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刘雪芹

作品数:29 被引量:149H指数:7
供职机构:兰州大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金甘肃省自然科学基金磁学与磁性材料教育部重点实验室开放课题基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 23篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 14篇理学
  • 10篇一般工业技术
  • 6篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 7篇纳米
  • 7篇发光
  • 5篇光致
  • 4篇溶胶
  • 4篇溅射
  • 4篇光致发光
  • 4篇硅薄膜
  • 4篇P型
  • 4篇Y
  • 3篇低介电常数
  • 3篇多孔
  • 3篇退火
  • 3篇微结构
  • 3篇纳米多孔
  • 3篇介电常数
  • 3篇半导体
  • 3篇V2O5薄膜
  • 3篇AU
  • 3篇衬底
  • 2篇电荷

机构

  • 29篇兰州大学
  • 3篇商丘师范学院
  • 2篇北方工业大学
  • 2篇西北师范大学
  • 2篇西北民族大学

作者

  • 29篇刘雪芹
  • 19篇王印月
  • 8篇兰伟
  • 6篇甄聪棉
  • 6篇苏庆
  • 5篇何志巍
  • 5篇龚恒翔
  • 5篇杨映虎
  • 3篇张静
  • 3篇马书懿
  • 3篇刘亚强
  • 2篇何山虎
  • 2篇于明朗
  • 2篇徐大印
  • 2篇唐国梅
  • 2篇方泽波
  • 2篇黄春明
  • 2篇谢二庆
  • 2篇张晓倩
  • 1篇潘佳奇

传媒

  • 10篇物理学报
  • 3篇兰州大学学报...
  • 2篇纳米科技
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇热加工工艺
  • 1篇中国表面工程
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇材料导报(纳...
  • 1篇第11届全国...
  • 1篇第二届全国金...
  • 1篇全国化合物半...

