽了HL 1M装置的运行范围 ,为HL 1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件。
- 严东海王恩耀崔成和梁雁许正华张炜刘建宏黄永康
- 关键词：硅化再循环HL-1M装置真空室
- HL-1M装置氦辉光放电清洗的实验研究被引量：4
- 2002年
- 氦辉光放电清洗 (GDC(He) )是HL - 1M (环流器新一号 )托卡马克装置控制C、O杂质、壁H再循环和改善真空壁条件的有效方法。它与泰勒放电清洗 (TDC)、交流放电清洗 (AC)、电子回旋共振放电清洗 (ECR)相比 ,设备简单、不需要磁场且操作安全 ;与烘烤去气相比 ,它对环形真空室壁的去气率高 ,本底杂质浓度低。分别描述了去O、去C和去H的清洗模式 。
- 王志文严东海张年满崔成和梁雁
- 关键词：HL-1M装置氦辉光放电托卡马克装置
- HL-1M 装置的真空进展被引量：5
- 1999年
- 总结了１９９４ 至１９９８ 年度ＨＬ－１Ｍ 装置的真空进展，包括真空壁条件、真空运行参数、放电进展。
- 严东海王恩耀王志文许正华崔成和梁雁张炜刘建宏黄永康
- 关键词：HL-1M装置
- HL-1M装置器壁锻炼
- 2002年
- HL-1M装置运行的7年中，系统地研究了器壁原位清洗、原位硼化、硅化、锂化和锂-硅复合处理以及涂层的原位清除技术。由于原位硅化具有稳定、良好的杂质和再循环控制能力，使其成为HL-1M装置进行改善等离子体约束实验必不可少的壁处理手段。锂-硅复合壁具有锂壁的低杂质、低氢再循环和低辐射能量，又具有硅化壁长寿命的特点，是目前最佳的壁处理手段。He-GDC取代了H2-TDC，在器壁原位清洗、器壁原位处理和涂层原位清除中扮演了重要角色。
- 王明旭张年满王志文邓冬生严东海崔成和梁雁王恩耀刘永朱毓坤
- 关键词：HL-1M装置硅化再循环涂层
- HL-1M装置氦辉光放电清洗的清除率研究
- 1998年
- 通过对ＨＬ－１Ｍ装置的氦直流辉光放电清洗（Ｈｅ－ＧＤＣ）的放电特点和清除率的研究，发现环形真空室的对称性导致与阳极截面对称的区域的场强很弱，使其阴极位降区的厚度远大于氦离子的平均自由程，严重影响清除率，因此提出采用多电极不对称阳极电位的辉光放电来提高清除率；同时发现，辉光放电清洗使氢分压比托卡马克放电的送氢压强低一个量级以上，才能重复进行好的有辅助加料的托卡马克放电。
- 王志文张年满王明旭严东海崔成和梁雁
- 关键词：氦直流辉光放电清除率托卡马克装置
- HL-1M装置第一壁锂-硅复合涂层及其效果被引量：1
- 2002年
- 在HL 1M装置上新开发出一种第一壁原位锂 硅复合涂覆技术。装置涂覆后 ,真空室内的真空度上升 ,杂质气体的分压强下降 ,低于单一的硅化或锂涂覆。在相同放电参数下 ,具有锂 硅涂层的放电与原位硅化放电相比 :等离子体中的碳、氧杂质浓度下降了 30 % ,尤其是随着等离子体密度上升碳杂质下降得更显著 ;等离子体能量辐射损失降低了 2 5 % ;等离子体边缘温度和密度有所降低 ,这表明等离子体内部约束得到改善。有原位锂 硅复合涂覆的放电结果略好于或同于单一原位锂涂覆放电的结果 ,但这种复合涂层能维持 10 0余次托卡马克放电 ,较单一原位锂涂层维持的放电次数高一个数量级 ,这证明了锂 硅复合涂覆技术的优异性能。
- 王明旭张年满邓冬生严东海崔成和梁雁刘永
- 关键词：HL-1M装置第一壁等离子体
