王燎原
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：安徽省人才开发基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术理学更多>>
- 退火对sol-gel法生长的SiO2薄膜特性的影响被引量：1
- 2004年
- 用正硅酸乙酯(ETOS),乙醇(EtOH),水以及盐酸以一定的比例混合配制溶胶(其中盐酸为催化剂).以普通浮法玻璃为衬底,用浸渍提拉法制备了厚度为100nm左右的SiO2薄膜.对其进行等温和等时退火,用台阶仪测定其厚度变化,给出经验拟合公式.研究了退火对透过率、折射率以及气孔率的影响,并做出比较详细的理论解释.
- 郭嘉龚明许小亮张慰萍郭海王燎原陈滢滢刘佩尧刘洪图
- 关键词：退火SOL-GELSIO2薄膜膜厚
- 用射频磁控溅射法制备的Zn_(1-x)Mg_xO薄膜光致发光特性(英文)被引量：1
- 2006年
- 用射频磁控溅射法在Si（100）衬底上生长了一组Zn1-xMgxO（x=0～0．16）薄膜。并在不同温度下退火。对薄膜的光致发光研究表明，在薄膜的发射谱的紫外区域有分别对应自由激子（以及相应的声子伴线）和电子-空穴等离子体的发光机制，其中后者有5倍超线性的受激发射，其受激发射闾值与薄膜的退火温度相关，样品中最低受激阅值为40kW／cm^2。
- 许小亮王燎原王烨杨智超施朝淑
- 关键词：ZNMGO光致发光
- 退火对sol-gel法生长的SiO2薄膜特性的影响
- 用正硅酸乙酯(ETOS),乙醇(EtOH),水以及盐酸以一定的比例混合配制溶胶(其中盐酸为催化剂)。以普通浮法玻璃为衬底,用漫渍提拉法制备了厚度为100nm左右的SiO2薄膜。对其进行等温和等时退火,用台阶仪测定其厚度变...
- 郭嘉龚明许小亮张慰萍郭海王燎原陈滢滢刘佩尧刘洪图
- 关键词：退火SOL-GELSIO2薄膜膜厚
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