田晓娜
- 作品数：6 被引量：9H指数：2
- 供职机构：北京师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市科技新星计划教育部“优秀青年教师资助计划”更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 带保护环结构的条形X光阵列探测器被引量：7
- 2003年
- 研究了带有保护环结构的条形 X光阵列探测器 ,结果表明 ,保护环的存在不仅降低了表面漏电 ,而且抑制了耗尽区的侧向扩展 .厚度为 30 0 μm的探测器样品 ,切割后的“死区”长度为 15 0 μm;环境温度为 18℃时 ,70 V偏压下加保护环测得的探测器完全耗尽时的漏电流为 2 0 n A.
- 盛丽艳韩德俊张秀荣田晓娜王传敏杜树成谢凡王光甫
- 关键词：死区漏电流保护环
- 近代中国利用外资思想及其现实启示
- 田晓娜
- 一种单基极引出结构的硅晶体管
- 2005年
- 为研究单基极薄基区晶体管的特性 ,设计了一种单侧基极引出结构薄基区的晶体管 ,在p型SOI衬底上全离子注入实现了基区宽度为 80nm的npn纵向结构 ,基区的平均浓度为 10 18cm-3 .经过版图设计和工艺流片 ,在2 μm实验工艺线上研制了这种器件 .基极采用电压输入 ,Vbe在 1 1V附近 ,跨导和电流增益都达到峰值 ,小信号电流增益 βac(ΔIc/ΔIb) =2 7,小信号跨导 gmac(ΔIc/ΔVbe) =0 4 5mS ,且 gmac/ gm(Ic/Vbe)比 βac/ β(Ic/Ib)大得多 ,跨导比电流增益更能准确地描述器件特性 ,这种器件更倾向于电压控制型器件 ,特别适用于数字电路的开发和应用 .
- 杨茹李国辉姬成周田晓娜韩德俊马本堃
- 关键词：全离子注入
- 全离子注入薄基区硅晶体管的研究
- 2005年
- 针对数字电路的开发和应用,设计了一种薄基区晶体管,其横向结构采用单侧基极引出.采用全离子注入,实现了基区宽度为80～100 nm的npn纵向结构.基极用电压输入,Vbe在1.2 V附近时,跨导峰值gmac(△Ic/△Vbe)=0.4 mS,βac(△Ic/△Ib)=2.5.当Vbe从0.5 V变到1.2 V时,gmac/gm比βac/β大得多.跨导比电流增益更能准确地描述器件特性.这种器件更倾向于电压控制型器件,用输入电压的变化可以很方便地控制器件开关状态的转换,特别适合于数字电路的开发和应用.采用研制的器件连接了双稳态电路,在电压脉冲的控制下实现了双稳态的翻转.
- 杨茹李国辉姬成周田晓娜韩德俊于理科任永玲马本堃
- 关键词：全离子注入硅晶体管
- 高纯区熔单晶硅高增益光晶体管的研究被引量：2
- 2004年
- 区熔单晶硅与直拉单晶硅以及其他半导体材料相比杂质含量少 ,少子寿命长 ,所以以区熔单晶硅为衬底制作的光晶体管在弱的光信号下仍然有高的增益 ,适宜于弱光探测 报道了以区熔单晶硅为衬底的光晶体管的实验结果 为了保持区熔高纯单晶硅内的少子寿命 ,背面淀积了一层掺磷多晶硅作为外吸杂层 已经测量得到对于实验中发射极直径为 2mm的光晶体管在波长为0 .83μm的入射光照射下 ,光功率低至 0 .16nW时 ,光晶体管的增益仍然高达 4 40
- 田晓娜张秀荣张海君韩德俊G.Batignani
- 关键词：区熔单晶硅光晶体管增益少子寿命
- 垂直沟道偶载场效应晶体管的原理与制作工艺研究
- 随着微电子技术的迅速发展,集成电路的研究与应用已经进入了片上系统(SOC)时代.单芯片的集成度和操作频率越来越高,集成度已经达到了每芯片有数量级上亿的晶体管,并且还在不断提高,这就导致了器件的特征尺寸不断减小.研制和生产...
- 田晓娜
- 关键词：离子注入
- 文献传递
