福州大学物理与信息工程学院气敏传感器研究所
- 作品数：30 被引量：108H指数：7
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- WO3基三甲胺气敏传感器的研制
- 采用溶胶-凝胶法制备了WO3,利用扫描电镜、透射电镜等现代分析测试手段,分析了材料的微观结构,并以其为基材掺杂少量的Pd制成了检测鱼鲜度的三甲胺(TMA)气敏传感器.研究发现该传感器具有工作温度低,响应下限低,灵敏度高,...
- 葛丽颖黄世震王大伟
- 关键词：气敏传感器溶胶-凝胶法
- 文献传递
- 纳米SnO2材料的电子显微镜表征
- 纳米二氧化锡为一种常用气敏材料,可通过不同方法制备二氧化锡纳米材料,本文利用电子显微镜,观察纳米材料的形貌、大小、结晶、生长、缺陷以及团聚现象,分析、总结制备工艺及方法对材料结构影响.
- 黄世震陈文哲林伟
- 关键词：纳米材料二氧化锡电子显微镜
- 文献传递
- 气相法WO_3纳米粉体的H_2S气敏性能研究被引量：17
- 2006年
- 采用气相反应法,以纯钨丝为原料,制备了WO3粉末,又以此WO3粉末为基材,掺用溶胶--凝胶制成的TiO2,制作了H2S气敏传感元件。在性能测试中发现,该元件对浓度为10×10-6H2S的灵敏,有较高的灵敏度和较好的响应-恢复特性。文中从材料的微观结构入手,对材料的敏感机理作了分析。
- 林金阳黄世震林伟陈伟黄建敏
- 关键词：WO3气相反应法气敏材料H2S
- 材料制备对H_2S元件气敏特性的影响被引量：2
- 2002年
- 用不同方法制备H2 S气敏元件 .将 (CH4) 5H5[H2 (WO4) 6]·H2 O重结晶热分解得到纳米WO3 材料 ,再掺杂ZnS以及Al2 O3 制得的气敏元件对微量H2 S气体具有较好的灵敏度、选择性和较快的响应恢复特性 .用X射线衍射仪分析了材料的微观结构 .
- 陈伟林伟黄世震黄兆新
- 关键词：气敏特性WO3ZNS氧化钨硫化锌硫化氢
- WO3基低浓度NO2气敏传感器的研究
- 分别采用改进前后的溶胶-凝胶法制备WO3纳米材料,制作成直热式球形气敏元件,对低浓度的NO2气体进行测试.结果表明,改进后的溶胶-凝胶法制备的WO3材料,粒径小,表面疏松,对低浓度甚至极低浓度的NO2气体有很好的灵敏度,...
- 王大伟黄世震
- 关键词：溶胶-凝胶法气体传感器气敏元件
- 文献传递
- 利用磁控溅射仪制作平面薄膜型H_2S硅微传感器
- 2003年
- 通过反应溅射 ,以硅基片 (表面上有白金加热电极 )为基底制作H2 S薄膜气敏元件 .实验表明 ,纳米SnO2 对H2 S具有较高的敏感度 ,对干扰气体的选择性较好 .性能测试表明 ,元件的特性与敏感材料的厚度、溅射气压等工艺参数有关系 ,但敏感材料的厚度对元件的特性起着决定性的作用 ,气敏薄膜有一个最佳厚度范围 .通过X射线衍射仪进行材料的微观分析 ,表明SnO2 的平均粒径大小为 8.5nm .
- 林伟黄世震赖云锋
- 关键词：磁控溅射薄膜厚度溅射气压选择性
- 纳米WO_3-ZnS系H_2S气敏元件的研究被引量：25
- 2001年
- 以纳米WO3 材料 ,分别掺入SnO2 、ZnS ,制备成H2 S气敏元件。实验表明 ,当WO3 掺入适量ZnS ,元件对H2
- 黄世震林伟陈伟陈知前
- 关键词：气敏元件氧化钨硫化锌硫化氢
- 一氧化碳敏感元件的研究
- 1993年
- 本文介绍了α-Fe_2O_3等复合金属氧化物为材料的一氧化碳敏感元件.其特点是:在CO的低浓度范围(50×10_-~6附近),取样电阻为1kΩ时,灵敏度为11.8mV/×10^(-6),响应时间小于5s,恢复时间小于20s,功耗小于0.3W.其气敏机理应是表面控制型.
- 黄兆新林伟
- 关键词：敏感元件一氧化碳
- 基于霍耳效应的气敏传感器的研制被引量：1
- 2006年
- 利用霍耳效应成功地研制了WO3半导体气敏传感器。这种新型传感器不仅可以根据需要输出几毫伏至几十毫伏甚至几百毫伏的直流电压,而且具有其它半导体传感器所没有的优点——无需另外加热。在实验中对NO2气体进行检测,结果表明:传感器的输出霍耳电动势在几毫伏到几百毫伏之间,且随待测气体浓度变化而变化。因此,利用霍耳效应制作气敏传感器是一条完全可行的新思路。
- 林金阳黄世震林伟陆培民
- 关键词：霍耳效应气敏传感器
- WO_3基三甲胺气敏传感器的研制被引量：1
- 2006年
- 采用溶胶-凝胶法制备了WO3材料,利用扫描电镜、透射电镜等现代分析测试手段,分析了材料的微观结构,并以其为基材掺杂少量的Pd制成了检测鱼鲜度的三甲胺(TMA)气敏传感器。研究发现该传感器具有工作温度低,响应下限低,灵敏度高,选择性及稳定性好等特点。
- 葛丽颖黄世震王大伟
- 关键词：气敏传感器溶胶-凝胶法三甲胺WO3
