刘佩尧
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：安徽省人才开发基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程更多>>
- 退火对sol-gel法生长的SiO2薄膜特性的影响被引量：1
- 2004年
- 用正硅酸乙酯(ETOS),乙醇(EtOH),水以及盐酸以一定的比例混合配制溶胶(其中盐酸为催化剂).以普通浮法玻璃为衬底,用浸渍提拉法制备了厚度为100nm左右的SiO2薄膜.对其进行等温和等时退火,用台阶仪测定其厚度变化,给出经验拟合公式.研究了退火对透过率、折射率以及气孔率的影响,并做出比较详细的理论解释.
- 郭嘉龚明许小亮张慰萍郭海王燎原陈滢滢刘佩尧刘洪图
- 关键词：退火SOL-GELSIO2薄膜膜厚
- 退火对sol-gel法生长的SiO2薄膜特性的影响
- 用正硅酸乙酯(ETOS),乙醇(EtOH),水以及盐酸以一定的比例混合配制溶胶(其中盐酸为催化剂)。以普通浮法玻璃为衬底,用漫渍提拉法制备了厚度为100nm左右的SiO2薄膜。对其进行等温和等时退火,用台阶仪测定其厚度变...
- 郭嘉龚明许小亮张慰萍郭海王燎原陈滢滢刘佩尧刘洪图
- 关键词：退火SOL-GELSIO2薄膜膜厚
- 文献传递
