高鸿楷
- 作品数：45 被引量：85H指数：6
- 供职机构：中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>
- 金属有机化学气相沉积GaAs／Si外延层中的深能级发光对温度的依赖关系
- 1995年
- 本文测量了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的深能级发光光谱对温度的依赖关系，系统地研究了１．１３和１．０４ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随着温度的变化关系，获得了它们的热激活能，Ｈｕａｎｇ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移，并讨论其来源．
- 赵家龙高瑛刘学彦苏锡安梁家昌高鸿楷龚平王海滨
- 关键词：砷化镓外延层MOCVD温度
- 高效太阳能电池研究
- 高鸿楷赛小锋何益民李宝霞李辉
- InGaP/GaAs/Ge级联电池保留了其它电池的全部优点，具有转换效率高，功率/面积比大，耐辐照，重量轻，机械强度好等优点，是一种在太空中使用的比较理想的太阳电池。该项目研制的级联电池将吸收不同波段的光的单结电池通过底...
- 关键词：
- 关键词：太阳能电池
- MOCVD法透射式GaAs光阴极材料生长及性能研究被引量：1
- 1993年
- 应用常压 MOCVD 装置制备了透射式 GaAs 光电阴极材料。p 型 GaAs 发射层掺杂浓度为10(?)～10^(19)cm^(-3),少子扩散长度为4.02μm。Al_xGa_(1-x)As 层的铝组份含量达0.83光谱吸收波长范围与设计值基本符合。用此方法生成的材料进行了阴极激活实验,制成了透射式 GaAs 光电阴极。
- 高鸿楷张济康云峰
- 关键词：砷化镓光电阴极MOCVD
- GaAs／Ge的MOCVD生长研究被引量：5
- 1996年
- 用常压ＭＯＣＶＤ在Ｇｅ衬底上外延生长了ＧａＡｓ单晶层，研究了ＧａＡｓ和６ｅ的极性与非极性材料异质外延生长，获得了质量优良的ＧａＡｓ／Ｇｅ外延片，ＧａＡｓ外延层Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽达１６弧秒。１０Ｋ下ＰＬ谱半峰宽为７ｍｅＶ．讨论了极性与非极性外延的界面反相畴问题和ＧａＡｓ－Ｇｅ界面的Ｇａ、Ｇｅ原子互扩散问题。
- 高鸿楷赵星何益民杨青朱李安
- 关键词：MOCVD砷化镓
- GaSb衬底上外延InAs_xSb_(1-x)材料的LP-MOCVD研究被引量：4
- 2005年
- 采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与GaSb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的InAsSb外延层.
- 李晓婷王一丁汪韬殷景致王警卫赛小锋高鸿楷张志勇
- 关键词：LP-MOCVDGASBINASSB生长温度
- 1.25μm近红外场助光阴极材料InGaAsP/InP的液相外延
- 1992年
- 本文简要阐述了近红外场助光阴极的原理及对外延材料的要求。利用液相外延工艺并采用独特的掺杂技术生长出了用于近红外光电阴极的InP/InGaAsP 异质结结构。显微分析。x射线双晶衍射、电子探针、电化学C-V等测试结果表明外延层的结晶质量及电学性能符合设计的特殊要求,在此基础上制作的场助光电阴极量子效率在1.20μm处为3.5×10^(-4),其响应波长可达1.25μm。
- 王存让李晋闽郭里辉侯洵李相民张工力高鸿楷
- 关键词：液相外延生长光阴极半导体材料
- 实用化微机全自动控制XG60-1型MOCVD装置的研制
- 1990年
- 本文介绍的是自行设计与制造的高度自动化MOCVD装置。该装置设有9路流量控制管路,6路源,1路HCl气源及氯气旁路,装置气密性好,8 kg/cm^2正压时,用Snoop溶液检测无泄露。配有真空机组,反应室可抽至10^(-5)乇。反应室为高频加热,控温精度±0.2℃,有机源冷井控温精度±0.1℃,设有压力,H_2、AsH_3、PH_3报警及自动处置系统,有断水,断电保护,全部控制量均为数字显示,温度及全部流量的设置与调整均实现微机自动控制,配有GaAs,AlGaAs单层及多层结构生长工艺的专用软件,实现完全自动化生长。该装置性能稳定,重复性好,安全可靠,对操作者及环境无危害,设有手动及自动转换开关,适合于科研和生产使用。
- 高鸿楷张济康叶亚仙李秀如云峰刘瑛张增颜侯洵
- 关键词：微机MOCVD装置半导体设备
- NEA GaAs光电阴极激活工艺研究
- 1996年
- 本文报道了 GaAs 反射式光电阴极的激活工艺过程和结果.通过实验确定了 GaAs表面的热清洁温度,利用钼丝热辐射加热方法达到了比较理想的清洁效果,采用铯分子源和高纯氧作氧源获得了高于1000μA/1m 的激活积分灵敏度.
- 张书明孙长印朱李安赛小峰程昭何益民高鸿楷侯洵
- 关键词：光电阴极砷化镓
- 高分辨率多晶多反射X射线衍射仪在半导体材料分析中的应用被引量：1
- 1997年
- 用高分辨率多晶多反射X射线衍射仪进行衍射空间的二维扫描是目前非损伤性表征半导体材料质量的手段之一．不同质量的材料在二维衍射空间中的衍射图形状不同．本文以GaAS／AlGaAs为例，展示了如何利用X射线的二维衍射空间图的形状来定性地分析半导体单晶样品的宏观弯曲、微观倾斜、组分梯度、应变、弛豫以及平行于界面的连续性等问题．所得结果同样适用于其它半导体材料．
- 朱李安高鸿楷何益民贺丽赛小锋侯洵
- 关键词：X射线衍射仪倒易空间半导体晶体
- 透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层内应力的种类及其表征与测量被引量：7
- 2002年
- 本文介绍了透射式 Ga As光电阴极 Al Ga As窗层和 Ga As光电发射外延层内应力的种类及其表征方法和测量方法 。
- 李晓峰张景文高鸿楷侯洵
- 关键词：GAAS/ALGAAS光电阴极X射线衍射砷化镓
