杨晓云
- 作品数：9 被引量：25H指数：3
- 供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程冶金工程理学更多>>
- 球磨Si,C混合粉末合成纳米SiC的高分辨电镜观察被引量：16
- 2000年
- 在室温条件下，球磨Ｓｉ，Ｃ混合粉末合成纳米尺寸ＳｉＣ．采用高分辨电子显微术在原子尺度上详尽地表征了该反应过程．高分辨像表明，在球磨过程中首先形成非晶 Ｃ（ａ－Ｃ）、非晶 Ｓｉ（ａ－Ｓｉ）以及纳米晶 Ｓｉ（ｃ－Ｓｉ），为合成 ＳｉＣ提供了适宜条件 ＳｉＣ的合成主要是通过 Ｃ原子向 ａ－Ｓｉ及 ｃ－Ｓｉ的扩散对于前者，形成非晶 ａ－Ｓｉ（Ｃ），然后机械力诱使非晶 ａ－Ｓｉ（Ｃ）晶化；对于后者， Ｃ原子直接取代 Ｓｉ原子形成 ＳｉＣ，具有取向关系（１１１）ＳｉＣ ／／（１１１）Ｓｉ．在一些区域内，还发生局域自蔓延反应，形成稍大尺寸的
- 杨晓云黄震威吴玉琨叶恒强
- 关键词：球磨非晶晶化纳米碳化硅FEM
- 球磨诱导6H-SiC→3C-SiC转变的HREM观察
- 1998年
- ＳｉＣ是典型的多型化合物，其多型体的生长规律及相互转变规律一直是材料科学工作者关注的问题。Ｐｉｒｏｕｚ等［１］报道了压痕压缩诱导６Ｈ－ＳｉＣ→３Ｃ－ＳｉＣ的转变，其转变温度在１０００℃以上。本文报道了在远低于１０００℃的室温球磨条件下６Ｈ－ＳｉＣ→３...
- 杨晓云石广元黄和鸾吴玉琨
- 关键词：晶体HREM碳化硅
- 球磨Si<,50>C<,50>混合粉末合成SiC的高分辨电镜观察
- 杨晓云吴玉琨叶恒强
- 关键词：混合粉末
- 文献传递
- 脆性材料球磨过程中微观结构的演变及合成机理研究
- 该论文工作选择具有代表性的脆性材料SiC,Si<,50>C<,50>混合粉末,进行球磨,着重利用高分辨电子显微术(HREM)这一分析手段,观察它们在球磨条件下产生的缺陷特征及微观结构的演变,以求对球磨状态下脆性材料的变形...
- 杨晓云
- 关键词：高分辨电子显微术SIC
- 文献传递
- 球磨诱导6H-SiC→3C-SiC的多型转变被引量：2
- 1999年
- X射线衍射与高分辨电子显微术证实了在球磨条件下可发生α SiC向β SiC的转变 .高分辨电子显微术证实α SiC中的 6H SiC向β( 3C) SiC的转变是通过磨球和粉末碰撞时在相邻密排面上引入不全位错实现的 .其基本过程是不全位错的运动使 6H的一个 ( 3,3)堆垛向 ( 4,2 ) ,( 5 ,1 )至 ( 6 ,0 )堆垛序过渡 ,形成 6层 3C SiC的{1 1 1 }堆垛 ,相继进行这一过程即可完成 6H SiC向 3C SiC的转变 .
- 杨晓云石广元黄和鸾吴玉琨
- 关键词：碳化硅球磨半导体X射线衍射分析
- SiC结构的多型性被引量：3
- 1998年
- 本文介绍了ＳｉＣ结构的多型性及其表示方法，总结了迄今为止已发现的１６０余种多型体，并介绍了本文作者发现的一个新的多型体１１４Ｒ－ＳｉＣ．ＨＪ１〗
- 杨晓云石广元黄和鸾
- 关键词：碳化硅陶瓷
- 热压NiAl纳米晶块体材料的HREM观察及EDS分析被引量：3
- 2000年
- 利用高分辨电镜（ＨＲＥＭ）及场发射电镜纳米尺度成分分析技术（ＥＤＳ分析）研究了机械合金化和真空热压技术制备 的纳米 ＮＩＡＩ块体材料的微观结构． ＨＲＥＭ及 ＥＤＳ分析结果表明在球磨过程中形成第二相粒子 Ａｌ２Ｏ３分布于 ＮｉＡｌ晶粒内 部或边界上，分布于晶粒边界上的 Ａｌ２Ｏ３对晶界起钉扎作用，有效地抑制晶粒长大；此外，观察到纳米晶粒间存在无序区，这些
- 杨晓云贺连龙周兰章郭建亭叶恒强
- 球磨Si50C50混合粉末合成SiC的高分辨电镜观察
- 杨晓云吴玉琨叶恒强
- 文献传递
- 球磨Si_(50)C_(50)混合粉末合成SiC的高分辨电镜观察被引量：1
- 2000年
- 杨晓云吴玉琨叶恒强
- 关键词：球磨碳化硅电镜
