甄聪棉
- 作品数：69 被引量：88H指数：5
- 供职机构：河北师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- Mn<Sub>50</Sub>Ni<Sub>50-x</Sub>Al<Sub>x</Sub>高温铁磁形状记忆合金材料及其制备方法
- 本发明公开了一种具有高温形状记忆效应的磁性材料，其化学式为：Mn<Sub>50</Sub>Ni<Sub>50-x</Sub>Al<Sub>x</Sub>，其中，2≤x≤14，x表示原子百分比含量。其制备方法是：(1)按化...
- 马丽李远征王曙巧甄聪棉侯登录
- 文献传递
- 一种具有零场冷却交换偏置效应的磁性带材及其制备方法
- 本发明公开了一种具有零场冷却交换偏置效应的磁性带材，其化学式为：Mn<Sub>50</Sub>CoNi<Sub>49-x</Sub>Al<Sub>x</Sub>，其中，10≤x≤15，x表示原子百分比含量。制备方法包括以...
- 马丽李国杰李远征甄聪棉侯登录
- 文献传递
- MnNiSnSi铁磁形状记忆合金中增强的反铁磁相互作用所诱发的自发交换偏置效应
- 申建雷李萌萌李国科马丽甄聪棉候登录
- 一种具有室温铁磁性的纳米SiO<Sub>2</Sub>微球材料及其制备方法
- 本发明公开了一种具有室温铁磁性的纳米SiO<Sub>2</Sub>微球材料。将SiO<Sub>2</Sub>微球有序沉积在Si衬底上制成，沉积用的前驱液中SiO<Sub>2</Sub>微球浓度≤7.6mg/ml，样品呈现...
- 甄聪棉刘秀敏王星马丽侯登录
- 文献传递
- ICPCVD制备硅薄膜结构的椭偏光谱研究被引量：1
- 2007年
- 利用单圈内置式ICP-CVD方法在室温下制备了Si薄膜。在拉曼光谱、原子力显微镜(AFM)对样品结构分析的基础上,采用对样品结构无损伤的椭圆偏振光谱(SE)法对样品进行了测量,结合有效介质近似(EMA)模型,对样品的微结构进行了计算拟合。拉曼光谱及AFM分析表明:样品为具有纳米晶相的Si薄膜;分光椭圆偏振法结合EMA模型对样品微结构的拟合分析得出了同样的结论,说明即使在室温下用ICP-CVD也获得了具有纳米晶相的Si薄膜,薄膜微结构与源气体SiH4浓度有密切关系。说明分光椭圆偏振法是研究薄膜材料的一种有力手段。
- 王晓强贺德衍李明亚甄聪棉韩秀梅
- 关键词：SI薄膜
- 环境友好型多铁性FeBSi/BaTiO3复合薄膜的研究
- 本文采用脉冲激光沉积和离子束溅射方法制备了无铅多铁性FeBSi／BaTiO3复合薄膜。室温X射线衍射和拉曼散射表明BaTiO3以四方结构存在，FeBSi是非晶态，并且在复合薄膜中未观察到其它衍射峰的存在，表明二者之间未发...
- 周真真侯登录马丽甄聪棉
- 关键词：多铁性无铅BATIO3
- 文献传递
- Au/Ti/p型金刚石膜欧姆接触特性研究
- 2000年
- 在重掺杂硼金刚石膜上溅射沉积了Ti/Au接触 ,用CTLM测量了样品退火前后的I-V特性 ,并对大电流情况进行了讨论。就测试温度和光照强度对接触特性的影响进行了分析。定性给出了该接触的能带模型。样品接触电阻率 ρc 最低值达 1.2 3 6× 10 - 6 Ω·cm2 。
- 王印月甄聪棉刘雪芹闫志军龚恒翔杨映虎何山虎
- 关键词：欧姆接触金刚石薄膜接触电阻率溅射沉积
- N掺杂SiO_2纳米薄膜的制备及其磁性
- 2010年
- 利用射频磁控反应溅射技术,制备了氮掺杂的SiO2纳米薄膜.发现N掺杂SiO2体系纳米薄膜具有铁磁性.较小的氮化硅颗粒均匀分布在氧化硅基质中有利于磁有序的形成.基底温度为400℃时,样品薄膜具有最大的饱和磁化强度和矫顽力,分别为35emu/cm3和75Oe.薄膜的磁性可能产生于氮化硅和氧化硅的界面.理论计算表明,N掺杂SiO2体系具有净自旋.同时,由氮化硅和氧化硅界面之间的电荷转移导致的轨道磁矩也会对样品的磁性有贡献.
- 周鸿娟甄聪棉张永进赵翠莲马丽侯登录
- 关键词：射频磁控反应溅射基底温度
- SiO_2微球模板制备多孔硅与其热电性能研究
- 2016年
- 利用SiO_2微球模板法腐蚀Si片,发现不仅提高了腐蚀速率,而且孔洞更加均匀,孔隙率和有序性有所提高.对所制备的多孔硅进行性能测试结果表明,随腐蚀时间增加热导率降低.与相同时间无模板直接化学腐蚀多孔硅相比,SiO_2微球模板法得到的多孔硅有更低的热导率.将多孔硅腐蚀时间75min与腐蚀时间90min进行比较,样品的激活能由100.49meV增加到174.19meV,电阻率略有上升.
- 刘晓伟郭文哲翟晓霞甄聪棉马丽侯登录
- 关键词：热电材料多孔硅热电性能热导率
- MnNiGa体系中自旋亚稳态诱发的零场冷交换偏置
- 2021年
- 磁性材料中自旋亚稳态的存在往往会使体系中出现新奇的物理现象,例如磁跳变、变磁相变、斯格明子等.本文通过设计MnNiGa体系中Mn原子的占位,并基于第一性原理计算预期Mn_(2)Ni_(1.5)Ga_(0.5)中存在自旋亚稳态.由此选取Mn_(2)Ni_(2-x)Ga_(x)(x=0.36–0.60)为研究平台开展相关研究.实验结果显示,在Mn_(2)Ni_(1.5)Ga_(0.5)成分附近,晶格常数、晶轴比、直流和交流磁性测试均发生反常变化,并观测到零场冷交换偏置,表明了自旋亚稳态对结构和磁结构的双重影响,证明了自旋亚稳态对零场冷交换偏置的主导性作用.本工作为磁性材料中自旋亚稳态的设计提供了新思路,为零场冷交换偏置体系的实现提供了新方法.
- 李婕高林邓姣姣王祎赵德伟马丽齐世飞甄聪棉侯登录
