朱宝
- 作品数：130 被引量：0H指数：0
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>
- 一种微波辅助原子层沉积方法及反应器
- 本发明属于集成电路制造技术领域，具体为一种微波辅助原子层沉积方法及反应器。本发明的原子层沉积反应器包括：反应腔，其顶部设有石英窗口、内部设置有基片托盘，侧壁设有励磁线圈；微波源，设置在石英窗口上方；真空泵，对反应腔的真空...
- 朱宝陈琳孙清清张卫
- 文献传递
- 半导体衬底、制备方法以及电子元器件
- 本发明提供了一种半导体衬底，包括相对的第一衬底表面和第二衬底表面，贯通所述第一衬底表面和所述第二衬底表面的通孔结构，以及堆叠设置的第一隔离层和电感层。所述半导体衬底的通孔结构内表面开设有凹陷部，能够增加所述通孔结构的比表...
- 朱宝陈琳孙清清张卫
- 文献传递
- 一种基于低K材料和铜互连的MIM电容及其制备方法
- 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种基于低介电材料和铜互连结构的高性能金属-绝缘体-金属(MIM)电容及其制备方法。所公开的电容在集成电路后端工艺(铜互连)中形成，并且以TaN或TaN/Ta叠层为上下金属电极...
- 丁士进朱宝张秋香
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- 一种与硅基集成电路集成的全固态超级电容及其制备方法
- 本发明公开了一种与硅基集成电路集成的全固态超级电容及其制备方法，该全固态超级电容由两个相对设置的芯片‑电极集成结构粘合构成，其中，芯片‑电极集成结构包含衬底、设置在衬底第一表面的芯片、由下到上依次设置在衬底第二表面上的硅...
- 丁士进朱宝刘文军张卫
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- 一种低操作电压半浮栅存储器及其制备方法
- 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种低操作电压半浮栅存储器及其制备方法。本发明的半浮栅存储器包括：半导体衬底，具有第一掺杂类型；半浮栅阱区，具有第二掺杂类型；U型槽，贯穿半浮栅阱区，底部处于半浮栅阱区的下边界；第...
- 朱宝陈琳孙清清张卫
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- 一种高存储容量纳米电容三维集成结构及其制备方法
- 本发明公开一种高存储容量纳米电容三维集成结构及其制备方法。通过在硅片表面刻蚀出硅纳米结构并制备第一纳米电容，然后在第一纳米电容表面形成阳极氧化铝结构并制备第二纳米电容，通过将两个纳米电容并联连接，可以显著增大电容密度和能...
- 朱宝陈琳孙清清张卫
- 文献传递
- 一种基于二维材料的半浮栅存储器及其制备方法
- 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维材料的半浮栅存储器及其制备方法。本发明半浮栅存储器包括：L型底栅；覆盖底栅表面的阻挡层；L型半浮栅层，为第一类二维材料，顶部与底栅的顶部持平；半浮栅底部上的半闭合隧穿层，...
- 朱宝陈琳孙清清张卫
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- Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅研究
- 2012年
- 首先在SiO2/Si衬底上磁控溅射了一层超薄Pt薄膜,并通过快速热退火形成了分离的Pt纳米颗粒阵列。接着研究了在氢氟酸和双氧水的混合溶液中Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅片的特性。结果表明,当氢氟酸的浓度为1.06 mol/L时,样品表面分布着许多Pt岛链,在硅衬底表面没有观察到任何孔洞;当氢氟酸的浓度上升到5.3 mol/L时,样品表面起伏不平,出现许多大小不一的小丘,岛链状Pt减少;当氢氟酸的浓度增加到26.5 mol/L时,样品表面出现大量的孔洞,Pt岛链进一步减少。通过对样品的剖面结构进行观察,发现硅衬底中形成了致密的介孔,同时还观察到底部含有Pt岛状物的不规则沟槽,并且介孔的生长速率快于沟槽。最后,对上述实验现象的形成机制进行了讨论。
- 朱宝李连杰丁士进张卫
- 关键词：快速热退火
- 一种用于系统级封装的TSV无源转接板制备方法
- 本发明属于集成电路封装技术领域，具体为一种用于系统级封装的TSV无源转接板制备方法。本发明通过在硅衬底上外延一层SiGe材料；然后在SiGe材料表面外延一层Si材料，之后选择性去除SiGe材料，从而使顶层Si材料与底部硅...
- 朱宝陈琳孙清清张卫
- 文献传递
- 一种用于2.5D封装的TSV转接板及其制备方法
- 本发明属于集成电路封装技术领域，具体为一种用于2.5D封装的TSV转接板及其制备方法。本发明采用金属辅助化学刻蚀工艺减薄硅片，并且采用金属辅助化学刻蚀工艺形成硅通孔，该方法无需复杂的工艺设备，工艺简单，且硅通孔的深宽比易...
- 朱宝陈琳孙清清张卫
- 文献传递
