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张书明

作品数：5 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇光电
  • 3篇光电阴极
  • 3篇GAAS光电...
  • 2篇砷化镓
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇增强器
  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇像增强器
  • 1篇抗反射
  • 1篇抗反射膜
  • 1篇俄歇分析
  • 1篇NEA
  • 1篇SIN
  • 1篇铯

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇张书明
  • 4篇侯洵
  • 3篇孙长印
  • 3篇赛小峰
  • 2篇朱李安
  • 2篇高鸿楷
  • 1篇程昭
  • 1篇何益民
  • 1篇马秀玲

传媒

  • 4篇光子学报

年份

  • 4篇1996
  • 1篇1995
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
抗反射膜SiN的热退火特性被引量：3
1995年
本文研究了ＰＥＣＶＤ抗反射膜ＳｉＮ的热退火特性。测量结果表明，经过制备ＧａＡｓ透射光阴极的热压粘结工艺的热退火处理ＳｉＮ薄膜的折射率增加了约０．１，薄膜厚度减少了约１５％。ＩＲ透射谱分析表明，这是由于退火后膜中Ｈ的释放而引起化学键比例变化所致。此项工作为透射式ＧａＡｓ光阴极抗反射膜的设计和制备提供了依据。
张书明赛小峰侯洵
关键词：热退火抗反射膜氮化硅
NEA GaAs光电阴极激活工艺研究
1996年
本文报道了 GaAs 反射式光电阴极的激活工艺过程和结果.通过实验确定了 GaAs表面的热清洁温度,利用钼丝热辐射加热方法达到了比较理想的清洁效果,采用铯分子源和高纯氧作氧源获得了高于1000μA/1m 的激活积分灵敏度.
张书明孙长印朱李安赛小峰程昭何益民高鸿楷侯洵
关键词：光电阴极砷化镓
GaAs光电阴极片原子级表面清洁方法的研究及评价
1996年
本文对ＧａＡｓ光电阴极片ＵＨＶ系统中原子级表面清洁方法做了研究，它们是：光加热法、直接加热法、离子轰击加退火法、热子加热法，表面清洁效果用装于ＵＨＶ系统中间在线俄歇检测，表面质量用Ａａ／ＧａＡｕｇｅｒ峰高进行比较，指出两种用于第三代象增强器光电阴极的表面清洁方法：ＣＳ－离子轰击加退火法和热子背加热法。
孙长印张书明马秀玲侯洵
关键词：砷化镓光电阴极
GaAs光电阴极制备工艺的俄歇分析
1996年
我们在一台制作第三代象增强器的超高真空系统中安装了俄歇（Ａｕｇｅｒ）能谱仪，以其对ＧａＡｓ光电阴极的制备过程进行在线监测分析，其中包括选择性腐蚀过程的俄歇观测，阴极激活前清洁措施的效果评价和Ｃｓ－Ｏ激活过程中Ａｓ／Ｇａ俄歇信号比对光电灵敏度的影响，Ｃｓ源纯度的分析及对光电发射的影响。根据分析结果，激活出了１０００μＡ／ｌｍ的反射式光电阴极和５００μＡ／ｌｍ的透射式光电阴极。
孙长印张书明朱李安赛小峰高鸿楷侯洵
关键词：光电阴极俄歇分析
第三代像增强器的研究
张书明
关键词：像增强器
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