高锦英
- 作品数：17 被引量：17H指数：2
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程文化科学更多>>
- 直流等离子体化学汽相沉积法合成的金刚石膜的内应力研究被引量：6
- 1992年
- 研究了直流等离子体化学汽相沉积(CVD)法合成的金刚石膜内应力随甲烷浓度、沉积温度的变化关系。实验研究表明,金刚石膜的总内应力随沉积条件变化十分敏感。压缩应力是由非金刚石成份及氢等杂质引起的,而伸张应力可由膜中高密度的微空和内面积导致的晶粒间界弛豫模型来解释。
- 王万录高锦英廖克俊刘爱民
- 关键词：金刚石内应力CVD法
- 立方氮化硼薄膜的研制被引量：2
- 1995年
- 研究了热灯丝射频等离子体化学气相沉积法立方氮化硼薄膜。实验结果表明，沉积条件对膜的质量及结构有重要的影响。在合适的条件下，可制备出优质的立方氮化硼薄膜材料。
- 廖克俊王万录高锦英
- 关键词：立方氮化硼射频等离子体
- 同轴电缆中感应电场的严格求解被引量：1
- 1992年
- 本文用解边值问题的方法研究一个同轴电缆中的感应电场,由此得到该系统感应电场空间分布的严格解析解.
- 高锦英汪映海
- 关键词：同轴电缆边值问题
- 理想变压器输出端与输入端视在功率相等的条件
- 1992年
- 本文利用基尔霍夫定律,通过严格推导,得出具有两个以上副线圈的理想变压器中输出端与输入端视在功率相等的条件.
- 王开富高锦英
- 关键词：理想变压器基尔霍夫定律视在功率
- 直流等离子体CVD法金刚石薄膜的Raman谱和内应力研究被引量：2
- 1993年
- 本文给出了直流等离子体CVD法合成金刚石膜的实验结果。衬底温度900℃时,在Si(100)上最高生长速率为150μm/h。实验结果表明金刚石膜Raman特征峰随生长时间和晶粒增大移向低波数方向,这主要是膜内应力所致。Raman谱还表明金刚石膜内非晶碳成份随放电电流密度和生长时间增加而减少,并主要集中在晶粒界面之间。文中还对高速率生长金刚石膜的机理及内应力形成的原因进行了讨论。
- 王万录廖克俊高锦英
- 关键词：CVD金刚石散射谱内应力
- 直流热等离子体低压高速率合成金刚石薄膜
- 1991年
- 近年来,低压化学气相合成的金刚石薄膜,由于其独特的光学、电学和力学性质和在高技术及其他工业技术领域中的广泛应用前景,因而引起了国内外科学工作者的极大兴趣。目前已发展了各种方法来制备金刚石薄膜。主要的方法有热灯丝化学气相沉积法、微波等离子体法、射频等离子体法、电子辅助化学气相沉积法。
- 王万录高锦英廖克俊任罡邱文元
- 关键词：金刚石等离子体
- 直流等离子体CVD法在Si(100)衬底上局部定向核化及外延生长金刚石膜
- 1992年
- 低压气相法合成的金刚石薄膜和天然金刚石一样,具有优异的力学、光学、电学、化学及热学性质。可广泛应用于机械、电子和光学等工业领域,因而引起了人们极大的兴趣。金刚石还具有半导体性质。并能在多种衬底上利用低压气相合成金刚石膜,还可进行选择性的掺入需要的杂质。这就为制备金刚石半导体器件提供了可能性。实验表明。
- 王万录廖克俊高锦英刘爱民
- 关键词：金刚石膜等离子体CVD法
- 关于夫琅禾费单缝衍射次极大光强分布教法的沿革
- 本文用菲涅耳半波带法得出夫琅禾费单缝衍射次极大光强分布公式,与传统的用图解超越方程的讲法相比,不失为一种较好的教法.
- 高锦英
- 关键词：高等教育物理光学单缝衍射
- 文献传递
- Cd_2SnO_4薄膜光致发光某些性质的研究被引量：2
- 1992年
- 本文研究了Cd_2SnO_4薄膜光致发光的某些性质.Cd_2SnO_4膜是利用Cd-Sn合金靶在Ar+O_2气氛中反应溅射而成的.实验研究表明,Cd_2SnO_4膜的发光峰值随着氧浓度的增加移向长波方向.这是因为氧浓度的增加,减少了膜中的氧空位,导致了导带中电子浓度的减小,致使Burstein-Moss效应和电子散射作用相对减弱,从而改变了带隙宽度.
- 王万录高锦英廖克俊彭栋梁蒋生蕊
- 关键词：光致发光发光特性
- 在45钢表面激光TiC合金化的研究
- 1992年
- 本文叙述了在45钢表面利用大功率 CO_2激光束对难熔金属高硬质碳化物 TiC 合金层的研制,并对含有 TiC 合金层的性能进行了测试和分析.实验结果表明:TiC 激光合金化对金属材料表面改性效果是特别显著的,这种表面强化的方法既经济又是可行的.
- 郑克全张思玉高锦英
- 关键词：表面合金化显微组织
