钮利荣
- 作品数：20 被引量：16H指数：3
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 一种超低插损砷化镓射频开关被引量：4
- 2003年
- 报道了利用离子注入技术研制出一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关。该产品在82 0～ 95 0 MHz下 ,插入损耗≤ 0 .4 d B,回波损耗≥ 1 9.5 d B,反向三阶交调截距点≥ 67d Bm,隔离度≥ 1 5 .5 d B,控制电压为 (0 ,+4 .75 V)
- 蒋幼泉李拂晓黄念宁钮利荣陈新宇邵凯杨乃彬
- 关键词：砷化镓射频开关手机单刀双掷
- 高成品率砷化镓DPDT单片射频开关被引量：3
- 2003年
- 采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC～ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,隔离度 ISO大于 1 7d B,驻波 VSWR≤ 1 .3 ,2 GHz下 IL小于 0 .7d B,ISO大于 1 1 d B,驻波≤ 1 .3 ,反向三阶交调 PTOI优于 64 d Bm,1 W射频信号下的栅漏电小于 2 0 μA。连续五批共 60片的统计结果表明 ,该单片开关圆片上芯片的直流成品率最低 84 % ,最高 96% ;微波参数成品率在 75 %～ 86%之间 ,代表着国内 Ga
- 李拂晓蒋幼泉陈继义钮利荣高建峰邵凯杨乃彬
- 关键词：砷化镓射频开关单片开关GAAS
- 纳米科学导致下一次工业革命——第一届全国纳米技术与应用学术会议
- 2001年
- 钮利荣
- 砷化镓射频开关复合介质包封退火技术
- 对手机用砷化镓射频开关制作工艺中的离子注入及其退火技术进行了实验,认为φ76mm砷化镓圆片经光片注入Si离子后包封40nm SiO+60nm SiN进行快速退火的工艺方法先进,表面物理性能好,重复性和均匀性好,成品率高,...
- 钮利荣徐筱乐蒋幼泉杨端良
- 关键词：离子注入
- 文献传递
- 等效厚度评估GaAs MMIC的Si_3N_4电容可靠性
- 2004年
- 通过不同GaAsMMIC的MIMSi3N4电容结构,运用TDDB理论研究分析了斜坡电压下的MIMSi3N4电容的导电特性和击穿特性,确定了GaAsMMIC的MIMSi3N4电容失效不是介质本征击穿导致失效,而主要是由Si3N4介质的缺陷引起。基于缺陷导致介质电场击穿的原理,提出了等效厚度模型评估和监测GaAsMMIC的Si3N4介质电容的质量和可靠性的新方法,可以用于工艺生产线实现对Si3N4介质电容的质量和可靠性进行快速评估和监测。
- 黄云钮利荣林丽
- 关键词：可靠性
- 高成品率手机用砷化镓单片开关
- 采用砷化镓3英寸0.7μm离子注入MESFET标准工艺技术研制出手机用砷化镓单片开关(以下简称单片开关)。该单片开关面积1310×1250μm,总栅宽36mm,工作频率DC-2GHz,1GHz下插入损耗I小于0.52dB...
- 李拂晓蒋幼泉陈继义钮利荣高建峰邵凯杨乃彬
- 关键词：砷化镓单片开关
- 文献传递
- Si^+注入GaAs及其退火中SiO_2包封的作用被引量：1
- 2000年
- 对Ｓｉ＋注入ＧａＡｓ的前后及其退火的前后用和不用ＳｉＯ２包封进行了对比 实验。包封退火大大提高了注入离子的激活率；在包封退火的情况下，光片注入 的要比贯穿注入的载流子分布窄。所以，光片注入后包封退火较实用，它使载流 子分布窄，激活率高。
- 钮利荣杨端良李仲朋马式满
- 关键词：退火包封砷化镓
- 一种高可靠的砷化镓单片DPDT射频开关
- 采用砷化镓离子注入技术研制出的DPDT(双刀双掷)单片射频开关,采用塑封技术,成功地通过了高温工作寿命,抗静电(ESD),高压蒸汽(PCT),温度循环,射频功率下的漏电等试验.寿命试验表明该塑封单片电路MTTF已达6.2...
- 李拂晓蒋幼泉徐中仓钮利荣邵凯杨乃彬
- 关键词：可靠性砷化镓单片开关
- 文献传递
- 砷化镓射频开关复合介质包封退火技术
- 对手机用砷化镓射频开关制作工艺中的离子注入及其退火技术进行了实验,认为φ76mm砷化镓圆片经光片注入Si离子后包封40nm SiO<,2>+60nm SiN进行快速退火的工艺方法先进,表面物理性能好,重复性和均匀性好,成...
- 钮利荣徐筱乐蒋幼泉杨端良
- 关键词：离子注入
- 文献传递
- Ku波段MEMS振荡辐射天线
- 本文给出了用MEMS技术设计和研制的Ku波段准单片压控振荡器和全单片的MEMS振荡辐射天线。其中准单片振荡器输出功率达10mW,全单片MEMS辐射天线的振荡器与微型天线制作在一个GaAs衬底上,芯片面积为1.5×3.0 ...
- 钮利荣李拂晓蒋幼泉林金庭刘庭华章文勋
- 关键词：MEMS振荡器
- 文献传递
