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朱韫晖

作品数：29 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...

主题

  • 10篇通孔
  • 7篇微电子
  • 7篇芯片
  • 6篇互连
  • 6篇互连结构
  • 6篇键合
  • 6篇封装
  • 4篇石墨
  • 4篇石墨烯
  • 4篇晶圆
  • 4篇互联
  • 4篇干膜
  • 4篇感器
  • 4篇半导体
  • 4篇TSV
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 4篇传输性能
  • 3篇电容
  • 3篇电子封装

机构

  • 29篇北京大学
  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 29篇朱韫晖
  • 28篇金玉丰
  • 26篇缪旻
  • 24篇马盛林
  • 21篇孙新
  • 5篇朱智源
  • 4篇于民
  • 4篇方孺牛
  • 2篇鲁文高
  • 2篇纪明
  • 2篇崔卿虎
  • 2篇王冠男
  • 2篇王玮
  • 1篇张敏
  • 1篇孟祥云
  • 1篇张雅聪
  • 1篇王贯江
  • 1篇陈蒙
  • 1篇陈中建
  • 1篇刘晨晨

传媒

  • 1篇光电子技术

年份

  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 8篇2013
  • 6篇2012
  • 9篇2011
  • 1篇2009
共 29 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种三维集成结构及其生产方法
本发明公开了一种三维集成结构及其生产方法，属于微机械电子系统与集成电路加工领域。所述三维集成结构包括：由两个晶圆形成的晶圆键合对，贯穿所述晶圆键合对的至少一个TSV通孔和微铜柱，位于所述晶圆键合对的键合界面处的一个空穴，...
马盛林孙新朱韫晖金玉丰缪旻
超薄芯片垂直互联封装结构及其制造方法
本发明公开了一种超薄芯片垂直互联封装结构及其制造方法。该结构包括由上至下依次叠放在一起的顶层、中介层和底层，所述中介层具有TSV垂直互联结构，所述中介层的正面和反面分别具有至少一层重新布局互联层，且分别具有微焊球或焊垫；...
马盛林孙新朱韫晖金玉丰缪旻
一种含有硅通孔压阻式加速度传感器及其制造方法
本发明公开了一种含有硅通孔压阻式加速度传感器及其制造方法，属于微机械电子技术领域。本发明的压阻式加速度传感器包括含有硅通孔阵列的质量块，含硅通孔的硅基边框，多个弹性梁，压敏电阻及半导体底板；所述质量块位于加速度传感器中央...
朱智源于民朱韫晖孙新陈兢缪旻金玉丰
文献传递
一种TSV芯片键合结构
本发明公开了一种TSV芯片键合结构，属于微电子技术领域。所述键合结构包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片包括第一微凸点和第一微凸点周围的第一环绕结构，所述第一环绕结构的高度大于所述第一微凸点的高度；所述第二芯片包括第二微...
崔卿虎朱韫晖马盛林缪旻金玉丰
文献传递
半导体辐射敏感装置及其制作方法
本发明涉及半导体传感器领域，公开了一种半导体辐射敏感装置及其制作方法，该装置包括至少一个辐射敏感单元，辐射敏感单元包括：第一基体、第一柱状电极和第二柱状电极；第一基体包含第一表面和第二表面；第一柱状电极包含第一金属柱和环...
马盛林朱韫晖孙新金玉丰陈兢缪旻
文献传递
一种叠层封装结构及制造方法
本发明涉及微电子封装领域，具体的公开了一种叠层封装结构及制造方法，所述叠层封装结构包括多个层叠的封装衬底及每层封装衬底上装载的至少一个半导体芯片；所述半导体芯片与其所在层的封装衬底之间为电连接；所述每层封装衬底上设有至少...
马盛林王贯江朱韫晖孙新陈兢缪旻金玉丰
文献传递
一种通孔互连结构的制作方法
本发明公开了一种通孔互连结构的制作方法，包括在基片上制作盲孔，然后依次淀积种子层和有机物薄膜，贴干膜，并通过光刻在盲孔处形成小于盲孔口径的干膜开口，然后刻蚀去除盲孔底部的有机物薄膜，暴露出种子层，再对盲孔进行填充。进一步...
朱韫晖马盛林孙新缪旻金玉丰
一种含有硅通孔的电容式压力传感器及其制造方法
本发明公开了一种含有硅通孔的电容式压力传感器及其制造方法，属于微机械电子技术领域。本发明的电容式压力传感器包括含固定电极的基片，含可动电极的膜片，和与所述固定电极和可动电极电连接的测量电路；所述固定电极和所述可动电极之间...
朱智源朱韫晖于民缪旻金玉丰
一种TSV通孔的绝缘层的制备方法
本发明公开了一种TSV通孔的侧壁绝缘层的制备方法。属于微电子封装技术。该方法包括：在普通硅片、SOI片或表面加工有集成电路的标准硅片上刻蚀的TSV通孔内淀积一绝缘层；在绝缘层上淀积一有机薄膜；利用各向异性刻蚀，去除TSV...
纪明朱韫晖马盛林缪旻金玉丰王玮
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一种石墨烯垂直互连结构的制作方法
本发明提供一种石墨烯垂直互连结构的制作方法，首先在基片上制作垂直孔；然后在所述基片的表面上制作绝缘层，该绝缘层覆盖所述垂直孔的内表面；然后在所述绝缘层上制作石墨烯层。基于该石墨烯垂直互连结构，可采用晶圆到晶圆、芯片到晶圆...
陈兢朱韫晖马盛林孙新方孺牛缪旻金玉丰
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