赵小宁
- 作品数：3 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- InP DHBT技术的最新进展被引量：3
- 2009年
- 阐述了目前InP DHBT器件技术的研究进展,介绍了I型InP/InGaAs DHBT技术的研究水平和Ⅱ型InP/GaAsSb DHBT技术的开发现状。综述了InP DHBT在功率放大器、分布放大器、静态分频器和压控振荡器领域的应用,指出了其在高速数据传输系统中的重要性。为了适应高速数据传输系统的飞速发展,满足10/40/100Gbit/s高速系统的技术需求,对我国研发InPDHBT技术提出初步建议。
- 赵小宁
- 关键词：磷化铟
- 一种高效可控恒流源被引量：2
- 2002年
- 提出了一个设计高效可控恒流源方案。首先分析了影响其效率的各种因素,提出了提高效率的途径和方法。其次又给出应用微机实现双回路的测控方法及数学模型,该方案已成功的应用于某些专用设备中。
- 刘煜赵小宁尉广军任文霞
- 关键词：数学模型
- 国外军事和宇航应用宽带隙半导体技术的发展被引量：7
- 2009年
- SiC和GaN等宽带隙半导体以其固有的高频、大功率、高温和抗恶劣环境应用潜力,在替代传统的Si和GaAs等器件应用于军事及宇航系统装备方面具有无可比拟的技术优势。概述了以SiC、GaN和金刚石等为代表的第三代半导体器件技术的发展现状,介绍了国外发达国家在发展宽带隙半导体技术上值得借鉴的一些做法,着重讨论宽带隙半导体技术对宇航及军事装备产生的重要影响,并展望了宽带隙半导体技术在宇航及军事应用中的发展前景。
- 赵小宁李秀清
- 关键词：宽带隙半导体微电子器件金刚石氮化镓恶劣环境
