许钦印
- 作品数：13 被引量：4H指数：2
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- Nb/AlOx-Al/Nb超导隧道结制备氧化工艺与特性研究
- 2012年
- 提出一种氧的等离子氧化的方法改善结区边缘绝缘性能,降低超导隧道结的漏电流。对Al膜进行等离子氧化能够有效的改善氧化膜的绝缘性能,AES分析表明:氧化绝缘层均匀,界面清晰;应用此方法成功制备出较好性能的Nb隧道结。
- 卢亚鹏曹春海李梦月许钦印肖伟房玉荣许伟伟康琳陈健吴培亨
- 关键词：超导隧道结阳极氧化
- 一种太赫兹信号检测装置
- 本发明公开了一种太赫兹信号检测装置，包括集成芯片，所述集成芯片上同时设置低温半导体读出电路和超导体检测器；低温半导体读出电路和超导体检测器相互连通，超导体检测器用于检测太赫兹信号。本发明不仅能降低系统噪声提高超导太赫兹直...
- 许钦印日比康词陈健康琳吴培亨
- 文献传递
- 半导体读出电路与超导体太赫兹检测器的集成化被引量：1
- 2013年
- 在制作基于二维超导检测阵列的太赫兹成像系统时,为了降低系统噪声,提高灵敏度、运行速度和工作稳定性,设计了一种集成低噪声低温半导体读出电路的高灵敏度超导太赫兹检测系统。基于Nb/Al/AlOX/Al/Nb超导隧道结制备了超导太赫兹直接检测器,使用半导体砷化镓结型场效应晶体管制备低温读出电路,并将超导体元器件和半导体元器件集成在同一块芯片上,避免了传统工艺中常用的连接导线或者焊盘。将集成芯片设计成直径为12mm的圆形芯片,与耦合太赫兹波信号的硅超半球透镜的尺寸一致,并将检测器天线制备在集成芯片中心处,解决了太赫兹波的耦合等问题。
- 许钦印日比康词陈健康琳吴培亨
- Nb/AlOx-Al/Nb超导隧道结的制备
- 许钦印曹春海查士同李梦月康琳许伟伟陈健吴培亨
- Nb/A1-AlO_X/Nb隧道结的制备研究被引量：2
- 2012年
- 通过改进RIE的刻蚀工艺和绝缘层的生长工艺,在SiO2/Si衬底上制备出了性能良好的超导Nb/A1-AlOX/Nb隧道结。采用CF4作为刻蚀气体,降低了RIE对结势垒层和衬底SiO2层的刻蚀。使用PECVD生长绝缘层SiO2,改善了绝缘性能,从而降低了隧道结的漏电流。
- 肖伟曹春海李梦月许钦印卢亚鹏康琳许伟伟陈健吴培亨
- 关键词：隧道结
- 阳极氧化Nb膜的界面分析
- 曹春海查士同许钦印孙国柱康琳许伟伟金飚兵陈健吴培亨
- 铌基超导隧道结太赫兹直接检测器
- 自从上个世纪八十年代以来，太赫兹科学与技术逐渐突破了源和检测器的瓶颈得以迅速发展，世界各地的科学家都争先在此领域开发这一新的电磁资源。几乎在同一时期，超导隧道结平面制备工艺也取得重大进展，从而促进了超导电子学的发展。本文...
- 许钦印
- Al/AlO_x/Al超导隧道结的制备工艺研究
- 2013年
- 研究了在高阻硅衬底上Al/AlO x/Al隧道结的制备技术,采用电子束蒸发制备Al/AlO x/Al三层材料,湿法刻蚀制备底电极和上电极以及电路连线,PECVD法生长绝缘层(SiO2)保护超导隧道结,RIE刻蚀上电极窗口。在400mK温度下测量了Al/AlO x/Al隧道结样品,得到了较好的隧道结I-V曲线,能隙电压Vg为0.325mV,超导临界电流I c为55nA,漏电流为5nA。
- 房玉荣曹春海许钦印王林张广涵姚晓栋许伟伟孙国柱吴培亨
- 关键词：ALAL超导隧道结
- 低损耗和磁调谐的超导THz人工电磁材料
- 金飚兵康琳吴培亨张彩虹Sebastian EngelbrechtAndrei Pimenov吴敬波许钦印曹春海陈健许伟伟
- 一种太赫兹信号检测装置
- 本发明公开了一种太赫兹信号检测装置，包括集成芯片，所述集成芯片上同时设置低温半导体读出电路和超导体检测器；低温半导体读出电路和超导体检测器相互连通，超导体检测器用于检测太赫兹信号。本发明不仅能降低系统噪声提高超导太赫兹直...
- 许钦印日比康词陈健康琳吴培亨
- 文献传递
