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魏同立

作品数：169 被引量：477H指数：11
供职机构：东南大学集成电路学院更多>>
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相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 167篇期刊文章
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领域

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  • 14篇自动化与计算...
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主题

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  • 23篇半导体
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机构

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  • 1篇中国电子科技...
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作者

  • 168篇魏同立
  • 33篇吴金
  • 24篇郑茳
  • 19篇常昌远
  • 10篇林金庭
  • 10篇程剑平
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传媒

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  • 3篇Journa...
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  • 1篇物理
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年份

  • 2篇2007
  • 3篇2006
  • 8篇2005
  • 12篇2004
  • 11篇2003
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  • 18篇2001
  • 2篇2000
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  • 10篇1998
  • 7篇1997
  • 17篇1996
  • 17篇1995
  • 13篇1994
  • 5篇1993
  • 4篇1992
  • 2篇1991
  • 8篇1990
  • 3篇1989
  • 1篇1987
共 169 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
红外焦平面技术的重要进展──单片式SiGe红外焦平面阵列的物理基础和关键技术
1994年
由ＳｉＧｅ合金与Ｓｉ构成的应变层异质结构、量子阱是８０年代中期发展起来的一种新型半导体材料。本文着重讨论了单片式ＳｉＧｅ红外焦平面阵列的物理基础、高质量ＳｉＧｅ材料的制备以及低温ＳｉＧｅ器件研制中的几个关键技术。
魏同立郑茳吴金
关键词：焦平面阵列锗化硅
一种带有光标显示的LCD驱动控制芯片的设计被引量：2
2004年
介绍了一种LCD驱动控制芯片的总体设计方案。该LCD驱动控制芯片具有比较完备的指令系统、完善的MPU接口和LCD接口、能存储大量常用字符的ROM、用户可以自行设计字符的RAM、光标显示电路等显著特色。重点讨论了MPU接口、指令译码、光标显示等模块的设计。最后,用Powrmill对芯片进行了功能和功耗仿真。
孟军温作晓魏同立
关键词：液晶显示驱动接口
适于半导体器件模拟的改进Gummel算法
1994年
本文采用Ｓｌｏｔｂｏｏｍ变量把半导体器件模型归一化为奇异摄动问题．然后对该模型提出一种适于ｍ维（１≤ｍ≤３）数值计算的Ｇｕｍｍｅｌ算法，当外加偏压或器件测度（二维时如有效沟道长度，三维时如器件的有效体积等）足够小时，该算法是收敛的．数值例子表明，改进的Ｇｕｍｍｅｌ算法编程方便，收敛速度快．
曹俊诚郑茳魏同立樊继山
关键词：半导体器件
低温半导体器件模拟的误差限方法
1995年
本文从数值方法和求解变量的物理意义两主面出发，提出了适用于低温半导体器件计算机模拟的误差限方法，并且将该方法插入ＭＩＮＩＭＯＳ４．０进行了数值实验．结果表明，设置误差限方法能保证低温半导体器件模拟的数值敛性，并且有较快的收敛速度．
曹俊诚魏同立
关键词：半导体器件计算机模拟
应用Volterra级数分析BP机互调失真被引量：4
1998年
利用Ｖｏｌｔｅｒｒａ级数作为分析工具研究了ＢＰ机中射频接收板的三阶互调失真．作为一个级联系统，建立了射频接收板的Ｖｏｌｔｅｒｒａ模型，研究了整个射频接收系统的三阶互调失真与各个电路的三阶互调失真之间的关系．这个理论结果对设计射频接收板是有效的，并且适用其他弱非线性失真接收机．
廖小平魏同立
关键词：VOLTERRA级数三阶互调失真
二维电流连续性方程最佳离散方法
1995年
该文提出了一种既简单又新颖的离散二维电流连续性方程的有限差分方法。这种方法能完全消除数值振荡，有效地减小侧风效应．与经典多维Ｓ－Ｇ方法和ＳＵＰＧ方法相比，该方法具有更好的数值特性。
滕志猛何野丁辛芳魏同立童勤义
关键词：电流半导体
在Monte Carlo器件模拟中确定自由飞行时间的自散射方法被引量：2
2000年
在半导体器件 Monte Carlo模拟中 ,自散射的引入是为了简化确定自由飞行时间的计算。文中证明了自散射的引入不改变真实散射的时间分布 ,从而使各种自散射方法有了统一的理论依据。
赵平魏同立吴金
关键词：蒙特卡罗方法
MR-CGS:一种最小剩余CGS方法在DDM求解中的应用
2000年
从 CGS方法入手 ,针对该算法在收敛过程中出现的残差不平稳的缺点 ,对 CGS算法进行改进 ,给出了一种最小残差 CGS(MR- CGS)算法 .算例给出了该改进算法在求解
赵佳宝盛昭瀚魏同立
关键词：半导体器件漂移扩散模型
低温大注入多晶硅发射极硅双极晶体管电流增益的定量模拟
1998年
已有的理论和实验都已证明，多晶硅发射极硅双极晶体管适合于低温工作。但至今为止，其完整的大注入时电流增益的理论分析还不成熟，特别是进行定量的计算；本文定量地模拟了低温７７Ｋ和常温３００Ｋ下多晶硅发射极硅双极晶体管电流增益与集电极电流密度的关系，并且分析了低温和常温下决定该晶体管电流增益大注入效应的主要物理效应，为低温多晶硅发射极硅双极晶体管的设计提供了有益的理论基础。
肖志雄魏同立
关键词：多晶硅双极晶体管电流增益
SiGeHBT的二维数值模拟分析设计
2001年
采用适合于亚微米器件模拟的流体动力学模型 (HDM) ,对 Si Ge HBT的亚微米器件模拟软件进行了设计。在 SMDS1.0模拟软件 [1]的基础之上 ,软件的设计仍采用面向对象技术 ,因而该软件仍将保持良好的可扩展性等特点 。
杨廉峰吴金刘其贵夏君魏同立
关键词：异质结双极晶体管锗化硅面向对象
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