严东海
- 作品数:39 被引量:53H指数:5
- 供职机构:中国核工业集团公司核工业西南物理研究院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:核科学技术一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- HL-1装置的金属杂质沉积实验
- 1993年
- 采用立体探针与二次离子质谱计(SIMS)分析相结合,对HL-1装置刮削层空间的杂质沉积特性和分布规律进行了实验研究。测量了在石墨活动孔栏条件下,立体探针表面杂质沉积的径向分布,纵向分布,极向分布和H^+剖面分布。并讨论了实验结果。
- 严东海孙守祁姚良骅张年满王明旭
- 关键词:托卡马克装置
- HL-1M 装置的真空进展被引量:5
- 1999年
- 总结了1994 至1998 年度HL-1M 装置的真空进展,包括真空壁条件、真空运行参数、放电进展。
- 严东海王恩耀王志文许正华崔成和梁雁张炜刘建宏黄永康
- 关键词:HL-1M装置
- HL—1M装置硼化,硅化和锂化壁的出气特性
- 1997年
- 借助QMS诊断技术,完成了HL-1M装置B化,Si化与Li化壁的出气特性的对比实验研究。GDC期间,H2出气占支配地位,杂质分压与H2分压成正比,GDC后的本底放气率较同时间烘烤去气后低;GDC(He+H2)是去除膜的有效方法;B化、Si化和Li化壁相比,托卡马了放电后的H2出量绋1:0.13:0.21。其中B化壁H2出气量主于ss壁,Si化和Li化壁则低于ss壁,出H2量/送H2量,ss壁为0.
- 严东海王恩耀
- 关键词:托卡马克装置
- HL-1M装置内壁锂涂覆实验
- -1M装置运行期间,一直在探索适合本装置的壁处理技术,分别研究了硼化、硅化和锂涂覆技术。其中,硅化已成为装置的常规壁处理技术,锂涂覆技术还在探索中。该文详细介绍了HL-1M装置锂化技术的进展、锂化效果和锂化后的内壁状态以...
- 王明旭张年满王志文王恩耀严东海崔成河梁雁
- 混合气体组合放电清洗在HL-1装置上的实验研究被引量:2
- 1991年
- 在HL-1装置上进行混合气体H_2+H_e,H_2+N_e,H_2+K_r和N_2+X_e交流(50Hz)放电锻炼孔栏(1/8石墨,7/8钼)和GH39不锈钢真空室表面,其清洗效果明显地好于通常低功率纯氢气放电清洗(TDC,GDC和ECR-DC),并能有效地降低裸金属和碳化器壁表面氢气体库贮量,有利于托卡马克放电氢再循环控制,为高密度和低q放电提供了洁净的器壁和环境。上述混合气体交流放电结合2.45GHz电子回旋共振(ECR)放电,取得了更好的清洗效果。本文对这种高效、快速清洗方法的机制作了简单分析。
- 姚良骅孙守祁严东海徐德明张宏荫杨本忠傅卫东曹曾杨青巍杨式坤
- 关键词:混合气体HL-1装置
- 托卡马克中的超高真空技术被引量:6
- 2000年
- 超高真空技术对于现代托卡马克的设计运行、升级和氘 -氚验证实验都起着举足轻重的作用 ,它对先进高密度偏滤器和下一代托卡马克工程堆也有很大的影响。同时 ,聚变研究的许多新概念也促使了高真空技术的革新。三十五年来 ,等离子体密度、杂质和壁条件的控制与真空检漏、烘烤去气、放电清洗、壁处理、氢 (氘、氚 )的捕获、释放和再循环、壁腐蚀和再沉积等密切地联系在一起 ;高性能的真空室、耐烘烤和振动的超高真空密封、先进的面向等离子体组件、有效的壁处理方法、大抽速泵组等的研制成果为控制等离子体与壁的相互作用、改善聚变三乘积 (ni TiτE)
- 严东海王志文王明旭王恩耀
- 关键词:超高真空托卡马克
- HL-1M 装置的氦辉光放电清洗的清除率研究
- 1998年
- 通过对HL-1M的氦直流辉光放电清洗(HeGDC)的放电特点和清除效率的研究,发现环形真空室的对称性导致与阳极截面相对称的区域的场强很弱,使其阴极位降区的厚度远大于氦离子的平均自由程,严重影响辉光清除效率。提出采用多电极不对称阳极电位的辉光放电来提高清除效率。
- 王志文张年满王明旭严东海崔成和梁雁
- 关键词:氦清除率托卡马克装置
- HL-1M 装置原位硅化涂层的研究被引量:6
- 1998年
- HL-1M装置采用硅化技术,大大改善了第一壁条件,提高了等离子体约束性能。对HL-1M装置的硅化涂层性能以及对等离子体杂质、热辐射和再循环进行了研究,并对装置抽气扁管内壁状态进行了分析描述。
- 王明旭张年满王志文王恩耀严东海崔成河梁雁
- 关键词:等离子体杂质热辐射托卡马克
- HL—1M装置的真空现状
- 1999年
- 本文主要总结了94至98年度HL-1M装置的真空进展,包括真空壁条件;真空运行参数;放电进展;影响壁条件的主要因素及其控制指标等。
- 严东海王恩跃
- 关键词:托卡马克装置
- HL-1M装置真空室硅化的研究被引量:4
- 2001年
- GDC(He +SiH4 )是为HL 1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下 ,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子 分子反应和在壁面上的He+ 诱导脱H2 过程 ,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅 (α Si∶H)薄膜。氢化硅具有良好的H(D)捕获、H2 (D2 )释放 ,能显著地降低再循环系数 ,有效地控制杂质水平 ,大大拓宽了HL 1M装置的运行范围 ,为HL 1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件。
- 严东海王恩耀崔成和梁雁许正华张炜刘建宏黄永康
- 关键词:硅化再循环HL-1M装置真空室