刘志凯
- 作品数：75 被引量：73H指数：5
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- CoSi_2超薄外延膜的生长研究被引量：4
- 1998年
- 用质量分离的离子束外延（ＭＡＬＥ－ＩＢＥ或简作ＩＢＥ）法在ｎ－Ｓｉ（１１１）上生长了ＣｏＳｉ２超薄外延膜．厚度为１０～２０ｎｍ的ＣｏＳｉ２薄膜的结构特性已由ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ及ＲＢＳ作了研究．
- 姚振钰张国炳秦复光刘志凯刘志凯林兰英
- 关键词：离子束外延
- 一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置
- 本发明涉及离子束技术，是一种可在低能离子束材料制备方法中应用的离子源装置，包括弧室体和坩埚两部分，每部分配有辅助加热装置。弧室体与坩埚成一体且前后分离，之间有排进气孔连通；弧室体内装有上下双螺旋状灯丝，增大了弧室热功率和...
- 杨少延刘志凯柴春林蒋渭生
- 文献传递
- 大剂量Mn离子注入GaAs的性质研究
- 室温条件在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆...
- 刘志凯宋书林陈诺夫柴春林尹志岗杨少延
- 关键词：砷化镓X射线衍射半导体材料
- 文献传递
- 质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究被引量：1
- 1993年
- 采用质量分离的低能离子束外延(MALE-IBE)技术进行超薄硅外延生长,在600C下获得单晶硅外延层,厚度2000A,过渡区宽度小于500A。有较好的电学性质。
- 黄大定姚振钰壬治璋王向明刘志凯秦复光
- 关键词：硅单晶
- 图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究被引量：2
- 1999年
- 本文报道了利用质量分离低能双离子束淀积法在硅氧化硅图形衬底上采用不同的工艺条件淀积钴（Ｃｏ）离子，并生长硅化钴薄膜．扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）和Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）测量结果表明，只在纯硅区探测到了硅化钴；而氧化硅区始终未见有钴的迹象．很好地实现了在图形衬底上钴离子的选择淀积和硅化钴薄膜的选择生长．
- 吴正龙姚振钰刘志凯张建辉秦复光林兰英
- 关键词：金属硅化物钴
- CeO_2/Si薄膜PL谱的“紫移”被引量：1
- 2001年
- 利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜, 椭圆偏振仪测得薄膜厚度为100 nm, 折射系数约为2.455. 实验中发现未经退火处理的CeO2室温光致发光(PL)谱存在着紫移现象, 其移动距离约为65 nm. 利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明, PL谱的移动与氧化物中Ce离子价态有关. 当Ce离子价态发生Ce4+Ce3+变化时, 其PL谱峰位要从蓝光区向紫光区移动, 出现发光峰紫移现象.
- 柴春林杨少延刘志凯廖梅勇陈诺夫王占国
- 关键词：PL谱光致发光谱离子价态
- 大剂量Mn离子注入GaAs的性质被引量：1
- 2005年
- 在室温条件下在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多的Mn离子进入晶格.运用原子力显微镜分析了样品的表面,发现退火后突起的起伏度增加.磁性分析表明,退火样品的磁化强度增大.
- 宋书林陈诺夫柴春林尹志岗杨少延刘志凯
- 关键词：砷化镓X射线衍射
- 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法
- 本发明提供一种利用离子束外延(IBE)生长设备制备氮化锆(ZrN)薄膜材料的方法。在具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备上，选用纯度要求不高的氯化锆(ZrCl<Sub>4</Sub>)固体粉末和氮气(...
- 杨少延柴春林刘志凯陈涌海陈诺夫王占国
- 文献传递
- 低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体被引量：2
- 2004年
- 利用质量分离的低能离子束方法 ,以离子能量为 1 0 0 0 e V,剂量为 3× 1 0 1 7cm- 2 ,室温下往 p型 Si(1 1 1 )单晶衬底注入 Fe离子 ,注入的样品在 4 0 0℃真空下进行热处理 .俄歇电子能谱法 (AES)对原位注入样品深度分析表明 Fe离子浅注入到 p型 Si单晶衬底 ,注入深度约为 4 2 nm.X射线衍射法 (XRD)对热处理样品结构分析发现只有 Si衬底的衍射峰 ,没有其他新相 .X射线光电子能谱法 (XPS)对热处理样品表面分析发现 Fe2 p束缚能对应于单质 Fe的峰 ,没有形成 Fe的硅化物 .这些结果表明重掺杂 Fe的 Si∶ Fe固溶体被制备 .电化学 C- V法测量了热处理后样品载流子浓度随深度的分布 ,发现 Fe重掺杂 Si致使 Si的导电类型从 p型转为 n型 ,Si∶ Fe固溶体和 Si衬底形成 pn结 。
- 刘力锋陈诺夫张富强陈晨龙李艳丽杨少延刘志凯
- 关键词：硅低能离子束重掺杂
- 氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究被引量：6
- 2001年
- 利用X射线光电子能谱深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析 .用该法可生长出正化学比的ZnO ,不过生长的ZnO薄膜存在孔隙 ,工艺还有待进一步改进 .
- 李庚伟吴正龙杨锡震杨少延张建辉刘志凯
- 关键词：X射线光电子能谱激光器