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2009
  • 6篇2008
  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 3篇2004
  • 3篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 5篇2000
  • 1篇1999
29 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Ni掺杂ZnO薄膜的结构与光学特性研究被引量:5
2009年
使用射频磁控溅射法成功制备了不同掺杂浓度(0—7at.%)的ZnO:Ni薄膜.X射线衍射的θ-2θ和摇摆曲线扫描结果表明,5at.%Ni掺杂ZnO薄膜具有沿c轴方向最佳的择优取向生长特性,(002)衍射峰向大角度方向移动揭示了Ni杂质被掺入ZnO晶格中占据Zn位.ZnO:Ni薄膜具有较好的可见光透明特性,拟合发现薄膜的光学带隙随Ni掺杂量的增加由3.272eV线性降低到3.253eV.未掺杂薄膜在550nm处呈现出一个绿色发光峰,掺入Ni杂质后薄膜主要表现了以430nm为中心的蓝色发光,分析认为它们分别源于薄膜中O空位和Zn填隙缺陷发光.
兰伟唐国梅曹文磊刘雪芹王印月
关键词:结构特性光学带隙光致发光
溶胶凝胶法制备ZnO薄膜及性质研究被引量:17
2006年
以二水醋酸锌为原料,使用溶胶凝胶法在(100)Si衬底上旋转涂敷得到ZnO薄膜.采用傅立叶变换红外光谱和X射线衍射(XRD)分析经N2、空气、O2不同气氛400℃退火ZnO薄膜的成分和结构差异.使用XRD、原子力显微镜和光致发光手段重点研究了N2气氛条件下,ZnO薄膜结构与发光特性随退火温度的变化规律,发现400℃下退火更适于干凝胶薄膜经历结构弛豫,生成具有(002)择优取向、性质优良的纳米晶ZnO薄膜.计算该样品的晶粒尺寸为41.6 nm,晶格常数α=0.3253nm, c=0.521 nm,其PL光谱出现495 nm附近强的绿光发射峰,可能源于ZnO纳米晶粒表面缺陷氧空位(Vo).随着退火温度升高,ZnO生成量减少、晶粒体表面积比(S/V)减小共同作用导致绿光峰强度变弱.
兰伟朋兴平刘雪芹何志巍王印月
关键词:ZNO薄膜退火光致发光溶胶凝胶
退火对多晶ZnO薄膜结构与发光特性的影响被引量:59
2003年
用射频反应溅射法在Si(111)衬底上制备了C轴取向的多晶ZnO薄膜 ,通过不同温度的退火处理 ,研究了退火对多晶ZnO薄膜结构和发光特性的影响 .由x射线衍射得知 ,随退火温度的升高 ,晶粒逐渐变大 ,薄膜中压应力由大变小至出现张应力 .光致发光测量发现 ,样品在 4 30nm附近有一光致发光峰 ,峰的强度随退火温度升高而减弱 ,联合样品电阻率随退火温度升高而逐渐变大的测量及能级图 。
方泽波龚恒翔刘雪芹徐大印黄春明王印月
关键词:发光特性退火氧化锌薄膜半导体材料
溅射法制备五氧化二钒薄膜的拉曼光谱研究
在不同的衬底温度下,使用直流磁控溅射在硅片上制备五氧化二钒(V2O5)薄膜.利用拉曼光谱和X射线衍射(XRD)研究了衬底温度与退火对V2O5薄膜结构的影响.在溅射沉积过程中,衬底温度较低时(<500℃)制备得到层状结构的...
苏庆王媛兰伟王印月刘雪芹
关键词:拉曼光谱衬底温度直流磁控溅射
文献传递
SiC/SiO2超晶格的蓝光发射研究被引量:1
2004年
利用RF共溅射的方法,制备了SiC/SiO2多层膜,测量了样品的光致发光(PL)谱和光激发(PLE)谱,并观察到室温下的蓝光发射现象。改变势阱层的厚度,观察430nm的蓝光峰的蓝移现象。我们又进行了光致发光峰(PL)在外加偏压前后情况的测试。样品在加上10伏(电流为0.5mA)偏压后,发光峰有明显的蓝移和加强现象,通过测量PLE谱,认为样品在加偏压后引起自由激子的辐射复合使发光峰发生蓝移。
张静姜岩峰刘文楷刘雪芹王印月
关键词:超晶格蓝光发射
一种制备多孔低介电常数薄膜材料的方法
本发明公开一种制备多孔低介电常数薄膜材料的方法,特别是生产半导体集成电路中形成电路的互连线层间或每层互连线间的绝缘介质的制备方法,特别是用溶胶-凝胶法制备多孔二氧化硅薄膜的方法。本发明的方法是在用溶胶-凝胶法制备多孔二氧...
何志巍刘雪芹王印月
文献传递
Raman光谱研究厚度对La_(0.9)Sr_(0.1)MnO_3/Si薄膜结构的影响
2009年
通过溶胶-凝胶旋涂方法结合后退火工艺在Si(100)上制备了不同厚度的La0.9Sr0.1MnO3(LSMO)薄膜,利用X射线衍射(XRD)和共焦显微拉曼散射(Raman)研究了LSMO/Si(100)薄膜的微结构.研究结果表明90nm厚的LSMO薄膜具有正交相结构,当厚度大于150nm时,薄膜具有菱方相结构.150nm厚的薄膜的Raman图谱中,490cm-1和602cm-1正交结构中的Jahn-Teller特征峰和670cm-1附近菱方相中MnO6八面体的反对称伸缩模式振动特征峰非常明显,表明薄膜为两相共存结构.随着薄膜厚度的增加,薄膜的晶格常数发生变化,a增大,c减小.这是由于在较厚的薄膜中,相邻MnO6八面体间的夹角变大,Mn—O键长增长.通过使用不同波长的激光Raman散射证实,LSMO/Si薄膜的确具有两相共存结构.由于LSMO和Si衬底间晶格失配,衬底与薄膜的界面处产生了应力,薄膜具有在衬底与薄膜的界面处为正交相、表面为菱方相的双层结构.利用不同波长激发的Raman散射,可以很容易的研究LSMO/Si薄膜的界面结构.
刘雪芹韩国俭黄春奎兰伟
关键词:LA1-XSRXMNO3微结构
高疏水及超黏着性石墨烯薄膜的制备及表征被引量:7
2012年
石墨烯因其特殊的二维结构和优异的力热光电性能而备受关注,因此研究石墨烯薄膜的表面性能具有重要的意义。以天然鳞片石墨为前驱体,采用化学氧化还原工艺制备石墨烯纳米片,利用原子力显微镜、拉曼光谱和红外吸收光谱等测试手段对样品进行表征。采用真空抽滤和喷涂两种方法制备石墨烯薄膜,并用光学接触角测量仪对其表面性能进行测试。结果表明:石墨烯纳米片的厚度约为0.8nm,并且表面有C=O、C-O、O-H等基团和缺陷。真空抽滤制备的石墨烯薄膜具有微纳结构,表现为高疏水性;喷涂法制备的石墨烯薄膜结构较为平整,其疏水性受基底影响。两种方法制备的石墨烯薄膜皆具有高黏着性。石墨烯薄膜所具有的优异性能为其在微纳功能部件、微流输运等高新技术领域的应用奠定了基础。
苏庆张晓倩于明朗刘雪芹
关键词:石墨烯疏水性
溶胶凝胶旋转涂敷技术制备ZnO∶In薄膜的结构特性被引量:8
2006年
采用溶胶凝胶法,结合旋转涂敷技术在石英衬底上制备了210—240nm厚度的ZnO∶In薄膜.使用掠角入射X射线衍射(GI_XRD)、常规X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、原子力显微镜、光致发光谱以及不同入射角GI_XRD谱(α=1,2,3和5°)等手段,对不同掺杂浓度的ZnO∶In薄膜进行了结构分析.发现ZnO∶In薄膜内部是由大尺寸(002)晶向的无应力ZnO晶粒堆积而成,而薄膜表面主要是小尺寸的(002)和(103)晶粒,并且适量的In掺杂能有效改善ZnO薄膜内部的晶体结构特性.
兰伟刘雪芹黄春明唐国梅杨扬王印月
关键词:晶体结构溶胶凝胶法
电泳沉积制备功能薄膜材料研究进展被引量:7
2008年
电泳沉积是一种制备功能薄膜材料的电化学方法,应用广泛且发展迅速。综述了电泳沉积生长机制的最新研究以及其在功能薄膜制备与应用上的研究进展,指出了对其生长机制的深入研究以及新电泳沉积方法的开发将有利于功能薄膜材料的研究与应用。
周海佳刘雪芹苏庆
关键词:功能材料双电层复合材料
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