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丁子君

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇低介电常数
  • 4篇电路
  • 4篇前驱体
  • 4篇介电常数
  • 4篇集成电路
  • 3篇电场
  • 3篇电场强度
  • 3篇场强
  • 3篇超大规模集成
  • 3篇超大规模集成...
  • 3篇超低介电常数
  • 3篇大规模集成电...
  • 2篇低介电常数材...
  • 2篇杨氏模量
  • 2篇氧杂
  • 2篇制备改性
  • 2篇阻挡层
  • 2篇介质材料
  • 2篇聚环氧丙烷
  • 2篇扩散阻挡层

机构

  • 8篇复旦大学

作者

  • 8篇丁子君
  • 8篇丁士进
  • 8篇张卫
  • 2篇蒋涛
  • 1篇朱宝
  • 1篇刘文军

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种基于BTEM前驱体的超低介电常数薄膜及其制备方法
本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种基于BTEM前驱体的超低介电常数薄膜及其制备方法。本发明以1，2-二（三乙氧基硅基）甲烷为前驱体，通过添加表面活性剂聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物、盐酸、...
丁士进丁子君蒋涛张卫
一种低介电常数材料前驱体的合成方法
本发明属于集成电路互连介质材料技术领域，具体为一种低介电常数材料前驱体的合成方法，即为一种七缺角的笼型倍半硅氧烷（POSS）单体合成改性POSS聚合物的方法。本发明由七缺角笼型倍半硅氧烷（POSS）单体和不饱和化合物1,...
丁士进丁子君张卫
文献传递
一种SiCOH薄膜及其制备方法
本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种SiCOH薄膜及其制备方法。本发明以[2-(7-氧杂二环[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷为前驱体，采用溶胶、凝胶工艺制备SiCOH薄膜，所得薄膜介电常数为3.8-4....
丁士进丁子君谭再上张卫
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一种碳氮掺杂的金属钴薄膜、其制备方法及用途
本发明公开了一种碳氮掺杂的金属钴薄膜、其制备方法及用途，该方法包含至少一个反应循环，每个反应循环包含以下步骤：S1，向反应腔中通入Co(EtCp)<Sub>2</Sub>蒸汽，使其与反应腔中的衬底表面充分反应；S2，向反...
丁士进朱宝丁子君刘文军张卫
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一种低介电常数材料前驱体的合成方法
本发明属于集成电路互连介质材料技术领域，具体为一种低介电常数材料前驱体的合成方法，即为一种七缺角的笼型倍半硅氧烷（POSS）单体合成改性POSS聚合物的方法。本发明由七缺角笼型倍半硅氧烷（POSS）单体和不饱和化合物1,...
丁士进丁子君张卫
文献传递
一种SiCOH薄膜及其制备方法
本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种SiCOH薄膜及其制备方法。本发明以[2-(7-氧杂二环[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷为前驱体，采用溶胶、凝胶工艺制备SiCOH薄膜，所得薄膜介电常数为3.8-4....
丁士进丁子君谭再上张卫
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一种基于BTEM前驱体的超低介电常数薄膜及其制备方法
本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种基于BTEM前驱体的超低介电常数薄膜及其制备方法。本发明以1，2‑二（三乙氧基硅基）甲烷为前驱体，通过添加表面活性剂聚环氧乙烷‑聚环氧丙烷‑聚环氧乙烷三嵌段共聚物、盐酸、...
丁士进丁子君蒋涛张卫
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一种超低介电常数绝缘薄膜及其制备方法
本发明公开了一种超低介电常数绝缘薄膜及其制备方法，该方法包含：步骤1.利用等离子体增强化学气相沉积技术沉积薄膜：MTES和LIMO作为反应源，氦气为载气被导入到化学气相沉积反应腔中，沉积形成50-100nm的绝缘层，MT...
丁士进丁子君张卫
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