蒋红
- 作品数：134 被引量：85H指数：4
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 共振腔增强GaInAsSb光电探测器设计及数值模拟被引量：1
- 2004年
- 设计了一种从衬底入射的共振腔增强型GaInAsSb/GaSb光电探测器结构。在这种结构中,上反射镜是由9.5～15.5个周期的InAs/GaSbQWS组成,下反射镜由3个周期的SiO2/SiQWS组成。器件上表面镀有一层高透射率的抗反射层。计算表明,在设计的工作波长2.4mm,器件可以获得大约(91～88)%的量子效率。在2～2.9mm波长范围器件的量子效率有两个峰,这使得器件可以作为双色探测器来工作。
- 李军宋航金亿鑫蒋红缪国庆赵海峰
- 关键词：GAINASSB光电探测器DBR反射率量子效率
- InGaAs材料的光致发光研究
- 本文讨论了利用LPMOCVD技术在旋转石墨基座上生长与InP匹配的In<,0.53>Ga<,0.47>As材料,并且研究生长条件(生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、缓冲层厚度、AsH<,3>与PH<,3>转换时间)对InGaAs的光致...
- 缪国庆金亿鑫蒋红宋航李军
- 关键词：金属有机化学气相淀积光致发光谱
- 文献传递
- 紫外红外双色探测器及其制作方法
- 本发明公开了一种紫外红外双色探测器及其制作方法，其中，紫外红外双色探测器包括衬底层、生长在衬底层上的GaN缓冲层、生长在GaN缓冲层上的GaN吸收层及生长在GaN吸收层上的TMDCs盖层。由于GaN具有宽禁带性能，可对紫...
- 张志伟陈一仁李志明谬国庆蒋红宋航
- 文献传递
- 半导体材料外延的废气中所含砷微粒的回收设备
- 本发明是能够回收半导体材料外延过程所产生废气中剧毒物质砷微粒的设备。由密封桶、放水口、隔板、进气管、桶底、旋转轴、导流板、离心桶、桶盖、排气管、进水管、喷头、吸泵、填充物、电机组成。采用水与废气反向流动，通过无规则排列的...
- 宋航周天明张宝林蒋红金亿鑫缪国庆
- 文献传递
- MOCVD-InAs/GaSb DBR结构材料的特性研究
- 2005年
- 本研究采用MOCVD技术在GaSb衬底上制备InAs与GaSb交替生长层构成的分布布喇格反射镜(DBR)材料。由于InAs与GaSb材料晶格匹配良好,且折射率差较大,因此用这两种材料交替生长构成的DBR结构,在较低生长周期时即可获得较高的反射率。将其引入共振腔增强型红外探测器结构,做为共振腔的腔体,将大大改善器件性能,实现红外光的高灵敏度室温探测。根据多膜增反原理,膜层反射率随膜层周期增加而增加,理论计算结果显示InAs/GaSb DBR结构工作波长为2.4μm,周期为22时,膜层反射率即可高于80.11%。我们用扫描电子显微镜,X-ray射线衍射,反射光谱测量等分析手段,对InAs/GaSb DBR结构材料的物理性能进行表征。结果表明,我们已经成功获得高质量的晶格匹配的InAs、GaSb单晶薄膜,以及InAs/GaSb交替生长组成的不同周期的DBR结构材料。反射光谱测量显示,InAs/GaSb DBR反射率随膜层周期数增加而增加,当InAs/GaSb DBR周期数为22时,其反射率约为44.27%。
- 蒋红金亿鑫宋航缪国庆
- 关键词：MOCVD反射率
- 非致冷In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP红外探测器研究被引量：3
- 2005年
- 采用LPMOCVD技术生长了InGaAs红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元器件,光谱响应范围为0.90～1.70μm,在1.95V偏压下,暗电流为5.75×10-5A,在反向偏压为-5V时,电容为6.96×10-12F.探测器波段探测率为2.08×1011cmHz1/2W-1.
- 缪国庆殷景志金亿鑫蒋红张铁民宋航
- 关键词：金属有机化学气相沉积铟镓砷探测器
- 一种近红外探测器及其制备方法
- 本申请公开了一种近红外探测器及其制备方法，其中，所述近红外探测器包括：衬底；位于所述衬底表面的缓冲层；位于所述缓冲层背离所述衬底一侧的吸收层；位于所述吸收层背离所述缓冲层一侧的窗口层；所述窗口层为二硫化钼层。二硫化钼可表...
- 张志伟繆国庆宋航黎大兵蒋红李志明陈一仁孙晓娟
- 石墨烯增强型InGaAs红外探测器
- 本发明涉及一种石墨烯增强型InGaAs红外探测器，解决现有红外探测器探测范围窄和较高暗电流的技术问题。该石墨烯增强型InGaAs红外探测器结构为：在衬底上依次生长的缓冲层、扩展波长的InGaAs吸收层、石墨烯盖层，构成p...
- 张志伟缪国庆宋航蒋红黎大兵孙晓娟陈一仁李志明
- 文献传递
- PNIN型InGaAs红外探测器
- 本发明提供一种PNIN型InGaAs红外探测器，涉及光电子材料与器件的应用领域。PNIN型InGaAs红外探测器，该探测器是依次包括衬底、缓冲层、扩展波长的InGaAs吸收层、n型插入层和盖层的PNIN型探测器结构；其中...
- 张志伟缪国庆宋航蒋红黎大兵孙晓娟陈一仁李志明
- 文献传递
- 光电探测成像系统及其成像方法
- 光电探测成像系统及其成像方法，属于光电探测技术领域。解决了现有技术中AlGaN基日盲焦平面阵列探测器光谱响应度、探测率、分辨率和均匀性偏低的技术问题。本发明的成像系统包括光学系统、信号处理系统、单元探测器、DMD和DMD...
- 陈一仁宋航黎大兵蒋红孙晓娟李志明缪国庆张志伟
- 文献传递
