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日立超大规模集成电路系统株式会社
作品数:
155
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相关机构:
日立制作所
株式会社瑞萨科技
尔必达存储器株式会社
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合作机构
日立制作所
株式会社瑞萨科技
尔必达存储器株式会社
日立北海半导体株式会社
日立米沢电子株式会社
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155篇
中文专利
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1篇
三和电气工业...
1篇
日立东部半导...
1篇
瑞萨北日本半...
年份
1篇
2013
2篇
2012
2篇
2011
4篇
2010
13篇
2009
16篇
2008
19篇
2007
11篇
2006
20篇
2005
26篇
2004
19篇
2003
6篇
2002
4篇
2001
5篇
2000
7篇
1999
共
155
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存储装置和存储系统
在存储装置中设置驱动器选择部(1)、硬盘驱动器(HDD)(2)和非易失性存储器驱动器(3),在从例如CPU(5)和ATA控制器(6)等主机向硬盘驱动器(HDD)(2)发出数据输入输出等指令时,所述驱动器选择部(1)接收此...
东修一郎
松本雅宏
冲永隆幸
竹村茂
木全能之
岸本隆行
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半导体器件和集成电路卡
在用使用天线从外部接收到的交流信号形成的内部电源(VSS,VDD)使内部电路动作的IC卡中,内部电源的电压常常会因该内部电路的动作而变动。于是,本申请的压控电路REG是包括压控电流源的压控电路,其构成为:在该内部电路非动...
渡边一希
角田尚隆
山本师久
松下一浩
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网络监视系统、再现终端及监视终端
本发明提供一种可改善其他通信系统的通信质量的网络监视系统。由监视设备(10)、和对包含在经网络线路(40)从监视设备发送的监视信息中的压缩图像数据进行解压的再现终端(20)构成,还包括:可发送信息量计算装置(501),计...
有森梢
高桥孝
星俊夫
文献传递
半导体集成电路器件
本发明提供一种配备有一种负反馈放大器电路或降压电路的半导体集成电路器件,该电路响应于电源电压的变动而有效地实现输出电压的稳压。一个恒定电流源促使用于设置电流消耗的偏流流经一个差动放大MOSFET。一个电容器被提供于一个外...
齐藤良和
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半导体器件及其制造工艺
借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生,制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件,此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶,从而优化了元件隔离沟槽的形状,并使器件更精细,...
石冢典男
三浦英生
池田修二
铃木范夫
松田安司
吉田安子
山本裕彦
小林正道
高松朗
清水博文
福田和司
堀部晋一
野添俊夫
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半导体集成电路器件
一种半导体集成电路器件,包括:输出缓冲器电路,具有一其源极连接到第一电压的PMOS晶体管,以及一其漏极连接到上述PMOS晶体管的漏极、其源极连接到第二电压的NMOS晶体管;第一控制电路,接收输出控制信号和输出信号,并输出...
田中一雄
水野弘之
西山利惠
宫本学
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半导体集成电路装置及其识别和制造方法以及半导体芯片
在半导体集成电路装置的制造工艺中,形成具有相同形态的多个识别元件,与上述多个识别元件的工艺分散性相对应的物理量的相互大小关系被用作这种半导体集成电路的固有的识别信息。
村中雅也
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半导体器件及其制造方法
本发明涉及一种半导体器件及其制造方法,其中两个半导体芯片可背对背地键合,并且支撑引线可连接到某一半导体芯片的正面上。如此构成可使半导体器件变薄。半导体器件的产量可以通过层叠两半导体芯片使一芯片的电极不同于另一芯片的电极而...
增田正亲
和田环
杉山道昭
东野朋子
西田隆文
大野浩
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半导体集成电路装置及其识别和制造方法以及半导体芯片
在半导体集成电路装置的制造工艺中,形成具有相同形态的多个识别元件,与上述多个识别元件的工艺分散性相对应的物理量的相互大小关系被用作这种半导体集成电路的固有的识别信息。
村中雅也
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半导体器件及其制造方法
一种半导体器件包括具有形成于其第一主表面上的多个电极的半导体芯片;于其中密封半导体芯片的树脂封装;电连接半导体芯片电极的多个引线,其形成为在树脂封装内部和外部延伸;在与第一主表面相对的半导体芯片第二主表面的一部分处支撑半...
宫木美典
铃木一成
面田大介
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