您的位置： 专家智库 > >

四川绿然电子科技有限公司

作品数：20 被引量：0H指数：0
相关机构：电子科技大学四川蓝彩电子科技有限公司四川上特科技有限公司更多>>

合作机构

文献类型

  • 20篇中文专利

主题

  • 12篇二极管
  • 8篇芯片
  • 6篇引脚
  • 6篇整流
  • 6篇整流桥
  • 6篇管芯
  • 6篇二极管芯片
  • 4篇电流
  • 4篇氧化层
  • 4篇栅氧化
  • 4篇栅氧化层
  • 4篇大电流
  • 3篇集成式
  • 3篇高压脉冲
  • 3篇封装
  • 3篇TVS
  • 2篇低阻
  • 2篇引线
  • 2篇引线框
  • 2篇引线框架

机构

  • 20篇四川绿然电子...
  • 19篇电子科技大学
  • 12篇四川蓝彩电子...
  • 10篇四川上特科技...
  • 6篇上海朕芯微电...
  • 5篇四川洪芯微科...
  • 1篇四川矽芯微科...
  • 1篇四川晶辉半导...
  • 1篇广东成利泰科...

作者

  • 9篇赵建明
  • 2篇廖智
  • 1篇周伟
  • 1篇李朝晖

年份

  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 7篇2017
  • 2篇2016
  • 7篇2015
共 20 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
基于双向TVS高压脉冲抑制的整流桥及其制作工艺
本发明提供了基于双向TVS高压脉冲抑制的整流桥及其制作工艺。整流桥包括塑封体、四个同一技术指标的二极管芯片、一个双向TVS管芯片、四个引线的框架；双向TVS管芯片固定设于第一引线框架上，通过导线连接第三引线框架；其中两个...
徐开凯程绪林李朝晖李健儿赵建明范世杰刘继芝包海燕蔡勇冯春阳廖智曾尚文
文献传递
带双向TVS输入滤波的全波整流桥
本实用新型提供了一种带双向TVS输入滤波的全波整流桥，它包括四个二极管芯片、一个双向TVS管芯片、四个引线的框架；四个二极管芯片技术指标相同，且顶面均为P型、底面均为N型；双向TVS管芯片和第一二极管芯片固定设于第一引线...
冯艾诚包海燕赵建明李朝晖李健儿徐开凯程绪林冯春阳廖智曾尚文刘宁刘继芝
文献传递
一种高取光率的高压LED芯片结构
本发明提供了一种高取光率的高压LED芯片结构，属于光电子发光器件领域。包括多个微晶粒单元，每个微晶粒单元包括衬底以及衬底上依次生长的N型氮化物层、发光层、P型氮化物层和透明导电层，所述N型氮化物层连接N型电极，所述透明导...
周伟张小六刘志强赵建明赵国周汉知
文献传递
芯片尺寸封装的PIN二极管及其制作方法
本发明提供了一种芯片尺寸封装的PIN二极管及其制作方法，其中PIN二极管的制作方法为：（一）PIN二极管芯片制作；（二）将步骤（一）中制成的含多个PIN二极管晶圆进行一体化封装钝化；（三）分割包装：将步骤（二）中封装钝化...
李晶徐谦刚冯春阳洪吉忠赵建明曾尚文李健儿廖智徐开凯赵国徐彭飞夏建新
文献传递
一种滤除瞬态高压脉冲的超薄整流桥
本实用新型提供了一种滤除瞬态高压脉冲的超薄整流桥，它包括塑封体、四个同一技术指标的二极管芯片、一个双向TVS管芯片、四个引线的框架；双向TVS管芯片固定设于第一引线框架上，通过导线连接第三引线框架；其中两个二极管芯片固定...
李健儿徐开凯李朝晖冯春阳冯艾诚赵建明刘宁蔡勇刘继芝廖智曾尚文范世杰
文献传递
一种超薄低热阻的全波整流桥新结构
本实用新型提供了一种超薄低热阻的全波整流桥新结构，它包括塑封体，塑封体内封装有处于同一平面内的第一引线框架、第二引线框架、第三引线框架、第四引线框架；第一引线框架与第三引线框架固设于同一载体上，作为交流引脚，第二引线框架...
李朝晖危兵徐开凯冯艾诚赵建明刘宁冯春阳刘继芝廖智曾尚文徐谦刚李健儿
文献传递
带有双电源驱动的LED照明电路
本发明公开了一种带有双电源驱动的LED照明电路，包括两个电源模块、两个电源监控模块、两组LED灯组、两个恒流控制模块、一个双向控制开关，每个电源模块的正极输出端分别连接对应的电源监控模块的输入端、LED灯组的正极，负极输...
赵建明冯春阳李建儿郑兴隆赵国徐彭飞陈勇夏建新廖智
集成式二极管链功率MOS防静电保护结构
本发明提供了一种集成式二极管链功率MOS防静电保护结构，它包括由若干个MOS单元一起构成的功率MOS结构，和由两组反向并联的二极管链构成的ESD保护结构，所述ESD保护结构的等效输出端并接在所述功率MOS结构的栅极和源极...
赵建明徐开凯廖智黄平赵国钟思翰徐彭飞胡兴微蒋澎湃
文献传递
宽范围大电流高维持电压的双端ESD集成保护器件及其制备方法
本发明公开了一种宽范围大电流高维持电压的双端ESD集成保护器件及其制备方法，其中宽范围大电流高维持电压的双端ESD集成保护器件由下至上依次设有金属层，N+衬底、N-外延层、二氧化硅层，所述N-外延层顶端设有两个对称的、贯...
廖智赵建明黄平徐开凯赵国钟思翰王威胡兴微徐彭飞蒋澎湃陈勇夏建新
文献传递
芯片尺寸封装的PIN二极管及其制作方法
本发明提供了一种芯片尺寸封装的PIN二极管及其制作方法，其中PIN二极管的制作方法为：（一）PIN二极管芯片制作；（二）将步骤（一）中制成的含多个PIN二极管晶圆进行一体化封装钝化；（三）分割包装：将步骤（二）中封装钝化...
赵建明李健儿廖智黄平陈勇徐开凯赵国钟思翰徐彭飞胡兴微夏建新
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0