彭栋梁
- 作品数：19 被引量：30H指数：3
- 供职机构：兰州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺电子电信动力工程及工程热物理更多>>
- 射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积透明导电Cd_2SnO_4薄膜被引量：4
- 1992年
- 在Ar+O_2混合气氛中射频反应性溅射Cd-Sn合金靶制备了透明导电Cd_2SnO_4(简称CTO)膜。实验表明,该膜的电学和光学性质依赖于混合气体中的氧浓度和衬底温度,最低电阻率为2.89×10^(-6)Ω·m,可见光区域最高透光率为95％。用X射线衍射测量了不同衬底温度下薄膜的结构。
- 蒋生蕊彭栋梁孙文红王万录
- 关键词：合金射频
- （２２５）马氏体的相变及亚结构形成的位错理论
- 蒋生蕊彭栋梁
- 关键词：马氏体位错理论亚结构
- 氢致Ⅰ型裂纹扩展的位错塞积群模型被引量：1
- 1994年
- 本文利用位错理论和夹杂理论研究了Ⅰ型裂纹前方的位错塞积群和氢气团以及它们之间的交互作用，求得了塞积群的位借密度、应力集中系数和裂纹扩展速率。所得结果表明，氢气团促进裂纹尖端位猪源开动，即促进滞后塑性变形，提高塞积群的应力集中系数，引起材料脆化，促进微裂纹核形成。
- 蒋生蕊彭栋梁
- 关键词：位错应力集中氢脆
- Cd_2SnO_4薄膜的气敏效应研究
- 1993年
- 在Ar+O_2混合气氛中,应用射频反应溅射Cd-Sn合金靶沉积了Cd_2SnO_4(简称CTO)薄膜,并获得了该膜的电阻率与氧浓度和衬底温度的关系。研究了Cd_2SnO_4薄膜对液化石油气、一氧化碳、氢气和甲烷的敏感性及其物理机制;讨论了薄膜沉积条件对于气敏效应的影响以及在工作温度和气敏效应之间的关系。
- 彭栋梁蒋生蕊谢亮
- 直流磁控溅射沉积（Ti，Al）N膜的研究被引量：13
- 1994年
- 研究了用直流磁控反应性溅射法在Ａｒ＋Ｎ２气氛中沉积（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ膜的工艺。（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ膜具有比ＴｉＮ膜高的耐磨性、硬度和高温抗氧化性。ＡＥＳ深度分析表明，由Ａｌ的选择性氧化形成的Ａｌ２Ｏ３保护层，是（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ膜具有优良高温抗氧化性能的原因．
- 蒋生蕊彭栋梁赵学应谢亮李强
- 关键词：磁控溅射高温氧化
- 形变充氢多晶纯钴中缺陷的正电子湮没研究被引量：2
- 1992年
- 用正电子寿命和多普勒线形参数测量技术,研究了形变和形变充氢多晶钴试样的缺陷性质及其回复行为。观察到形变样品阴极充氢后,氢致缺陷为一定量的位错和空位以及少量的空位团。没有观察到微空洞和微裂纹的产生。单空位的回复温度范围为73—260℃,位错和空位团的退火发生在350—670℃温度范围。测得空位的迁移激活能为E_v^m=1.09±0.07eV。
- 彭栋梁王天民童志深
- 关键词：氢正电子湮没
- 氢致Ⅱ型裂纹扩展的位错理论
- 1993年
- 本文利用位错理论研究了Ⅱ型裂纹前方的位错塞积群和其附近形成的氢气团.并首次将氢气团看作弹性夹杂,采用合理的近似,求得了夹杂的本征应变和应力场,研究了氢气团与塞积群的交互作用,求得了塞积群的位错密度和应力强度固子,讨论了氢致开裂的物理过程和裂纹扩展速率.结果指出,氢气团促进裂纹尖端位错源开动,促进滞后塑性变形发生,提高塞积群顶端的位错密度和应力强度因子,促进该处微裂纹的形成和扩展.
- 蒋生蕊彭栋梁江向平
- 关键词：氢脆位错
- 射频反应性溅射沉积的Cd_2SnO_4薄膜物理性质与缺陷特性研究被引量：2
- 1992年
- 在Ar+O_7混合气氛中射频反应性溅射Cd-Sn合金靶制备了透明导电Cd_2SnO_4(简称CTO)薄膜。用X射线衍射测量了CTO膜的结构。实验结果表明,这种薄膜的电学和光学性质依赖于混合气体中的氧浓度、衬底温度以及沉积后的热处理。获得的CTO膜最低电阻率为1.74×10^(-6)Ω·cm,可见光光谱区最高透射率为95％。对于氧浓度为6％、衬底温度为400℃时沉积的CTO膜,经热处理后,其光隙能由热处理前的2.37eV增大为2.64eV。
- 彭栋梁蒋生蕊
- 关键词：射频
- （Ti，Al）N薄膜光学性能的研究
- 1995年
- 研究了（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ薄膜的光学特性，对其反射和透射光谱作了仔细分析。运用Ｈａｄｌｅｙ方程，算出了一定成分（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ膜的折射率ｎ，消光系数ｋ随波长的变化关系。又根据透射曲线，计算出了（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ膜的光隙能。
- 蒋生蕊赵学应彭栋梁韩专李强
- 关键词：复折射率
- 热处理对射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积的Cd_2SnO_4薄膜电学和光学性质的影响
- 1992年
- 射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积的Cd_2SnO_4(简称CTO)薄膜是n型缺陷简并半导体,并以氧空位作为施主态,载流子浓度高达4.46×10^(26)m^(-3)。从热处理前后CTO膜的透射谱中观察到明显的Burstein移动。光致发光谱的测量表明,晶态CTO膜的本征跃迁能隙约为2.156eV,并由CTO膜的电学和光学测量数据计算出热处理前后的光隙能E_(opt)为2.35eV—2.64eV和传导电子的有效质量m_e~*为0.22m_e—0.5m_e。
- 彭栋梁蒋生蕊王万录
- 关键词：电学
