姜大川
- 作品数：162 被引量：125H指数：8
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：冶金工程金属学及工艺医药卫生经济管理更多>>
- 一种去除工业硅中硼的方法
- 本发明一种工业硅除硼的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域，特别涉及一种利用电子束熔炼技术将工业硅中的杂质硼去除的方法。该方法将工业硅料放入纯度为99.9％以上的石英环中，在电子束作用下熔炼，利用高真空度将氧化硼去...
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- 电子束顶部局部加热凝固多晶硅除杂装置及多晶硅加热凝固除杂方法
- 本发明的电子束顶部局部加热凝固多晶硅除杂装置及方法，在炉体内下部设有石墨底座，在石墨底座上配有装入多晶硅料的坩锅，在炉体内位于坩锅周边设有与系统控制装置相接的加热体，在炉体上部安装有电子枪，电子枪工作时产生的电子束刚好指...
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- 一种多晶硅介质熔炼用造渣剂及其使用方法
- 本发明公开了一种造渣剂及其在多晶硅介质熔炼提纯中的使用方法。该造渣剂，按重量百分比，由以下原料混合而成：Na<Sub>2</Sub>SiO<Sub>3</Sub>30%～60%、SiO<Sub>2</Sub>20%～50...
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- 一种冶金法制备低金属硼母合金的方法
- 本发明涉及一种冶金法制备低金属硼母合金的方法，属于硼母合金制备领域。一种冶金法制备低金属硼母合金的方法，包括下述工艺步骤：①原料选择：选择与目标硼母合金中硼元素浓度相同的工业硅原料；②酸洗：将工业硅原料破碎至60～120...
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- 一种新型降低电子束熔炼技术能耗的装置与方法
- 本发明公开了一种新型降低电子束熔炼技术能耗的装置与方法，属于冶金领域。所述装置包括水冷熔炼坩埚，所述水冷熔炼坩埚内壁底部由上到下依次设有5～40mm的碳化硅衬底，0～30mm石墨衬底。由于碳化硅以及石墨的热导率远远小于铜...
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- 一种横向凝固叠加电场提高多晶硅提纯得率的设备和方法
- 本发明公开了一种横向凝固叠加电场提高多晶硅提纯得率的设备，其特征在于，包括水冷柱，所述水冷柱的侧壁外侧设有石墨套筒，所述石墨套筒的侧壁外侧设有石墨坩埚，所述水冷柱、所述石墨套筒和所述石墨坩埚的轴线位于同一直线上，所述石墨...
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- 多晶硅铸锭硅固液分离方法及设备
- 本发明提供一种多晶硅铸锭硅固液分离方法及设备，该多晶硅铸锭硅固液分离方法包括以下步骤：将硅料在容器内熔化成熔融硅料，拉锭至熔融硅料中硅液的量为10~20%时，采用与容器横截面相配合的压板对熔融硅料施加压力，熔融硅料内部硅...
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- 一种去除高温合金中微量杂质元素的方法
- 本发明涉及一种去除高温合金中微量杂质元素的方法，属于电子束熔炼领域。一种去除高温合金中微量杂质元素的方法，为电子束熔炼法，包括预除杂步骤：首先保持合金母材不被电子束熔化的同时将电子束束斑扩大到使其边缘与水冷铜坩埚边缘相切...
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- 一种电子束熔炼多晶硅粉体横向拉锭的装置及方法
- 本发明涉及一种电子束熔炼多晶硅粉体横向拉锭的装置及利用该装置进行多晶硅熔炼的方法，属于电子束熔炼领域。该装置同时具备连续加粉料装置和横向拉锭装置，可以进行连续加料，并克服垂直拉锭机构问题，具有定向凝固的效果，其减少了设备...
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- 太阳能级硅中轻质元素(C,N,O)研究进展被引量：2
- 2017年
- C,N,O等轻质元素的存在对太阳能级晶体硅材料的性能有着广泛影响,而硅材料作为太阳能电池的主要原材料,其纯度对电池的电学性能有着决定性作用。本文总结了晶体硅中C,N,O元素的存在形态、分布规律、形成机制及工艺控制等的研究进展,并对未来硅中轻质元素的研究进行了展望,使用各种提纯工艺的优势交叉互补来控制及去除硅中的杂质值得研究及关注,对硅中C,N,O元素的交互作用的深入研究也将会对硅材料质量的提高有着积极作用。
- 谭毅秦世强石爽姜大川李鹏廷李佳艳
- 关键词：太阳能级硅
