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杨静

作品数：87 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 78篇专利
  • 7篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 33篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 35篇激光
  • 35篇激光器
  • 34篇氮化镓
  • 18篇波导
  • 16篇外延片
  • 13篇阻挡层
  • 12篇多量子阱
  • 12篇非掺杂
  • 11篇氮化镓基激光...
  • 11篇载流子
  • 10篇电子阻挡层
  • 9篇退火
  • 9篇紫外激光
  • 9篇紫外激光器
  • 9篇蓝宝
  • 9篇蓝宝石
  • 9篇光场
  • 9篇发光
  • 9篇成核
  • 8篇电阻率

机构

  • 87篇中国科学院
  • 1篇北京科技大学
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇化工研究院

作者

  • 87篇杨静
  • 86篇赵德刚
  • 66篇刘宗顺
  • 55篇陈平
  • 48篇梁锋
  • 32篇朱建军
  • 16篇江德生
  • 13篇何晓光
  • 13篇乐伶聪
  • 13篇李晓静
  • 4篇杨辉
  • 3篇陈振宇
  • 3篇刘炜
  • 2篇吴亮亮
  • 2篇李翔
  • 2篇赵丹梅
  • 2篇李亮
  • 1篇郑新和

传媒

  • 4篇第十四届全国...
  • 2篇第13届全国...
  • 1篇中国激光
  • 1篇半导体光电

年份

  • 10篇2024
  • 9篇2023
  • 10篇2022
  • 9篇2021
  • 12篇2020
  • 6篇2019
  • 4篇2018
  • 5篇2017
  • 7篇2016
  • 3篇2015
  • 11篇2014
  • 1篇2013
共 87 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于P型氮化镓的欧姆接触生成方法及半导体器件
本发明提供一种基于P型氮化镓的欧姆接触生成方法及半导体器件，涉及半导体技术领域，其中方法包括：在衬底上制备外延结构，外延结构包括以下至少一项：氮化镓缓冲层、非故意掺杂氮化镓层、第一掺镁P型氮化镓层及第二掺镁P型氮化镓层；...
梁锋赵德刚刘宗顺杨静
非故意掺杂碳杂质对Mg掺GaN层电学和光学性质的影响
众所周知,MOCVD生长系统使用金属有机源作为前驱体,所以C杂质是一种非常重要的非故意掺杂杂质.C杂质在GaN中可以形成多种形态,它既可以代替N的位置充当施主(CN),也可以代替Ga的位置充当受主(C Ga),还可以形成...
杨静赵德刚
一种紫外激光器外延片及其制备方法
本发明公开了一种紫外激光器外延片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该制备方法包括：在非掺杂基础层上制备非掺杂过渡层，其中，非掺杂基础层包括非掺杂GaN基础层或非掺杂AlN基础层；在非掺杂过渡层上制备第一AlGaN限制...
杨静赵德刚梁锋陈平刘宗顺
一种提高空穴注入的氮化镓基激光器
本公开提供了一种提高空穴注入的氮化镓基激光器，包括P型电极和N型电极，还包括：第一限制层，设置于所述P型电极和所述N型电极之间，用于限制光场；多量子阱，设置于所述第一限制层与所述N型电极之间，用于使电子和空穴在此处发生辐...
侯玉菲赵德刚梁锋杨静陈平刘宗顺
文献传递
减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法
一种减小GaN基蓝紫光端发射激光器中电子泄漏的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上依序制作低温成核层、n型接触和电流扩展层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、InGaN/GaN量子阱有源区、InGaN插入层...
乐伶聪赵德刚江德生刘宗顺陈平杨静何晓光李晓静杨辉
具有AlInN镁反向扩散阻挡层的氮化镓基紫外激光器
一种具有AlInN镁反向扩散阻挡层的氮化镓基紫外激光器包括一氮化镓同质衬底；一n型同质外延层；一n型限制层；一n型波导层；一有源区；一AlInN镁反向扩散阻挡层；一p型电子阻挡层；一p型波导层；一p型限制层，其制作在p型...
陈平赵德刚朱建军刘宗顺杨静梁锋
文献传递
具有复合波导层的氮化镓基近紫外激光器
一种具有复合波导层的氮化镓基近紫外激光器包括一衬底；一n型外延层；一n型限制层；一第一n型AlInN波导层；一第二n型AlInN波导层；一有源区；一AlInN波导层；一p型电子阻挡层；一p型AlInN波导层；一p型限制层...
陈平赵德刚朱建军刘宗顺杨静梁锋
文献传递
应力调控波导层绿光激光器外延片及其制备方法
一种应力调控波导层绿光激光器外延片，包括：一衬底；一高温n型GaN层制作在衬底上；一高温n型AlGaN限制层制作在高温n型GaN层上；一应力调控下波导层制作在高温n型AlGaN限制层上；一InGaN/GaN多量子阱发光层...
杨静赵德刚陈平朱建军刘宗顺
文献传递
一种氮化镓的制备方法及氮化镓基器件
本公开实施例提供了一种氮化镓的制备方法及氮化镓基器件，该制备方法包括：提供衬底；在上述衬底上生长低温成核层；以及在反应室的温度处于1000℃～1100℃且上述反应室的压力处于100Torr～300Torr的情况下，在上述...
王柏斌赵德刚梁锋杨静陈平刘宗顺
低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法
一种低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底升温，在氢材料气环境下热处理；步骤2：在衬底上生长一层低温成核层，为后续外延生长提供成核中心；步骤3：在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层；步骤4...
杨静赵德刚陈平刘宗顺江德生
文献传递
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