任世强
- 作品数：26 被引量：7H指数：2
- 供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：中国博士后科学基金国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：冶金工程经济管理化学工程更多>>
- 一种横向凝固叠加电场提高多晶硅提纯得率的设备和方法
- 本发明公开了一种横向凝固叠加电场提高多晶硅提纯得率的设备，其特征在于，包括水冷柱，所述水冷柱的侧壁外侧设有石墨套筒，所述石墨套筒的侧壁外侧设有石墨坩埚，所述水冷柱、所述石墨套筒和所述石墨坩埚的轴线位于同一直线上，所述石墨...
- 谭毅庄辛鹏任世强李鹏廷姜大川李佳艳
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- 多晶硅铸锭硅固液分离方法及设备
- 本发明提供一种多晶硅铸锭硅固液分离方法及设备，该多晶硅铸锭硅固液分离方法包括以下步骤：将硅料在容器内熔化成熔融硅料，拉锭至熔融硅料中硅液的量为10~20%时，采用与容器横截面相配合的压板对熔融硅料施加压力，熔融硅料内部硅...
- 谭毅姜大川石爽任世强
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- 温度梯度对多晶硅感应熔炼除杂效果的影响被引量：1
- 2019年
- 以低硼工业硅为原料,基于真空感应熔炼技术,通过调控界面前沿的温度梯度,比较分析固液前沿温度梯度的变化对多晶硅铸锭定向凝固过程中金属杂质分凝的影响。温度梯度为473.62 K/m时,铸锭出成率达到63%,当温度梯度增大到940.51 K/m时,提纯区比例提高至88%。以Fe、Ni、Cu、Ti为研究元素,分别计算温度梯度增大前后杂质的扩散层厚度和有效分凝系数,结果表明,随着温度梯度的增大,杂质的扩散层厚度和有效分凝系数均减小,可大大提高杂质的分凝去除效果及铸锭的出成率。
- 王孟磊任世强姜大川姜大川李鹏廷
- 关键词：多晶硅温度梯度扩散层
- 一种铝硼母合金掺杂制备多晶硅靶材的铸造工艺
- 本发明公开了一种铝硼母合金掺杂制备多晶硅靶材的铸造工艺，其特征在于具有如下步骤：S1、原料配比；S2、预加热；S3、熔炼；S4、长晶过程；S5、消除热应力；S6、降温阶段。本发明选取了铝硼合金作为母合金，降低配料成本，采...
- 李鹏廷任世强谭毅王凯姜大川
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- 一种逆向离心提高多晶硅定向凝固提纯得率的设备和方法
- 本发明公开了一种逆向离心提高多晶硅定向凝固提纯得率的设备和方法，所述设备包括炉体，位于所述炉体内的硅料容器，所述硅料容器的侧壁外侧设有与所述炉体固定连接的环形发热体，所述环形发热体外侧设有与所述炉体固定连接的环形加热体，...
- 谭毅任世强庄辛鹏李鹏廷姜大川李佳艳
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- 一种多晶硅快速凝固方法
- 本发明涉及一种多晶硅逆向凝固方法，属于多晶硅生产领域。一种多晶硅快速凝固方法，包括备料、熔炼、凝固的步骤，所述凝固步骤按下述方法进行：将置于多晶硅逆向凝固装置中硅液进行定向凝固，当剩余的硅液体积为初始体积的1%～25%时...
- 姜大川任世强石爽李鹏廷谭毅
- 高纯中空硅材料、多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及设备
- 本发明提供一种高纯中空硅材料、多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及设备，本发明多晶硅铸锭硅真空固液分离方法包括以下步骤：将硅料在容器内熔化成熔融硅料；拉锭至熔融硅料中硅料长晶率达到80~90%时，抽真空使熔融硅料表面形成凝固壳...
- 姜大川任世强石爽谭毅邱介山
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- 一种底部气冷的多晶硅半熔铸锭装置及工艺
- 本发明涉及一种底部气冷的多晶硅半熔铸锭装置及工艺，属于多晶硅制备领域。一种底部气冷的多晶硅半熔铸锭装置，所述装置包括炉体，炉体内部设有定向凝固块和置于定向凝固块之上的坩埚；所述定向凝固块下方中央处设有通气的底部管道(9)...
- 姜大川李佳艳谭毅李鹏廷任世强
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- 一种硼元素均匀分布的多晶硅铸锭工艺
- 本发明涉及一种硼元素均匀分布的多晶硅铸锭工艺，属于多晶硅生产领域。一种硼元素均匀分布的多晶硅铸锭工艺，包括多晶硅生长步骤，其特征在于：所述多晶硅生长步骤包括七个多晶硅生长阶段，每个生长阶段的时间为3～4h，各个阶段的生长...
- 谭毅李鹏廷任世强石爽姜大川
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- 电子束诱导定向凝固过程中晶体形貌对杂质分布的影响被引量：2
- 2021年
- 产业条件下,利用电子束诱导定向凝固技术提纯多晶硅实现晶硅尾料的循环再利用,在硅锭中包括类单晶和柱状晶两种晶体形貌。与多晶区域相比,类单晶区域电阻率和少子寿命等电学性能分布比较均匀,铁杂质的含量分布也较均匀,其质量百分数平均值为0.000031%。电子束诱导定向凝固过程中类单晶的出现,不仅可以保证铸锭提纯区金属杂质成分均匀,而且可以进一步促进杂质向铸锭顶部富集,铸锭顶部的铁杂质含量高达0.101%。因此,利用电子束诱导类单晶生长成为可能,促进金属杂质的去除,为循环硅料的再生提供途径。
- 任世强任世强李鹏廷李鹏廷姜大川姜大川
- 关键词：硅定向凝固晶体
