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许居衍

作品数：7 被引量：6H指数：2
供职机构：东南大学更多>>
发文基金：江苏省青年科技基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇异质结
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇晶体管
  • 2篇SIGE_H...
  • 2篇HBT
  • 1篇电流
  • 1篇电流传输
  • 1篇电压
  • 1篇电压倍增器
  • 1篇电子对抗
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇优化设计
  • 1篇锗化硅
  • 1篇只读存贮器
  • 1篇升压
  • 1篇升压电路
  • 1篇输出电压
  • 1篇数-模转换器

机构

  • 7篇东南大学
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 7篇许居衍
  • 4篇于宗光
  • 4篇魏同立
  • 2篇孟令杰
  • 1篇孔德义
  • 1篇李垚
  • 1篇徐爱华
  • 1篇郑茳
  • 1篇赵晖
  • 1篇魏敬和
  • 1篇廖小平
  • 1篇李垚

传媒

  • 2篇应用科学学报
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇东南大学学报...

年份

  • 2篇2000
  • 2篇1997
  • 3篇1995
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
相位量化器专用芯片
1995年
相位量化器专用芯片于宗光，徐爱华，王冠仁，许居衍（华晶电子集团公司中央研究所，无锡，２１４０３５）孟令杰，魏同立（东南大学，南京，２１００９６）ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎＳｐｅｃｉａｌｉｚｅｄＣｈｉｐｓｆｏｒＰｈａｓｅＱｕａｎｔｉｚｉｎｇ￥ＹｕＺｏｎｇｇ...
于宗光徐爱华王冠仁许居衍孟令杰魏同立
关键词：芯片电子对抗
高输出电压的D／A转换器
1995年
高输出电压的Ｄ／Ａ转换器于宗光，常桂兰，赵晖，周一峰，华晓波，许居衍（华晶电子集团公司中央研究所，无锡，２１４０３５）孟令杰，魏同立（东南大学，南京，２１００９６）ＡＤ／ＡＣｏｎｖｅｒｔｏｒｗｉｔｈＨｉｇｈ－ｖｏｌｔａｇｅＯｕｔｐｕｔ￥ＹｕＺｏｎｇｇ...
于宗光常桂兰赵晖周一峰华晓波许居衍孟令杰魏同立
关键词：数-模转换器输出电压
超薄基区SiGe HBT基区渡越时间模型
2000年
通过分析ＳｉＧｅ ＨＢＴ超薄基区中非平衡效应对载流子温度，扩散系数等参量的影响，建立了超薄ＳｉＧｅＨＢＴ基区渡越时间模型。
李垚廖小平吴晓洁魏同立许居衍
关键词：SIGE异质结双极晶体管HBT
改进的电压倍增器模型及其应用被引量：2
1997年
分析了Ｄｉｃｋｓｏｎ电压倍增器模型的局限性，提出了适用于Ｎ阱硅栅ＣＭＯＳ工艺的电压倍增器模型．用该模型研究了升压值与升压级数、升压时钟、升压管尺寸等的关系．模型计算结果和ＳＰＩＣＥ模拟结果吻合良好．在考虑了电流驱动能力后。
于宗光魏同立许居衍许居衍
关键词：电压倍增器升压电路CMOS
超薄基区SiGe HBT电流传输模型被引量：1
2000年
从玻尔兹曼方程出发，分析了ＳｉＧｅ ＨＢＴ超薄基区中载流子温度，扩散系数等参量的变化，建立了不同于常规基区宽度的新的超薄基区ＳｉＧｅ ＨＢＴ电流传输模型．
李垚孔德义魏敬和许居衍
关键词：HBT电流传输锗化硅
硅异质结和赝异质结双极器件研究进展
1995年
本文作者结合自己的工作，综述了硅异质结和赝异质结双极器件的研究进展，指出ＧｅＳｉＨＢＴ将成为双极结构的主流技术，硅赝异质结器件也将在低温应用等方面显示出优势。
郑茳许居衍
关键词：硅异质结双极器件双极晶体管
双层多晶硅FlotoxEEPROM单元的优化设计被引量：4
1997年
建立了双层多晶硅ｆｌｏｔｏｘＥＥＰＥＯＭ存储管的阈值电压模型，利用该模型研究了擦／写阈值与擦／写时间、编程电压、隧道孔面积、隧道氧化层厚度的关系，采用１．４μｍＣＭＯＳ工艺设计了双层多晶硅ｆｌｏｔｏｘ单元。模拟结果和实验结果基本一致，该阈值电压模型为ＥＥＰＥＯＭ单元的优化设计提供了一种快速、简便、实用的准则。
于宗光于宗光王鸿宾许居衍
关键词：EEPROM只读存贮器双层多晶硅
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