公共文化服务平台

共 7 条记录，以下是 1-7

全选清除导出

排序方式：

利用自组装掩膜技术提高发光二极管的出光效率: 自诞生以来，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)作为一种新型的发光体就倍受关注。特别是进入21世纪后，世界面临严重的能源、环境危机，而照明消耗了大量的电力资源，因此，有必要改进现有的照明设备，提...; 邓琛; 关键词：发光二极管湿法腐蚀高分子共混物出光效率; 文献传递

AlGaInP红光LED的GaP窗口层自组装法粗化: 2012年; 利用高分子共混物的自组装机理,将聚苯乙烯(polystyrene,PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)进行混合形成共混物,并进行微相分离和自组装,然后将共混物放置到超声装置中,利用超声波辅助,使自组装微粒直径和位置分布相对均匀,形成用于刻蚀微纳结构的微掩模。最后利用湿法腐蚀,在LED的GaP窗口层上制作出纳米结构的粗化层。通过SEM、显微镜手段,优化了刻蚀条件。测量了器件的光强、光功率以及I-V曲线,结果表明,使用高分子自组装进行粗化,可以在保持电压及波长特性的条件下,提高光输出功率19.3%。; 朱彦旭邓琛徐晨邢艳辉; 关键词：粗化磷化镓自组装

超薄膜腐蚀自停止技术的缺陷分析被引量：1: 2009年; 作为气动红外探测器密封微电容检测腔的核心部件,要求敏感薄膜必须无孔,平整。浓硼硅腐蚀自停止技术制备超薄膜时,扩散前待扩硼区经常会存在各种表面微缺陷,导致扩硼后,再进行反向腐蚀形成的超薄膜会出现微腐蚀孔。利用小孔扩散模型和流体力学中小孔的热壅塞理论详细计算了缺陷的结构尺寸对缺陷底端局部硼浓度的影响。当缺陷半径r0垲姨Dt,其底端的局部硼浓度会远远低于浓硼硅腐蚀自停止的临界浓度5×1019/cm3,从而在下一步的反向腐蚀出膜过程中,表面有缺陷的扩硼区出现微腐蚀孔的几率大大增加。最后,针对膜区域出现的微腐蚀孔,提出了几种解决方案。; 李晓波徐晨戴天明邓琛沈光地

高分子自组装掩膜的制备被引量：1: 2010年; 利用高分子共混物的微相分离和自组装原理,采用溶液共混和旋转涂膜的方法制得聚苯乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯(PS/PMMA)高分子共混物薄膜,对薄膜经过再加工得到具有纳米微孔的PMMA薄膜,研究了对溶液进行超声处理的时间、PS/PMMA共混物溶液浓度、旋涂转速和试片表面对掩膜形貌的影响。以此PMMA薄膜为掩膜对GaP表面进行湿法腐蚀,得到一种蜂窝状的表面微结构,它能使发光二极管(LED)的光功率平均提高18%。; 邓琛徐晨徐丽华邹德恕蒋文静戴天明李晓波沈光地; 关键词：高分子自组装微结构发光二极管

特气室温红外探测器的噪声分析(英文)被引量：1: 2009年; 由MEMS技术制备的特气室温红外探测器的噪声主要包括温度噪声、机械热噪声和背景噪声。从理论上建立了器件的基本热模型,推导得到器件的等效热熔和等效热导分别为8.1μJ/K和1.0×10-3W/K,温度噪声约为1.73×10-10W/Hz1/2;通过器件的工作机理和能量均分原理,推导得到热机械噪声的等效噪声功率约为9.96×10-9W/ Hz1/2,器件的背景噪声约为3 .22×10-11W/Hz1/2,从而得出器件的归一化探测率约为9 .03×106cm.Hz1/2/W。实验表明,器件的噪声中热机械噪声为主要噪声源,大小主要由浓硼硅薄膜的机械性能和器件结构决定,可以通过增大薄膜厚度,减小薄膜面积,从而增加薄膜的特征频率的方法来减小器件受外界振动的影响,但以降低器件的灵敏度为代价。另外环境振动噪声也对器件的影响很大。为了减小外界气压和温度变化的影响,提出了一种新型的双腔结构来减小和平衡外界环境变化引入的噪声。; 徐晨戴天明宋义超李晓波邓琛; 关键词：红外探测器等效噪声功率微机电系统

提高发光二极管出光效率的新方法被引量：6: 2009年; 利用高分子共混物的微相分离和自组装原理,制备出具有纳米微孔的PMMA薄膜,以此为掩膜对发光二极管(LED)表面进行湿法腐蚀,得到表面微结构,并研究了腐蚀时间对表面形貌的影响。测试结果表明,当微孔直径在500nm左右、腐蚀深度约140nm时,所得到的表面微结构能使LED在20mA的注入电流下光功率平均提高18%。; 邓琛徐晨徐丽华邹德恕蒋文静戴天明李晓波沈光地; 关键词：自组装发光二极管(LED)出光效率

ICP刻蚀GaP表面形貌控制(英文)被引量：1: 2010年; 不同角度的GaP表面形貌刻蚀主要依赖于刻蚀参数的调节以及光刻胶的形貌,但要得到能够重复的光刻胶形貌是很困难的.研究了如何通过调节感应耦合等离子(ICP)刻蚀仪器本身的参数,而不依赖于不定的光刻胶形貌来得到可重复的表面形貌.通过研究可知,射频功率与腔室压强是影响表面形貌的最重要的两个参数.射频功率越小刻蚀得到的角度越大,腔室压强越大刻蚀得到的角度也越大.通常BCl3等离子体被用来作为GaP的刻蚀气体,但为了维持所需的等离子浓度以及更大的操作压强,Ar被加入刻蚀气体中.; 蒋文静徐晨邓琛高伟沈光地; 关键词：等离子体

全选清除导出

共1页<1>

邓琛