贾海强
- 作品数：152 被引量：45H指数：5
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- GaAs SOI衬底上PHEMT器件特性演示
- 为了验证GaAs SOI的优势,本文利用AlAs氧化制备的SOI GaAs(001)衬底,生长了PHEMT结构材料,并进行了材料特性和器件特性分析.
- 贾海强陈弘王文冲王文新李卫黄绮周均铭
- 关键词：晶体管直流特性
- 文献传递
- n型Al_xGa_(1-x)N材料的电学和光学性质
- 2006年
- 文章介绍了无裂纹高导电性n型A lxGa1-xN的MOCVD生长及其电学、光学和表面形貌性质。通过A lN两步生长法,有效地解决了A lxGa1-xN外延薄膜易裂的难题。并且对其生长进行优化,减少了A lxGa1-xN外延薄膜中的受主补偿缺陷,从而实现了高导电性的n型A lxGa1-xN薄膜,其载流子浓度为4.533×1018cm-3,并且电子迁移率高达77.5cm2/V.s,已经达到了目前国际上报道的先进水平。另外光学吸收谱说明A lxGa1-xN外延薄膜在302nm处具有陡峭的带边吸收,同时结合原子力显微镜分析材料的表面形貌,证实了材料表面光滑且平整。
- 彭铭曾张洁朱学亮郭丽伟贾海强陈弘周均铭
- 关键词：MOCVD光学吸收
- 带有低熔点凸点的倒装焊接结构及制作方法
- 本发明提出一种带有低熔点凸点的倒装焊接结构及制作方法。这种凸点制作方法是在普通纯金凸点和焊盘的制作基础上加以改进，凸点和焊盘采用Ti/Au结构，在凸点上或凸点对应的焊盘上蒸发一层Au/Sn合金或其他低熔点合金层，这种制作...
- 牛萍娟贾海强陈宏刘宏伟杨广华高铁成罗惠英
- 文献传递
- 多量子阱红外探测器
- 本发明涉及多量子阱红外探测器。根据一实施例，一种多量子阱红外探测器可包括：第一半导体层，其具有第一导电类型；第二半导体层，其具有第二导电类型，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；以及多量子阱层，设置在所述第一半导体层...
- 孙令王禄马紫光江洋王文新贾海强陈弘
- 分子束外延生长InAsSb材料的组分控制
- 采用分子束外延方法在GaSb衬底上生长了不同组分的InAs1-xSbx外延层.实验发现,在生长InAsSb薄膜时,Sb束流相比As束流具有更高的并人能力.利用这一特点,成功实现了双Ⅴ族材料InAsSb薄膜材料的组分控制....
- 孙庆灵王禄王文奇孙令王文新贾海强陈弘
- 一种光刻胶图形的制备方法
- 本发明提供了一种光刻胶图形的制备方法，包括下列步骤：步骤1)在基底上形成第一光刻胶层；步骤2)在所述第一光刻胶层上沉积掩膜层；步骤3)在所述掩膜层上形成第二光刻胶层；步骤4)利用双光束激光干涉曝光在所述第二光刻胶层上形成...
- 乐艮贾海强陈弘
- 文献传递
- 一种制备纳米尺寸金属薄膜图形的方法
- 本发明提供一种制备纳米尺寸金属薄膜图形的方法，包括以下步骤：A.在基片上制备光刻胶图形；B.在所述步骤A得到的覆盖有光刻胶图形的基片上沉积金属薄膜，得到沉积有金属薄膜的基片；C.将所述步骤B得到的沉积有金属薄膜的基片放入...
- 贾海强迭俊珲陈弘王彩玮江洋
- GaAs SOI衬底上Metamorphic-HEMT材料的制备
- 本文介绍了GaAs SOI衬底上制备MM-HEMT材料的方法.器件结果显示了优良的电荷控制能力,降低了衬底漏电流和1/5噪声.
- 周均铭陈弘贾海强王文冲黄绮
- 关键词：GAAS衬底MM-HEMT材料
- 文献传递
- 一种基于中间能带的InSb量子点多色红外探测器
- 本发明公开一种基于中间能带的InSb量子点多色红外探测器，所述红外探测器由下到上依次包括：锑化镓（GaSb）或砷化铟(InAs)材料的衬底、InAs材料的底接触层、量子点层和InAs材料的顶接触层，其中，所述量子点层包括...
- 王禄陈弘王文新贾海强
- 一种新型晶硅异质结叠层太阳能电池结构及制备方法和应用
- 本发明实施例涉及一种新型晶硅异质结叠层太阳能电池结构及制备方法和应用，新型晶硅异质结叠层太阳能电池结构是基于非绒面平面结构的N型单晶硅片的晶硅异质结叠层太阳能电池结构，从下至上依次包括底电池、隧穿结和顶电池；本发明利用多...
- 陈弘贾海强杜春花雷宇韩久放于夕然张宇超李云王文新
