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黄绮

作品数:103 被引量:131H指数:6
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 60篇期刊文章
  • 23篇会议论文
  • 17篇专利
  • 2篇科技成果

领域

  • 59篇电子电信
  • 18篇理学
  • 2篇机械工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 25篇多量子阱
  • 21篇衬底
  • 18篇半导体
  • 18篇GAAS/A...
  • 17篇红外
  • 16篇探测器
  • 16篇红外探测
  • 16篇红外探测器
  • 13篇砷化镓
  • 12篇分子束
  • 12篇分子束外延
  • 11篇光电
  • 11篇超晶格
  • 10篇晶格
  • 10篇GAAS
  • 9篇量子阱红外探...
  • 9篇发光
  • 9篇GAAS/A...
  • 7篇光学
  • 7篇GAN

机构

  • 101篇中国科学院
  • 14篇山东大学
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  • 3篇北京大学
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇华北光电技术...
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇聊城大学
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇青岛大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇天津大学
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇电子部
  • 1篇中华人民共和...

作者

  • 102篇黄绮
  • 81篇周均铭
  • 33篇陈弘
  • 18篇贾海强
  • 14篇王文冲
  • 14篇程兴奎
  • 13篇李宁
  • 13篇韩英军
  • 12篇陆卫
  • 11篇周钧铭
  • 7篇于洪波
  • 7篇刘洪飞
  • 7篇沈学础
  • 7篇郭丽伟
  • 5篇万里
  • 5篇李卫
  • 5篇张治国
  • 5篇李宏伟
  • 4篇张满红
  • 4篇李志强

传媒

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  • 8篇物理学报
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  • 7篇红外与毫米波...
  • 5篇固体电子学研...
  • 4篇量子电子学报
  • 4篇科学通报
  • 3篇物理
  • 2篇红外与激光工...
  • 2篇光学学报
  • 2篇发光学报
  • 2篇科技开发动态
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  • 1篇半导体情报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇中国科学(A...
  • 1篇物理教学
  • 1篇红外
  • 1篇高技术通讯

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 6篇2006
  • 6篇2005
  • 15篇2004
  • 4篇2003
  • 4篇2002
  • 20篇2001
  • 7篇2000
  • 15篇1999
  • 3篇1998
  • 3篇1997
  • 4篇1996
  • 3篇1995
  • 1篇1993
  • 4篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1990
  • 2篇1989
  • 1篇1987
103 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的γ辐照研究被引量:2
2000年
本文报道了γ射线辐照对量子阱红外探测器性能的影响.γ射线的辐射剂量分别为1mrad、6mrad、16mrad.测量了器件在不同γ辐照剂量下的光谱响应、暗电流、黑体响应率.通过对实验结果的分析,暗电流和黑体响应率随γ辐照剂量增加而递减,表明探测器的性能随γ射线辐照剂量的增加而逐步衰减.
李宁李娜胡新文袁先漳陆卫沈学础黄绮周均铭
关键词:多量子阱红外探测器Γ射线辐照砷化镓
GaAs SOI衬底上Metamorphic-HEMT材料的制备
本文介绍了GaAs SOI衬底上制备MM-HEMT材料的方法.器件结果显示了优良的电荷控制能力,降低了衬底漏电流和1/5噪声.
周均铭陈弘贾海强王文冲黄绮
关键词:GAAS衬底MM-HEMT材料
文献传递
Ga As/ Al Ga As量子阱红外探测器的光荧光表征被引量:3
2001年
对 Ga As/ Al Ga As量子阱红外探测器器件进行显微荧光光谱 (μ- PL)测量 ,光谱中表征势垒、势阱基态间光跃迁能量位置的荧光峰直接与势垒中 Al含量相关 ,通过光谱实验上对势垒和量子阱带间跃迁能量的确定并结合有效质量理论的计算 ,获得了 Al组分和阱宽值 ,并由此推算出相应的红外探测响应波长 ,与光电流谱的实验结果相比吻合良好 .
蔡炜颖李志锋李宁陆卫沈学础周均铭黄绮
关键词:红外探测器多量子阱ALGAAS
量子阱红外探测器响应峰值波长的Raman散射测量被引量:3
2005年
通过测量多量子阱材料的Raman散射谱,可以预测出:由该种材料制出的量子阱红外探测器的响应峰值波长.它既不需要实际制出量子阱红外探测器,也不需要对多量子阱结构材料进行抛光处理,方法简便,结果可靠.
程兴奎连洁王青圃周均铭黄绮闫循领
关键词:量子阱红外探测器峰值波长多量子阱材料
高灵敏度穿通型异质结光电晶体管被引量:4
1995年
报导了一种带有独特隔离环结构的宽禁带发射区平面穿通型光电晶体管(GR-PTHPT),在弱光信号下具有高灵敏度。器件工作时基区全部耗尽,基极电流基本为零,输出噪声电流大大下降,使光电增益提高了一个量级以上。已研制成的GaAlAs/GaAs穿通型光电晶体管(发射极直径φ=4μm)。在5V工作电压下,对0.8μm,1.3nw和43nw弱光的光电增益分别为1260和8108。折合到输入端暗电流为0.83nA。
李国辉韩德俊韩卫姬成周朱恩均周均铭黄绮
关键词:高灵敏度穿通型异质结光电晶体管
垂直场量子阱光折变器件的最佳作用光强
张燕锋张满红黄绮周均铭
关键词:光折变器件
掺杂GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格的光致发光特性分析被引量:2
2005年
在室温下,通过光致发光实验研究了用MBE生长的GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格材料的光致发光特性,对测得的发光峰进行了指认。理论计算和实验结果符合很好。
李华程兴奎周均铭黄绮
关键词:GAAS/ALGAAS超晶格光致发光
低温Si上生长GeSi的应力释放机制
彭长四黄绮周均铭
分子束外延及其应用
1999年
黄绮
关键词:分子束外延半导体
GaAs衬底上外延立方GaN的电镜分析
万里陈弘段晓峰李志强刘洪飞黄绮周均铭
关键词:GAAS衬底GAN生长电镜分析
文献传递
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