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应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究被引量：19: 2007年; 在绝缘层附着硅(SOI)结构的Si膜上生长SiGe合金制作具有SiGe量子阱沟道的SOIp型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET),该器件不仅具有SOI结构的优点,而且因量子阱中载流子迁移率高,所以进一步提高了器件的性能.在分析常规的SiSOI MOSFET基础上,建立了应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET的阈值电压模型和电流-电压(I-V)特性模型,利用Matlab对该结构器件的I-V特性、跨导及漏导特性进行了模拟分析,且与常规结构的器件作了对比.模拟结果表明,应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET的性能均比常规结构的器件有大幅度提高.; 张鹤鸣崔晓英胡辉勇戴显英宣荣喜; 关键词：SOI MOSFET 阈值电压

Growth of Strained Si_(1-x)Ge_x Layer by UV/UHV/CVD: 2005年; Strained Si_ 1-xGe_x and Si materials are successfully grown on Si substrate by ultraviolet light chemical vapor deposition under ultrahigh vacuum at a low substrate temperature of 450℃ and 480℃,respectively.At such low temperature,autodoping effects from the substrate and interdiffusion effects at each interface could be suppressed efficiently.The strained Si_ 1-xGe_x and multilayer Si_ 1-xGe_x/Si structures are examined by X-ray diffraction,SMIS,etc.,and it is found that the materials have good crystallinity and the rising and falling edges are steep.The technique has a capability of growing high-quality Si_ 1-xGe_x/Si strained layers.; 胡辉勇张鹤鸣戴显英李开成王伟朱永刚王顺祥崔晓英王喜媛

SiGe HBT发射极延迟时间模型: 2005年; 在对SiGeHBT(异质结双极晶体管)载流子输运的研究基础上,建立了包括基区扩展效应SiGeHBT发射极延迟时间τe模型.发射极延迟时间与发射结势垒电容和集电结势垒电容密切相关.在正偏情况下,通常采用的势垒区耗尽层近似不再适用,此时需要考虑可动载流子的影响.本文重点分析了电流密度及发射结面积等参数对SiGeHBT发射极延迟时间的影响.; 胡辉勇张鹤鸣戴显英朱永刚王顺祥王伟崔晓英王青王喜媛; 关键词：SIGE HBT 势垒电容

SiGe HBT传输电流模型研究被引量：2: 2006年; 基于SiGe异质结双极晶体管(HBT)大信号等效电路模型,建立了SiGeHBT传输电流模型.重点考虑发射结能带的不连续对载流子输运产生的影响,通过求解流过发射结界面的载流子密度,建立了SiGeHBT传输电流模型.该模型物理意义清晰,拓扑结构简单.对该模型进行了模拟,模拟结果与文献报道的结果符合得较好.将该模型嵌入PSPICE软件中,实现了对SiGeHBT器件与电路的模拟分析,并对器件进行了直流分析,分析结果与文献报道的结果符合得较好.; 胡辉勇张鹤鸣戴显英宣荣喜崔晓英王青姜涛; 关键词：SIGE 异质结双极晶体管 PSPICE软件

无线自组网安全与检测技术研究-无线通信网络的选择性衰落信道下空时码检测技术研究: 王勇廖桂生李勇朝胡辉勇朱永刚崔晓英; 空时编码技术是把天线阵列的空间分集同信道编码技术结合起来，使得无线信道的信道容量显著扩大，空时码的提出为解决无线通信系统中的传输速率问题提供了一条新思路，已经成为通信研究的一个热点。由于译码简单，空时分组码(STBC)成...; 关键词：; 关键词：空时编码技术天线阵列

实空间电荷转移(RST)器件研究: 本文在研究分析SiGe材料实空间电荷转移器件(RST)的结构及原理的基础上,基于SiGe材料物理与电学特性建立了该器件的电流-电压特性模型,并进行了模拟分析,结果表明,模拟结果与实验结果符合较好.; 姜涛张鹤鸣戴显英崔晓英舒斌胡辉勇王喜媛; 关键词：SIGE材料; 文献传递

应变Si PMOSFET电流特性研究被引量：1: 2010年; 生长在弛豫SiGe层上的Si产生张应变,使载流子的迁移率显著提高,因此应变SiPMOSTET可以得到非常好的性能。在讨论分析了应变SiPMOSFET的结构特性和器件物理的基础上,推导泊松方程求出解析的阈值电压模型,以及电流电压特性,和跨导等电学特性参数模型,并用MATLAB进行了模拟,与参考文献取得了一致的结果。此模型作为对PMOSFET进行模拟是非常有用的工具。; 胡辉勇崔晓英张鹤鸣宋建军戴显英宣荣喜; 关键词：应变SI PMOSFET 阈值电压 I-V特性

可嵌入PSPICE软件的SiGe HBT 扩散电容模型: 载流子在发射结和集电结的运动引起的电荷存储效应,被称为扩散电容.在PSPICE模拟软件中,模型还不是很精确,本文主要建立了可以嵌入PSPICE的SiGeHBT的扩散电容模型,使其可以更精确的模拟仿真SiGeHBT器件和电...; 朱永刚戴显英李立宣荣喜王青崔晓英王顺祥; 关键词：SIGE 异质结双极晶体管存储电荷 PSPICE; 文献传递

SiGe'与'逻辑发光RST器件探索研究: 目前已经报道了能够实现'异或'、'或'以及'与非'功能的RST(实空间电荷转移)逻辑器件.本文探索性的提出了一种实现'与'逻辑功能和发光器件结合的RST器件结构.; 姜涛张鹤鸣戴显英崔晓英舒斌胡辉勇王喜媛; 关键词：SIGE 逻辑器件; 文献传递

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崔晓英